GB／T 39131-2020 标准规范下载简介

GB／T 39131-2020 人工晶体材料术语.pdf简介：

"GB/T 39131-2020 人工晶体材料术语"是中国国家标准，全称为《人工晶体材料术语》。这份标准主要规定了人工晶体材料的专业术语和定义，旨在为人工晶体材料的生产、科研、教学、检验和国际贸易等领域提供统一的术语和概念，以确保信息的准确性和一致性。人工晶体材料通常指通过人工方法合成的具有晶体结构的非生物材料，常用于眼科手术中的人工眼晶状体、光学器材、电子器件等领域。该标准的发布，对于规范行业内的交流和理解，推动人工晶体材料技术的发展具有重要意义。

GB／T 39131-2020 人工晶体材料术语.pdf部分内容预览：

本标准界定了人工晶体材料基本术语、分类、生长、检测和表征以及加工和后处理方面可通用的术 语和定义。 本标准适用于人工晶体材料及其相关应用领域

晶体crystal 内部质点（原子、离子或分子）在三维空间作周期性排列所形成的固态物质。 2.2 天然晶体 naturalcrystal 在自然界天然形成的晶体。 2.3 人工晶体 syntheticcrystal 利用人工方法制备出的晶体。 2.4 单晶 singlecrystal 具有一个连续的晶体结构的物质。 2.5 多晶 polycrystal 由两个或多个单晶构成的物质。 2.6 晶体结构 crystal structure 晶体中质点按一定对称性周期性重复而形成的空间排列形式。 2.7 晶胞 unitcell 能够反映晶体对称性和周期性的最小重复单元 2.8 晶系 crystal system 根据晶体含有的旋转轴划分的体系 注：按晶体对称性高低分为7个晶系：等轴（立方）晶系、六方晶系、四方晶系、三方晶系、斜方（正交）晶系、单斜晶 系、三斜晶系。 2.9 点群 羊pointgroup 通过一点组合在一起的对称元素的所有对称操作的集合。 注：按其对称性要素分为32个独立的点群

《聚苯模板混凝土楼盖技术规程 CECS378：2014》晶体crystal 内部质点（原子、离子或分子）在三维空间作周期性排列所形成的固态物质。 2.2 天然晶体 naturalcrystal 在自然界天然形成的晶体。 2.3 人工晶体 syntheticcrystal 利用人工方法制备出的晶体。 2.4 单晶 singlecrystal 具有一个连续的晶体结构的物质。 2.5 多晶 polycrystal 由两个或多个单晶构成的物质。 2.6 晶体结构 crystal structure 晶体中质点按一定对称性周期性重复而形成的空间排列形式。 2.7 晶胞 unitcell 能够反映晶体对称性和周期性的最小重复单元 2.8 晶系 crystal system 根据晶体含有的旋转轴划分的体系。 注：按晶体对称性高低分为7个晶系：等轴（立方）晶系、六方晶系、四方晶系、三方晶系、斜方（正交）晶系、单斜晶 系、三斜晶系。 2.9 点群 pointgroup 通过一点组合在一起的对称元素的所有对称操作的集合。 注：按其对称性要素分为32个独立的点群

式中： d 晶面间距； 人（反）射角： 衍射级数，n取整数1,2,3，； 波长

式中： d 晶面间距； 6 人（反）射角： 衍射级数，n取整数1,2,3，； 波长。

GB/T391312020

稀土晶体rareearthcrystal

稀土元素可以完整占据结晶学结构中某一格点

GB/T 39131—2020

压电晶体piezoelectriccrystal

具有压电效应的晶体。 注：某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在其两个相对表面上出现 正负相反的电荷的现象称为正压电效应。当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场 去掉后，电介质的变形随之消失的现象称为逆压电效应。正压电效应和逆压电效应总称为压电效应

氨热法ammonothermalmethod 在密封的压力容器中，以液氨为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的 方法。

溶液或熔体对流的晶体生长方法

GB/T391312020

激光加热基座法laserheatingpedestalgrowthmethod 利用激光辐射被原料吸收产生的热量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作为基体支撑熔体，熔体 和籽晶接触形成固/液界面，向上牵引籽晶进行晶体生长的方法。 4.1.11 冷世锅注caldcaaihlemethaod

利用激光辐射被原料吸收产生的热量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作为基体支撑熔体，女 籽晶接触形成固/液界面，向上牵引籽晶进行晶体生长的方法。

