GB/T 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体.pdf

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GB/T 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体.pdf简介:

"GB/T 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体"是中国国家标准,全称为《正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体技术要求》。这个标准具体规定了正电子发射断层扫描仪(PET)中使用的锗酸铋闪烁晶体的技术参数、性能指标、检测方法和检验规则等。该标准旨在保证闪烁晶体的质量,提升PET设备的成像质量和稳定性,对于医疗器械行业,尤其是医疗影像设备的生产和质量控制具有重要意义。

"锗酸铋闪烁晶体"是一种常用的闪烁探测器材料,广泛应用于医学成像技术中的PET设备中,用于检测和转换正电子发射产生的光子,进而生成图像。该标准详细规定了晶体的尺寸、形状、光学性能、机械性能、纯度、稳定性等方面的要求,以确保其在实际应用中的性能表现。

总的来说,GB/T 39867-2021 是一个关于PET设备关键部件的性能标准,对于提升我国PET技术的水平和产品质量具有指导作用。

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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T13181一2002闪烁体性能测量方法 GB/T13182一2007碘化钠(铊)闪烁体和碘化钠(铊)闪烁探测器

下列术语和定义适用于本文件。 3.1 全能峰 total energypeak 在X或辐射测量中,相当于光子在探测物质中能量全部被吸收时的能谱响应曲线的峰。 注:改写GB/T12564—2008的定义3.1.20。 3.2 脉冲幅度 pulseamplitude 用一定强度的光脉冲重复照射光阴极时,阳极输出脉冲的平均幅度,一般以幅度分布曲线峰值对应 的脉冲幅度表示。对输人信号为单能的X或辐射,为全能峰峰值对应的脉冲幅度。 [GB/T12564—2008,定义3.3.1 3.3 光学透过率 透过晶体的光通量与其入射晶体光通量的百分比。 3.4 相对光输出relativelight output 相同测量条件下,被测闪烁体输出的脉冲幅度与闪烁体参比样品输出的脉冲幅度的比值 3.5 能量分辨率 energyresolution 对于某一给定的能量,能分辨的两个粒子能量之间的最小相对差值的量度。 注1:在一般应用中,能量分辨率用谱仪测得的单能粒子能量分布曲线的峰的半高宽与峰位所对应的能量之比,当 能量用脉冲幅度表示时,其比值为脉冲幅度分辨率, 注2:改写GB/T13182—2007的定义3.1.16。 3.6 辐照损伤 radiation damage 闪烁晶体被电离辐射(X或Y射线)辐照前后光输出的下降程度

激光照射下且测检查晶体内部的散射颗粒。

T∕ASC 17-2021 电动汽车充换电设施系统设计标准按照附录A的规定进行检测

照附录A的规定进行检测

5.3光学透过率不均匀性

照附录A的规定进行检测

按照GB/T13181一2002中5.1的规定进行测量 其中的标准样品采用相同规格的BGO闪烁晶 体作为参比样品,制作方法按照附录B中的锗酸铋闪烁晶体参比样品规定的方法进行

安照GB/T13181一2002中第7章的方法检测,

按照附录C的规定进行检测

6.7 光输出不均匀性

本标准规定的检验分类如下: a)型式检验; b)出厂检验

凡有下列情况之一时,应进行型式检验: a) 新产品或老产品转厂生产的鉴定; b) 原料、工艺、设备和产品结构有重大变动,可能导致产品性能变化时; C 单炉停产12个月以上恢复生产时; d) 批量生产时,每隔24个月进行一次; e) 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时; f 使用方和供应方协商确定有必要时。

凡有下列情况之一时,应进行型式检验: a)新产品或老产品转厂生产的鉴定; b)原料、工艺、设备和产品结构有重大变动,可能导致产品性能变化时; 单炉停产12个月以上恢复生产时; d)批量生产时,每隔24个月进行一次; e) 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时; f) 使用方和供应方协商确定有必要时。

