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DB3603T 4-2022 电瓷用半导体釉制作技术规范.pdf简介：

DB3603T 4-2022 是一个中国电瓷行业关于电瓷用半导体釉制作技术的具体规范标准。这个标准可能涉及到以下几个方面：

1. 定义与范围：该规范可能明确了电瓷用半导体釉的定义，适用的电瓷产品类型，以及对半导体釉在电瓷产品中的应用要求。

2. 原材料要求：对制作半导体釉所使用的原材料，如瓷土、氧化物、颜料、溶剂等的质量、性能和来源提出规定。

3. 配方技术：规定了半导体釉的化学配方，包括各成分的配比，以及如何通过精确的配比达到预期的电性能和物理性能。

4. 生产工艺：对电瓷用半导体釉的制备过程，包括粉碎、混合、烧制等各步骤的技术要求和工艺参数。

5. 性能检测：规定了半导体釉的性能检测方法，如电阻率、耐热性、抗氧化性、导电性等的测试标准。

6. 安全环保：可能涵盖生产过程中的环境保护措施和安全操作规程。

7. 质量控制：对生产过程的监控、成品检验和质量保证体系提出要求。

总之，DB3603T 4-2022 是为了确保电瓷用半导体釉的生产质量，保证电瓷产品的性能稳定和可靠性，同时也对行业的健康发展起到规范作用。如果你需要更详细的资料或解读，建议查阅正式的行业标准文本或联系相关机构。

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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T772高压绝缘子瓷件技术条件 GB/T8411.1陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分：定义和分类 GB/T31838.3固体绝缘材料介电和电阻特性第3部分：电阻特性（DC方法）表面电阻和表面电阻率

球磨ballmilling

GB／T 41492-2022 城市轨道交通浮置板用橡胶弹簧隔振器.pdfDB3603/T42022

利用下落的研磨体的冲击作用以及研磨体与球磨机器内壁的研磨作用而将物料粉碎并混合的工序 3.5 陈腐hackneyed 将混合好的釉料在一定的温度和潮湿封闭的环境中放置一段时间，使釉料之间充分反应和混合均 匀，以提高可塑性、均匀性及结合力的工艺。 3.6 孔隙porosity 材料中存在的孤立或连续的空洞，通常为不连续的气孔。 3.7 表面电阻率surfaceresistivity 在绝缘材料的表面层理的直流电场强度与线密度之商。 3.8 泄漏电流Ieakagecurrent 运行电压下受污表面受潮后流过绝缘子表面的电流。 注1：它是电压、气候（大气压力、温度、湿度等)、污秽三要素综合作用的结果，是动态参数。

将混合好的釉料在一定的温度和潮湿封闭的环境中放置一段时间，使釉料之间充分反应和混合 以提高可塑性、均匀性及结合力的工艺。

4.1.1基础釉用原料

长石、石英、 长丰泥、淘洗宜春土、淘洗江门土、烧滑石、硅灰石、章村土

4.1.2导电粒子用原料

碳酸钡、硅酸锆、二氧化锰、三氧化二铁、二氧化铬、二氧化锡、三氧化二锑、二氧化钛、 一住

4.2.1.1生产设备包含但不限于球磨机、除铁器、振动筛、搅拌机、施釉机、补水机等。 4.2.1.2设备选型要求应依据厂家工艺和产能要求确定

比重杯、粘度计、激光粒度分析仪、百分厚度仪、计时器、称量器等检测设备应适用于生产和计量 检测要求。有关检测项目对应检测设备参考如下： 一一釉浆水分应采用比重杯； 一一粘度应采用粘度计； 研磨粒度应采用激光粒度分析仪； 釉浆性能应采用比重杯和粘度计； 釉层厚度宜采用百分厚度仪。

4.2.3制作主要过程

.1.1基础釉用原料要求

原料成分比应符合表1和5.1.2要求。

原料成分比应符合表1和5.1.2要求。

图1半导体釉主要制作工艺路线图

表1基础釉用原料要求

：1.2导电粒子用原料

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球石与原料按配料要求比例装入球磨机进行研磨一定时间形成釉浆，出磨前检测粒度，合格后过筛 除铁并进行陈腐，试烧对比标准样后进行批量制成

球石清理后宜按Φ15/Φ20/Φ25/Φ30cm规格及20：30：30：20体积比准备，配料中的料球水比例 宜按1：1.6：0.6~0.8并适时调整保持一定稳态。

5.2.3.1球磨时间

采用球磨机研磨，球磨时间宜结合粒度和细度要求进行适时调整，粒度和细度要求如下： 激光粒度应不大于10um； 球磨细度先过60目筛，用325目筛余量宜在0.02~0.08%范围内，

5.2.3.2铁点检查

5.2.3.2.1研磨放浆前应通过2道200目的筛网后进行铁点检查。 5.2.3.2.2铁点检查采取抽样方式，每池搅拌均匀后抽取5Kg浆料，过200目筛后铁点数每0.5mm范 围内不大于5个。

5.2.4.1釉浆水分

釉浆水分控制比例要求详见附录A。

5.2.4.3高温流动度

高温流动度不小于45mm

高温流动度不小于45mm

釉料要求陈腐时间宜不少于1d。

试烧后应光滑平整、无色差，与标准样块目测对比应无明显差异

釉浆调制后通过浸、喷、淋等动作手段进行施釉形成釉坏

5.3.2.1坏体表面打磨干净，根据需求方图纸要求对所需部位进行施釉作业。 5.3.2.2施釉前釉浆搅拌宜不小于0.5h，釉浆性能检测应符合附录B要求。 5.3.2.3施釉过程中应持续搅拌，釉层厚度依据客户订货技术条件确定。

半导体釉烧成温度宜保持在1220~1280C范围内。

釉面进行孔隙性试验后不应有任何渗透现象，试验方法按照GB/T772规定执行

釉面应平整均匀，无釉滴、回头釉、缺釉、粘硅和其它附着杂质等釉面缺陷，其它釉面缺陷应符合 GB/T772规定的要求

试验采用瓷件上法兰端接高压（额定运行电压），下法兰接地进行检测，以客户订货技术条件为准， 泄漏电流宜在1.0士0.5mA范围内。

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附 （规范性附录） 制釉工序控制参考项目

表A.1对部分制釉过程给出了参考性要求。

DBJ∕T 13-154-2012 城市园林绿地养护质量标准表A.1制釉工序控制参考项目

施釉工 表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。

附 录 B （规范性附录） 施釉工序控制参考项目

表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。

浙江省居民住宅区公共文化设施配套建设标准（建规发[2018]349号 浙江省住房和城乡建设厅等4厅局2018年12月31日）表B.1 施釉工序控制参考项目

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