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GB／T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法简介：
GB/T 37131-2018《纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法》是中国国家标准，它规定了半导体纳米粉体材料在紫外-可见光谱区域的漫反射光谱的测试方法。这个标准适用于半导体纳米粉体材料的光谱特性研究，包括其光学吸收、反射和散射等特性。
具体测试方法简介如下：
1. 测试样品准备：首先，需要制备均匀的纳米粉体样品，确保样品的纯度和一致性。样品的形态可以是粉末、溶液或者薄膜等，根据测试需求选择合适的形式。
2. 光谱仪设置：使用紫外-可见光谱仪，其波长范围通常在200-800纳米之间，根据半导体纳米粉体的吸收特性进行调整。设置漫反射模式，确保光照射在样品表面并反射进入光谱仪。
3. 测试过程：将样品在光谱仪的入射光下均匀分布，然后测量其反射光谱。记录反射光的强度随波长的变化，通常以反射光密度或吸光度为单位。
4. 数据处理：对收集到的光谱数据进行处理，包括基线校正、背景扣除等，以得到准确的光谱信息。
5. 结果分析：根据光谱曲线分析半导体纳米粉体的吸收峰位置、峰宽、峰面积等参数，这些参数可以反映其光学性质，如带隙宽度、能带结构等。
总的来说，这个标准提供了一种标准化的方法来测量半导体纳米粉体材料的光谱特性，对于纳米材料的研究和应用具有重要意义。
GB／T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法部分内容预览：
参比白板referenceofwhitetitle 反射比高、光谱选择性小的近似各向同性漫反射体。 3.7 禁带宽度energygap 带隙bandgap 半导体中电子两相邻允许基本能带相隔的能量范围。 注1：通常半导体材料禁带宽度是指价带顶到导带底的间隔值，常用符号E。或ε。表示，单位为电子伏特（eV） 注2：改写自SJ/T11067—1996，定义2.1。 3.8 T1
GB/T3Z1312018
积分球是一个金属空心球，内壁涂有高反射率材料（见图2）。参比光束与样品光束分别照射到参 比白板与样品上，经过漫反射进人积分球内部。光束在球内经多次漫反射，形成一个理想的漫射源，可 以消除被测样品与探测器件受光面的不均匀性带来的影响，以及测试中偏振的影响。 注：高反射率材料一般为Al.O、BaSO、MgO或聚四氟乙烯
GB∕T 32981-2016 墙体材料当量导热系数测定方法样品池直径大于2cm
包括以下内容： a） 自制白板：取AlO：、BaSO、MgO或聚四氟乙烯四种材料之一放人样品池中并填满，用玻璃 棒压实，使其表面平整光滑； b 商用白板：表面干净，平整光滑： C）自制白板与商用白板均应计量检定后使用
应采用JJG178,JJF1232中仪器的校准方法对设备进行校准
包括以下内容： 样品要充分干燥、保持粉体状态，如果有结块可进一步研磨成粉体； 样品用量应不低于20mg 样品压制：对于普通的粉末样品池，将样品充满整个样品槽，用玻璃棒压实，使其表面平整光 滑；对于特制的样品池，把样品均匀铺在样品池表面，用石英片或玻璃棒将其压实压平。
宜采用如下测试条件： 光源：氛灯与钨灯； b） 波长范围：200nm~800nm； 环境条件：温度20℃～25℃，相对湿度不大于85%； d) 扫描步长：小于1nm； 狭缝宽度：2nm~8nm； f) 样品用量：不低于20mg
GB/T3Z1312018
附录A （资料性附录） 金红石型纳米氧化钛带隙宽度值的计算
DB33∕T 1200-2020 园林工程技术规程A.2纳米TiO,带隙宽度值的计算
式中： k一斜率。 由图A.3得到a点横坐标为3.37，纵坐标值为11.74，两值分别对应图A.2中a点的横坐标与切线 的斜率k值。图A.2中，已知a点的横坐标，可知其纵坐标值为2.07。将a点的坐标值以及k值代人 式（A.1)，得到C=一37.49.因此式（A.1)表达为式（A.2)
图A.2中，b点的纵坐标为0，由式（A.2)得到其横坐标=3.19，即纳米TiO2的带隙宽度 E=3.19eV 上述计算过程可参见参考文献[8]~[10]
GB/T3Z1312018
针对主要操作参数对分析结果的影响进行了说明数据中心场地基础设施运维管理标准（2015首次发布），主要包括样品用量、扫描步长和狭缝宽度的 介绍。
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图B.2纳米ZnO不同扫描步长的紫外 反射光谱与带隙值变化图