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DB32／T 4378-2022 《衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法》.pdf简介：

《DB32/T 4378-2022 《衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法》是一份地方标准，由中国江苏省发布的关于纳米和亚微米尺度薄膜（如半导体材料中的薄膜层）方块电阻（Resistance of Square Film）的无损测试方法。方块电阻是衡量薄膜电阻的一种技术指标，对于薄膜材料的性能评估和质量控制至关重要。

该标准详细规定了使用四探针法（Four-Point Probe）对这些薄膜进行测试的流程、设备要求、测试条件、数据处理和结果判断等。四探针法是一种常见的薄膜电阻测量技术，它通过在薄膜材料的四个角各连接一个电极，形成一个电场，从而测量出薄膜的电阻，避免了边缘效应，确保了测量结果的准确性。

DB32/T 4378-2022 标准的发布，为纳米和亚微米尺度薄膜的生产和科研提供了科学、准确的测试依据，有助于提升薄膜材料的制备质量和科研实验的可靠性。

DB32／T 4378-2022 《衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法》.pdf部分内容预览：

江苏省市场监督管理局 发布 中国标准出版社出版

本文件接照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起章规则》的规定 起草 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由江苏省石墨烯检测标准化技术委员会提出并归口。 本文件起草单位：江苏省特种设备安全监督检验研究院[国家石墨烯产品质量检验检测中心（江 苏）、苏州晶格电子有限公司、河南煜和科技集团有限公司、江苏华永烯科技有限公司、江南大学、无锡 华鑫检测技术有限公司、中国矿业天学、烯源科技无锡有限公司。 本文件主要起草人：杨永强、丁海龙、区炳显、谢一麟、陈武魁、刘禹、魏宁、呼志跃、王云超、主勤生 马龙、李璐、屈晓兰、陈辉、秦继恩

本文件接照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起章规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由江苏省石墨烯检测标准化技术委员会提出并归口。 本文件起草单位：江苏省特种设备安全监督检验研究院[国家石墨烯产品质量检验检测中心（江 苏）、苏州晶格电子有限公司、河南煜和科技集团有限公司、江苏华永烯科技有限公司、江南大学、无锡 华鑫检测技术有限公司、中国矿业天学、烯源科技无锡有限公司。 本文件主要起草人：杨永强、丁海龙、区炳显、谢一麟、陈武魁、刘禹、魏宁、呼志跃、王云超、主勤生 马龙、李璐、屈晓兰、陈辉、秦继恩

产业结构调整指导目录2019.pdf衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻无损测试四探针法

底表面纳米、亚微米尺度薄膜

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 牛，仅该日期对应的版本适用于本文；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T1551—2021 硅单晶电阻率测定直排四探针法和直流两探针 GB/T 14141—2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针 GB/T14264—2009 半导体材料术语 GB/T33376—2016 光学功能薄膜术语及其定义

下列术语和定义适用于本文件 3.1 薄膜film 同长度与宽度相比厚度极小，可随意限定最大厚度的薄而平的制品。 ［来源：GB/T33376—2016,2.1.5,有修改］ 3.2 四探针fourpointprobe 测量材料电阻率的一种点探针装置/其中一对探针用来通过流经样品的电流，另一对探针测量因电 流引起的电势差。 ［来源：GB/T14264—2009,3.97］ 3.3 方块电阻 sheet resistance R， 半导体或薄金属膜的薄层电阻，与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的比 注：方块电阻也称薄层电阻。 ［来源:GB/T14264—2009,3.221]

下列术语和定义适用于本文件。 3.1 薄膜film 同长度与宽度相比厚度极小，可随意限定最大厚度的薄而平的制品。 ［来源：GB/T33376—2016,2.1.5,有修改］ 3.2 四探针fourpointprobe 测量材料电阻率的一种点探针装置/其中一对探针用来通过流经样品的电流，另一对探针测量因电 流引起的电势差。 ［来源：GB/T14264—2009,3.97］ 3.3 方块电阻 sheet resistance R， 半导体或薄金属膜的薄层电阻，与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的比 注：方块电阻也称薄层电阻。 『来源:GB/T14264—2009,3.2217

