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GB／T 41041-2021 宇航禁限用元器件控制要求.pdf简介：

GB/T 41041-2021，《航天禁限用元器件控制要求》是中国航天领域的一项重要标准，其主要内容是规定了航天器设计、制造、使用过程中对特定元器件的控制要求。这项标准旨在确保航天器的安全、可靠性和稳定性，避免使用可能对航天任务造成影响的禁限用元器件。

具体来说，该标准可能包括以下内容：

1. 禁限用元器件清单：列出在航天活动中禁止或限制使用的元器件类型，如可能存在安全隐患、无法满足航天环境严苛要求的元器件。

2. 元器件选择标准：规定了元器件在航天领域的选择标准，包括但不限于元器件的性能、可靠性、寿命、电磁兼容性、安全性等方面。

3. 制造和测试要求：对元器件的制造过程和质量控制提出了严格的要求，确保元器件的性能稳定，符合航天任务的需求。

4. 使用和管理规定：规定了航天器上元器件的使用、更换和维护管理流程，确保元器件在整个生命周期内的合规性。

5. 技术更新与风险管理：要求定期评估和更新禁限用元器件清单，以及对未知或新出现的元器件风险进行管理。

总的来说，GB/T 41041-2021 是航天工业对元器件使用的一项重要规范，旨在保障航天器的安全和任务成功。所有涉及航天的机构和企业必须遵循这一标准。

GB／T 41041-2021 宇航禁限用元器件控制要求.pdf部分内容预览：

本文件没有需要界定的术语和定义

下列缩略语适用于本文件， BGA：球栅阵列(BallGrideArray) LCCC：无引线陶瓷片式载体（LeadlessCeramicChipCarrier） PCB：印刷电路板（PrintedCircuitBoard) SiP：系统级封装（SysteminPackage) TO：晶体管封装（TransisitorOutline）

元器件禁限用控制要求的基本原则如下： a）元器件禁限用控制要求应贯彻于元器件需求分析、设计制造、选用、评价验证以及质量保证等 全过程； 6） 禁限用要求与元器件的具体应用环境密切相关，在判定元器件禁限用前应结合应用环境进行 充分分析； C） 经分析为禁用元器件，控制原则应为宇航装备禁止使用； d）经分析为限用元器件，控制原则应为在特定条件或者范围内，经充分验证并通过批准后可

DB15／T 944-2015 风蚀坑治理技术规程.pdfGB/T41041202

使用； e） 新设计产品应避免采用限用元器件；沿用设计采用限用元器件的，应进行分析，需要更改的，按 照技术状态更改程序进行控制；已选用限用元器件的宇航产品，应对产品质量状态进行验证 验证合格后方可应用于宇航装备飞行试验或交付： 宇航装备研制各阶段应对元器件禁限用进行识别，分析宇航应用存在的风险，制定风险控制措 施，明确责任部门或机构，通过审批或评审等方式进行确认； 各单位应建立元器件在材料、结构、工艺等方面的宇航禁限用清单指导生产

4.2元器件技术委员会

元器件禁限用控制要求的元器件技术委员会要求如下： a）元器件使用单位应成立元器件技术委员会，负责本单位禁限用元器件的技术状态控制； D 负责对用于本单位关键或核心部位的宇航限用元器件选用和风险控制措施进行最高技 决策。

4.3元器件禁限用清单

元器件禁限用控制要求的元器件禁限用清单要求如下： a）元器件禁限用清单是宇航装备研制各阶段实施元器件禁限用控制的技术依据： b）各单位应建立元器件禁限用清单指导生产：

5.1元器件研制需求分析

元器件禁限用控制要求的元器件研制需求分析一般可从以下方面开展。 元器件研制单位应建立元器件需求定义文件，对宇航应用环境可能对元器件设计制造的禁限 用要求进行分析，提出禁限用要求 b 元器件研制单位应至少进行以下方面的宇航禁限用需求分析工作，并形成书面文件： 1）元器件应用所处位置的空间环境，包括运行轨道、空间辐射环境、真空、温度等； 2）元器件工作寿命及可靠性要求； 3） 元器件所处位置的散热方式： 4）元器件所处位置的力学特征； 5） 元器件的装联方式和工艺； 6） 涉及载人航大器有人坏境下对有毒有害物质的要求； 元器件的贮存环境和贮存周期： 8 元器件的包装和转运要求等 元器件研制单位应进行宇航禁限用风险评估，主要工作为： 1）通过风险评估，识别可能存在的风险。对于存在宇航禁用风险的元器件，应更改设计。

