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GB／T 40577-2021 集成电路制造设备术语.pdf简介：

GB/T 40577-2021 是中华人民共和国国家标准，全称为《集成电路制造设备术语》。这个标准主要定义和解释了集成电路制造设备相关的专业术语和定义，目的是为了统一和规范集成电路制造过程中使用的各种设备及相关技术的表述，便于专业人员之间的沟通和理解，推动集成电路制造业的技术交流和发展。

集成电路制造设备主要包括各种光刻机、刻蚀机、沉积设备、清洗设备、测试设备等，这些都是用于制造微电子芯片的关键设备。每个设备都有其特定的功能和工作原理，了解这些术语对于从事集成电路制造的工程师、研究人员以及相关产业的从业人员来说非常重要。

这个标准涵盖了设备分类、设备功能、操作方法、维护保养等方面，对于提升我国集成电路制造装备技术水平，推动产业进步具有重要意义。

GB／T 40577-2021 集成电路制造设备术语.pdf部分内容预览：

利用溅射薄膜对杂质气体具有极强吸附作用的特性，先向无需溅射薄膜的衬底周围区域溅射适当 材料的薄膜，使之吸附杂质气体，净化溅射气体，然后再对衬底溅射淀积所需材料，以制备纯净薄膜的溅 射淀积设备。

在阴、阳二电极之间加有正负大小不同的交流电压，以使杂质气体原子从淀积薄膜中逸出的纯净薄 膜射频二极溅射淀积设备

等离子体溅射淀积设备plasmasputteringdepositionequipmen

等离子体溅射淀积设备plasmasputteringdepositionequipmen!

用热阴极发射的电子或高频激励等方法使低压情性气体放电DB13(J)T 222-2017 人民防空工程建筑面积计算规范.pdf，形成等离子体的低压、低能、高离子 电流溅射设备

反应溅射淀积设备reactivesputteringdepositionequipment

用荷能氩离子束轰击源材料靶的同时，将反应气体添加到衬底附近，或直接用含有反应离子和氩

子的荷能离子束轰击源材料靶，以在衬底表面淀积源材料反应物薄膜的溅射淀积设备。 8.1.2.11 离子化物理气相淀积设备ionizedphysicalvapordepositionequipment 将从靶材上溅射出来的金属原子通过不同方式使之等离子化，通过调整加载在衬底上的偏压，控制 金属离子的方向与能量，以形成均匀薄膜的溅射淀积设备。 8.2 化学气相淀积设备chemicalvapordeposition（CVD）equipment 通过混合化学气体并发生化学反应，从而在衬底表面淀积薄膜的工艺设备。 8.2.1 常压化学气相淀积设备atmosphericpressurechemicalvapordeposition（APCVD）equipment 在反应气体压力接近大气压力的条件下，将气态反应源匀速喷射至加热的固体衬底表面，使反应源 在衬底表面发生化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备。 8.2.2 低压化学气相淀积设备lowpressurechemicalvapordeposition（LPCVD）equipment 在加热和反应气体压力处于7.6Pa～760Pa的条件下，利用气态原料在衬底表面发生化学反应，反

气态前驱物在等离子体作用下发生离子化，形成激发态的活性基团，活性基团扩散到衬底表面并 化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备

等离子体增强金属化学气相淀积设备plasmaenhancedmetalchemicalvapordepositionequipmen 通过等离子体离子化分解前驱物与加热结合激发化学反应，实现低温低杂质的金属薄膜淀积的 设备

原子层淀积设备atomiclayerdeposition（ALD）equipment 通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种（或多种)前驱物，使得前驱物仅在衬底表面通 过化学吸附发生反应，以准单原子层形式周期性生长，从而在衬底上实现薄膜淀积的设备。 8.2.7 光化学气相淀积设备photochemicalvapordepositionequipment 利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用，实现薄膜生长的化学 气相淀积设备

原子层淀积设备atomiclayerdeposition（ALD）equipment 通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种（或多种)前驱物，使得前驱物仅在衬底表面通 过化学吸附发生反应，以准单原子层形式周期性生长，从而在衬底上实现薄膜淀积的设备。 8.2.7 光化学气相淀积设备photochemicalvapordepositionequipment 利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用，实现薄膜生长的化学 气相淀积设备