DB32/T 43782022

使用直排四探针测量装置、便 上两外探针，测量两内探针之间的电位差，引入与 测试示意图见图1

方块电阻计算如式（1)所示：

图1直排四探针法测试方块电阻的示意图

式中： R。一一为方块电阻，单位为欧姆/（/）； F 修正因子，根据试样几何形状与探针修正因子，从仪器自带的修正系数表查询，也可以见 GB/T 1551—2021或 GB/T 14141—2009; V 测得的电势差，单位为毫伏（mV）； 测得的电流，单位为毫安（mA）

仪器由四探针测试仪主机、四探针测试台、带导电橡胶探针的探头、数据采集与处理系统等 成。

2.1四探针测试仪主机、四探针测试台应符合GB/T1551一2021中的规定。 2.2测试探头：用体积电阻小于10mQ·cm的导电橡胶探针制成，四探针应以等距离直线排列。 间距及针尖状况应符合GB/T1551一2021中的规定

易度：23℃±5℃：测试湿度：相对湿度不超过65

7.1仪器在测试环境下开机预热30min以上。 7.2将目测平坦的样品置于测试环境下至少30min。 7.3可将试样表面分为5个测试区域，应至少选择一条对角线上的3个测试区域进行测试，其中应包 括样品的几何中心（如图2）。每个测试区域应至少测试3次，且所选测试点的探针探头边缘到试样边 缘的距离至少大于探针间距的10倍以上。

7.1仪器在测试环境下开机预热30min以上。 7.2将目测平坦的样品置于测试环境下至少30min。 .3可将试样表面分为5个测试区域，应至少选择一条对角线上的3个测试区域进行测试，其中应包 活样品的几何中心（如图2）。每个测试区域应至少测试3次，且所选测试点的探针探头边缘到试样边 缘的距离至少大于探针间距的10倍以上。

7.1仪器在测试环境下开机预热30min以上。

7.4数据记录并计算，可参照表1。

7.4数据记录并计算，可参照表1。

图2样品测量位置示意图示意图

表1方块电阻测试数据记录与结果表

7.5测试示例参见附录A

DB32/T4378—2022

测试报告中应至少包括以下内容： a) 测试日期； b) 测量者； c) 试样的描述； d) 方法标准； e）测试结果

图A.1为PET基底石墨烯薄膜。

A.2.1四探针方块电阻测量仪

A.2.2导电橡胶探针探头

图A.2为导电橡胶探针探头。

《低温低浊水给水处理设计规程 CECS110：2000》图A.1PET基底石墨烯薄膜

图A.2导电橡胶探针探头

A.3.1带导电橡胶探针探头的四探针方块电阻测量仪在23℃，湿度不超过65%的测试环境下开机预 热30min以上。 A.3.2将目测平坦的PET基底石墨烯薄膜样品置于测试环境下至少30min。 .3.3可将PET基底石墨烯薄膜表面分为5个测试区域，应至少选择一条对角线上的3个测试区域 进行测试，其中应包括试样的几何中心（如图A.1）。每个测试区域应至少测试3次，且所选测试点的探 针探头边缘到试样边缘的距离至少大于探针间距的10倍以上

A.3.1带导电橡胶探针探头的四探针方块电阻测量仪在23℃，湿度不超过65%的测试环境下开机预 热30min以上。 A.3.2将目测平坦的PET基底石墨烯薄膜样品置于测试环境下至少30min。 A1.3.3可将PET基底石墨烯薄膜表面分为5个测试区域，应至少选择一条对角线上的3个测试区域 进行测试，其中应包括试样的几何中心（如图A.1）。每个测试区域应至少测试3次，且所选测试点的探 针探头边缘到试样边缘的距离至少大于探针间距的10倍以上

DB32/T4378—2022

图A.3PET基底石墨烯薄膜测量位置示意图

根据式（1)计算PET基底石墨烯薄膜的方块电阻，或软件直接给出PET基底石墨烯薄膜的电阻 率。表A.1显示了软件直接给出样品3个区域的9个方块电阻数据

DB44／T 1900-2016 LED路灯隧道灯照明应用效果模拟评测与计算方法.pdfT基底石墨烯薄膜方块电阻测试数据记录与结果