元器件禁限用控制要求的设计制造一般可从以下方面开展

前应根据元器件相关可靠性数据并结合具体使用状态及风险承

5.3.2禁用元器件选用审查

元器件使用单位在宇航装备方案设计和初样研制阶段应组织进行本单位元器件选用审查，识别出 选用的禁用元器件，并进行改型，

5.3.3禁用元器件审查意见落实

元器件禁限用控制要求的禁用元器件审查意见落实如下， a）元器件技术委员会应对选用禁用元器件的改型提供技术支持； D 元器件使用单位在宇航装备方案设计或初样研制阶段应进行元器件状态检查，对禁用元器件 的改型意见落实情况进行汇总和确认

5.3.4限用元器件选用审查

元器件使用单位在手 件选用审查，对 限用元器件提前识别.如无替代 行风险评估

5.3.5限用元器件申报和审批

元器件禁限用控制要求的限用元器件申报和审批如下： a）元器件使用单位应对使用的限用元器件向元器件技术委员会进行申报，明确限用元器件使用 情况和采取的针对性措施； b）元器件技术委员会应对使用的限用元器件进行技术把关，结合元器件质量保证经验和型号使 用经历，提出相应的审批意见

5.3.6限用元器件审批意见落实

元器件禁限用控制要求的限用元器件审批意见落实如下

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b）元器件使用单位应在方案设计或初样阶段进行限用元器件过程确认，对限用元器件的审批和 意见落实情况进行汇总和确认： 元器件技术委员会应在型号研制过程中对本单位使用的限用元器件开展复核复审工作，重点 审查风险分析是否全面到位，审查会议待办事项 否落实，审批意见是否落实等

元器件禁限用控制要求的应用验证如下。 a）元器件评估。对采用新设计、新工艺或新材料的元器件，应针对性开展一系列试验、分析工作， 以评价元器件的研制成熟度并指导选用，按照GB/T29074执行。评价工作一般包括以下 内容： 1）功能性能分析。应在不同的工作条件（如温度、频率、电源电压、输入电平、负载等）下开展 元器件测试覆盖性分析，测试应包括针对结构和系统应用的测试向量，给出测试覆盖性分 析报告，应统计一定数量器件的测试结果。 2） 结构分析。应针对元器件的代表样品进行结构分析，包括破坏性和非破坏性检验、分析和 试验。通过结构分析技术可有效地识别元器件的宇航禁限用设计、材料、结构、工艺和潜 在应用风险。 3 评估试验。应通过耐久性试验、机械应力、环境应力、抗辐射能力评估等手段对元器件宇 航应用的潜在失效模式和薄弱环节进行暴露。 b）元器件验证。对采用新设计、新工艺或新材料的元器件，在评估的基础上，元器件使用单位应 结合具体应用条件和环境，考虑元器件可能存在的失效机理和宇航禁限用案例，制定针对性验 证方案，开展一系列试验、分析和验证工作并出具验证报告和应用指南，以评价元器件的宇航 应用成熟度或全航产品可用性并指导选用

质量保证机构依据元器件使用单位采购技术协议或合同要求，对拟用于宇航装备的元器件是否存 在宇航禁限用限制要求进行符合性判别，并向元器件使用单位明示

6宇航禁限用元器件清单管理

宇航禁限用元器件清单管理的识别原则如下： a 出于健康和安全性考虑，含有可能导致安全性危险材料的元器件； b 可靠性可疑元器件： C 由于寿命有限，已知不稳定、存在安全性风险或可靠性风险的元器件； d）存在机械应力敏感、耐温等级低等不满足航天器高可靠要求的元器件