在外观质量检验合格的产品中,每台晶体生长炉随机抽取1根,按照附录B的B.1参比样品的相同 规格加工成检测样品,避光存放

型式检验和出厂检验的项目及顺序按表1规定

项或一项以上不合格,则型式 验不合格。

7.3.1检验项目分组

出厂检验分A组和B组两组,详见表1

出厂检验分A组和B组两组,详见表1

A组检验项目一律全检,符合5.1的要求,不合格

7.3.3.1抽检要求

3组检验是在A组检验的基础上实施抽检或者根据客户的要求迅

在外观质量检验合格的晶体中,同一时段,采用同一原料来源、同一生产线、相同工艺连续生产的晶

7.3.3.4合格判定

检测样品的性能指标应符合表1的规定,若有一项指标不合格,则应进行加倍抽样;若仍有一项或 项以上指标未符合规定要求,则判定该批产品不合格

3标识、包装、运输和储存

在产品上应该有明确标识,合格的产品应有铭牌

包装应采用不损伤产品的包装方式,表面应无破损,包装结构率固无变形;并有防震、防碎、防潮措 施。发货运输时,应有外包装箱。 有特殊包装要求的,应按使用方和供应方之间的协议规定

产品在运输过程中应小心轻放,禁止挤压和碰撞。

产品应储存在避光、常温、干燥的房间内

光学透过率、光学透过率不均匀性的检测方法

在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率最大值; Tmin 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率最小值; Ta 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率算术平均值

紫外分光光度计(200nm~1000nm)

测试室应具有适当的避光条件,室内温度为25℃士

按照B.1参比样品的相同规格加工检测样品

按照B.1参比样品的相同规格加工检测样品

A.4.2光学透过率不均匀性

检测样品准备主要步骤如下: a)在外观质量检验合格的产品上,晶体的两端和中间截取大于40mm40mmX30mm的晶 块,依次编号(例如:S,S2,Ss...S,),样品数量不少于3只; b)按B.1中参比样品的要求加工成检测样品,待测。

主要步骤如下: a)接通电源,打开仪器开关,预热10min:

主要步骤如下: a)接通电源GB/T 24591-2019标准下载,打开仪器开关,预热10min:

b)将测量模式设为测定光学透过率,且根据需要设定波长测量范围; 调整光路以确保光全部进入积分球内; d)自动调零后,在设定的波长范围内进行扫描: e)用分析纯乙醇和无纺布将加工好的样品表面擦拭干净: f)打开样品室,放人待测样品,以其40mm×40mm面垂直对准光路,关闭样品室后开始测量 g)读取测得的样品的光学透过率T; 更换下一个样品,重复A.5f)、g)中的方法,检测并记录所有样品480nm处的光学透过率T 记为T;。

b)将测量模式设为测定光学透过率,且根据需要设定波长测量范围; 调整光路以确保光全部进入积分球内; )自动调零后,在设定的波长范围内进行扫描; e)用分析纯乙醇和无纺布将加工好的样品表面擦拭干净: f)打开样品室,放人待测样品,以其40mm×40mm面垂直对准光路,关闭样品室后开始测量; g)读取测得的样品的光学透过率T; 1 更换下一个样品,重复A.5f)、g)中的方法,检测并记录所有样品480nm处的光学透过率T 记为T:

计算过程如下: a)从T,,T2,T3...T,中找到最大值Tmx; b)从T,,T2,T...T,中找到最小值Tmin c) 按照式(A.2)计算T,的算术平均值Tave; d 将最大值Tmax、最小值Tma和算术平均值Taw带入到式(A.1)中,计算其光学透过率不均匀 性TNU

式中: T:—第i个检测样品在480nm处的光学透过率; 一检测样品的数量

式中: T:——第i个检测样品在480nm处的光学透过率 检测样品的数量

从批量锗酸铋闪烁晶体中,挑选出外观质量合格的晶体,并按以下步骤制作加工参比样品 a)在外观质量检验合格的产品上截取大于40mmX40mmX30mm的晶块; b) 将晶块置于烘箱中退火(2h从室温升至200℃士5℃,保温4h后自然降至室温); C 取出后,将每只晶块的两个40mmX40mm的面抛光,其余面磨砂,抛光面的粗糙度Ra≤ 0.05μmDB13(J)∕T 217-2017 医院建筑能耗监管系统技术规程,加工成40mm×40mm×30mm的样品,尺寸公差为±0.04mm; d 退火后的样品应避光加工和存放,避免紫外光和其他高能粒子的照射

参比样品应满足表B.1中的性能指标。

表B.1锗酸铋闪烁晶体参比样品的性能指标

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