加热原料中心形成熔区，原料外围有水冷系统，自然形成硬壳作为熔体埚，通过缓慢降温或移动 埚实现晶体生长的方法。 4.1.12 连续加料提拉法continuouschargingCzochralskimethod 提拉法生长晶体，按照晶体生长速度不断补充所消耗的原料，维持生长体系处于稳定状态的晶体生 长方法。 4.1.13 泡生法Kyropoulos method 将籽晶与熔体接触，以极缓慢的速度向上拉升，待熔体与晶种界面的凝固速率稳定后，籽晶便不再 拉升和旋转，逐渐降低熔体的温度，使晶体从上往下凝固成一整个单晶的方法。 4.1.14 气相外延vaporphaseepitaxy 将蒸汽状态的原料通过化学反应或冷凝沉积在衬底上，生长出具有特定方向晶体的方法。 4.1.15 区熔法zonemeltingmethod 移动多晶料棒或加热器，使熔区不断向低温区移动，结晶生长出晶体的方法。根据区熔方向的不同 分为水平区熔法和垂直区熔法。 4.1.16 热交换法heatexchangemethod 利用热交换器在晶体生长区内形成一个上热下冷的纵向温度梯度，增不做任何方向的移动，熔体 在埚内直接凝固成晶体的方法。 4.1.17 溶剂热法solvothermalmethod 以非水溶剂为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的方法。 4.1.18 溶剂挥发法solventevaporationmethod 借助溶剂挥发，使溶液达到一定的过饱和度，由过饱和溶液中生长晶体的方法。 4.1.19 溶液法solutionmethod 将原料溶解在溶剂中形成溶液，保持一定的过饱和度而生长晶体的方法。 4.1.20 水平区熔法 horizontal zonemeltingmethod 沿水平方向使原料棒与被加热形成的熔区相对移动，使熔区从原料棒一端向另一端缓慢移动，并慢 慢冷却，从而生长出晶体的方法。

加热原料中心形成熔区，原料外围有水冷系统，自然形成硬壳作为熔体，通过缓慢降温或 埚实现晶体生长的方法

泡生法Kyropoulosmethod

水热法hydrothermalmethod

GB/T 39131—2020

利用物质较大的正溶解度温度系数，逐渐降低温度，使溶液达到过饱和、溶质不断结晶，由 生长晶体的方法

在一定温度和压力条件下，靠溶剂水的不断蒸发，使溶液达到过饱和状态以析出晶体的方 4.1.24

提拉法Czochralskimethod

由丘克拉斯基(J.Czochralski)发明的生长方法。在一致熔融的熔体中，通过向上提拉籽晶实现 变的晶体生长方法

利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺 注：外延层和晶体衬底是同一种材料的工艺称为同质外延。外延层和晶体衬底不是同一种材料的工艺称为异 外延。

助熔剂法fluxmethod

GB/T391312020

对自由生长的晶体，晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反 比于网面间距，生长速率快的晶面族在最终的形态中消失 4.2.2 掺杂doping 晶体生长时有意地加入少量或微量的其他物质《城镇雨水调蓄工程技术规范 GB51174-2017》，使其固溶到晶体相中，以调节晶体的性能。 4.2.3 层错机制faultmismatchgrowthmechanism 面心立方晶体中，（111)生长面上层错与之相交，在生长面上形成不同高度的亚台阶（永不消失的台 阶源）而不断生长。 4.2.4 倒溶解度retrogradesolubility 在一定水热条件下，某些化合物的溶解度随温度升高而减小的反逆性溶解度。 4.2.5 多尺度结晶multiscalecrystallization 生长界面处溶液/熔体中晶体组成之间不同聚集态的能量分布诱导的结晶过程。 4.2.6 非均匀成核inhomogeneousnucleation 晶体生长过程中，在相界面上诸如外来质点、基底、容器壁或原有晶体表面形成晶核的现象。 4.2.7 非平衡晶体生长形态crystalmorphologyfarfromequilibriumstate 远离晶体生长平衡态的情况下，如果长成籽晶有不止一种形态时，具有较大质量沉积速率的形态是 稳定的。如果最大质量沉积速率形态不止一种时，微观生长动力学对形态选择有决定作用。 4.2.8

对自由生长的晶体，晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反 比于网面间距，生长速率快的晶面族在最终的形态中消失 4.2.2 掺杂doping 晶体生长时有意地加人少量或微量的其他物质，使其固溶到晶体相中，以调节晶体的性能。 4.2.3 层错机制faultmismatchgrowthmechanism 面心立方晶体中，（111)生长面上层错与之相交，在生长面上形成不同高度的亚台阶（永不消失的台 阶源）而不断生长。 4.2.4 倒溶解度retrogradesolubility 在一定水热条件下，某些化合物的溶解度随温度升高而减小的反逆性溶解度。 4.2.5 多尺度结晶multiscalecrystallization 生长界面处溶液/熔体中晶体组成之间不同聚集态的能量分布诱导的结晶过程。 4.2.6 非均匀成核inhomogeneousnucleation 晶体生长过程中，在相界面上诸如外来质点、基底、容器壁或原有晶体表面形成晶核的现象。 4.2.7 非平衡晶体生长形态crystalmorphologyfarfromequilibriumstate 远离晶体生长平衡态的情况下，如果长成籽晶有不止一种形态时，具有较大质量沉积速率的形态是 稳定的。如果最大质量沉积速率形态不止一种时，微观生长动力学对形态选择有决定作用。 428

分凝系数segregationcoefficient

从溶液或熔体中生长晶体时，当固、液（或熔体)两相平衡时，杂质组分在晶体中的溶解度与在灶 的溶解度比值

配位型复杂晶体生长过程中，生长基元往往是负离子配位多面体GB50243-2016通风与空调工程施工质量验收规范附条文，其结晶方位与生长晶体形貌相 关。一般而言，多面体顶角相对晶族显露几率小，往往消失；多面体面对面面族显露面积大，往往顽强显 露：而棱相向的面族，显露几率居中

晶体在恒温和等容的条件下，某一晶面族的生长线速率正比于表面自由能，晶体总表面能最小日 态为晶体的平衡形态。