宇航禁限用元器件清单管理的识别来源如下： a）元器件生产制造、评价与验证过程中发现符合禁限用元器件识别原则的元器件： b）元器件使用过程中（如失效分析）发现符合禁限用元器件识别原则的元器件；

c）经国内外宇航机构或元器件研制单位等公开发表的禁限用元器件的相关信息。

6.3禁限用元器件清单编制

收集元器件便 的禁限用信息，编制禁限用元器 禁限用元器件清单见附录A，

6.4禁限用元器件清单评审

用元器件清单编制部门应组织对禁限用元器件清

GB 18583-2008 室内装饰装修材料 胶粘剂中有害物质限量6.5禁限用元器件清单发布

6.6禁限用元器件清单更新

禁限用元器件清单应结合实际情况进行动态更

GB/T410412021

宇航禁限用元器件清单示例

禁限用元器件通用示例如下。 a）内部采用低温焊料的元器件，其粘接合金的熔化温度不满足宇航应用的最终安装使用条件，外 界的环境应力可能会导致内部粘接合金的熔化，从而导致芯片或内部元件脱落。因此，内部焊 接用焊料温度低于安装使用条件的元器件禁止使用 镉、锌材料在真空下存在升华向题，材料的升华容易造成污染和不同电位之间的绝缘降低同 题。因此，采用纯镐、锌作为引线和外表面镀层的元器件禁正使用。 纯锡（铅质量分数小于3%)材料会生长锡须，锡须易导致金属多余物短路等问题，对设备危害 巨大。因此，内部空腔使用纯锡的元器件禁止使用，纯锡、锡铈合金作为引线和外表面镀层的 元器件限制使用。 d）由于无钝化层保护，芯片易吸附杂质，导致半导体芯片电性能异常。因此，有源区未钝化的半 导体芯片禁止使用。 在非刚性引线的内镀层化学镀镍，化学镀镍性脆，弯折应力易使镀镍层脱落，导致多余物短路 等问题。因此，非刚性引线内镀层采用化学镀镍工艺的元器件禁止使用。 锗半导体器件极限结温较低。因此，锗半导体器件禁止使用。 在镀金层上使用铅锡焊料，焊接过程中金与锡会形成金属间化合物，导致纯铅的析出，纯铅容 易生长铅须，铅须容易造成绝缘下降或短路。因此，内部存在铅质量分数>50%的铅锡焊料与 金直接焊接工艺的元器件限制使用。 金铝键合在长期使用和贮存后，金和铝之间会生成一系列金属间化合物，这些化合物的导 电性能差，高温下金向铝中迅速扩散，造成键合点附近出现空洞，导致键合点出现高阻或者 开路失效，贮存可靠性差。因此，芯片键合区采用金属材料不同的键合工艺的元器件限制 使用。 1） 含有氧化镀、镉、锂、镁、汞等有毒或有害元素的元器件，可能导致人身健康损伤。因此，出于健 康和安全性考虑，在针对此类器件开展选用或者质量保证的过程中，注意人身安全。 梁式引线结构元器件抗机械应力性能差。因此，梁式引线结构元器件限制使用。 k 由于塑封料材料的吸潮特性，可能会出现塑封料和引线框架、芯片间的分层或电装加热过程中 出现“爆米花”效应等。因此，塑封料封装元器件限制使用

A.2.2半导体分立器件

电阻器详细示例如下。 ）空心电阻器在低气压下会出现辉光放电问题。因此，空心电阻器禁止使用。 表面保护涂层未全部覆盖金属薄膜的陶瓷基体薄膜固定电阻器禁止使用。 膜层厚度不够，易出现机械操作损坏，且电阻膜的负荷能力不够易导致电阻器开路。因此，电 阻膜厚度低于35nm的片式电阻器禁止使用。 1 碳膜电阻器禁止使用。 银或银钯引线片式电阻器对于焊料浸析能力差。因此，采用银或银钯作为引线的片式电阻，如 果焊料和引线之间没有镍或铜的浸析阻挡层，禁止使用。 锡焊熔点低，受热熔化后造成电阻器开路。因此，内部采用锡焊工艺的功率线绕电阻器禁止 使用。 挤压连接抗力学性能差。因此，挤压连接的线绕电阻器禁止使用。 电阻丝过细BS DD CEN∕TS 1992-4-3-2009 混凝土用紧固件的设计.锚固槽钢，容易断裂。因此，绝对线径小于2.5um的线绕电阻器禁止使用。 可调电阻器在复杂的环境应力下可能会出现意外的不稳定或变化。因此可调节电阻器限制 使用。