电子回旋共振等离子化学气相淀积设备electroncyclotronresonanceCVDequipment

将特定频率微波通过波导管引人等离子共振腔，共振腔由磁场线圈环绕，微波能量被吸收，产生 回旋共振，气体大量电离，产生很高的等离子体浓度，进而在衬底上实现薄膜生长的化学气相淀 备。

GB/T40577—2021

以热能激励适当反应剂发生化学反应，或直接以半导体元素作为原材料，在衬底上按照衬 长单晶薄膜的工艺设备。

气相外延系统vaporphaseepitaxy（VPE）system 使气态化合物经过化学反应，在衬底表面形成与衬底具有相同（或相似)晶格排列的单晶 延设备。

GB/T40577—2021进行吸附、迁移而沿着衬底晶轴方向生长单晶薄膜的外延设备。注：MBE外延具有生长速度低、生长厚度精确可控、生长过程有多种监测方法等优点，但是有设备维护成本高、外延成本高、产量低等缺点，一般用于科研和某些特定材料的制备。8.3.4化学束外延系统chemicalbeamepitaxysystem在超高真空条件下，将血族元素烧基化合物、V族元素氢化物和掺杂剂元素以分子束形式喷射到受热的衬底表面，使其在衬底表面发生化学反应并沿着衬底晶轴方向生长化合物单晶薄膜的外延设备。注：相对于MBE不同的是，化学束外延使用的原材料从元素形式变为气态化合物形式，其余外延条件基本相同。8.3.5离子团束外延系统ionclusterbeamepitaxy(ICBE)system使源材料蒸气在高真空条件下喷射形成松散的原子团，利用加速电子轰击原子团使原子团部分离子化，通过加速电极控制其速度，使其与衬底撞击时碎裂成单个低能原子，在衬底表面形成致密薄膜的外延设备。8.3.6低能离子束外延系统lowenergyionbeamepitaxysystem利用强流离子源产生成膜材料，经加速聚焦成束，用质量分析器从离子束中分离出所需的离子，然后再次聚焦、偏转、减速（由高能变为低能）和中和（由低能离子变为中性原子或分子），在衬底表面形成均匀薄膜的外延设备。9清洗设备9.1干法清洗设备drycleaningequipment在气态环境中去除前一道工序在圆片上产生的微尘颗粒、有机物及金属等异物和沾污的设备。9.1.1等离子体清洗机plasma cleaningmachine利用等离子体产生的活性粒子与圆片表面异物发生化学反应从而去除异物的清洗设备。9.1.2蒸气态清洗机vaporphasecleaningmachine利用汽化的清洗剂去除圆片表面异物的清洗设备9.1.3低温喷雾清洗机cryogenic aerosol cleaning machine将气液并存态的稀有气体经高压喷头喷人相对低压的反应室，使其转化为结晶态的烟雾，与圆片表面异物发生作用而去除异物的清洗设备。9.1.4超临界流体清洗机supercritical fluid cleaning machine在临界温度和临界压力下新建标005-2020 农村生活垃圾收集、转运和处置体系建设标准(新疆).pdf，使用具有液体和气体中间特性状态的流体作为清洗剂，去除圆片表面异物的清洗设备。9.2湿法清洗设备wetcleaningequipment采用特定的化学药液和去离子水，对圆片表面进行无损伤清洗，以去除制造工艺过程中产生的颗23

圆片键合机waferbonder 通过化学或物理反应将圆片与圆片、玻璃或者其他材料永久结合起来的工艺设备。 0.2 圆片临时键合/解键合机temporarywaferbonding/debondingmachine 为了进行减薄及其他一系列工艺处理，将圆片临时键合至刚性承载（玻璃或圆片）衬底上，再通过 分解、光分解、热分解等使临时键合的圆片分离的工艺设备。 0.3 圆片减薄机wafergrinder 利用安装在空气静压电主轴上的金刚石磨轮，磨削吸附在吸盘上的圆片，使圆片厚度变薄的设备 0.3.1 圆片减薄抛光一体机wafergrindingandpolishingmachine 可用同时完成圆片减薄和抛光工艺的设备。

10.7 芯片键合机diebonder 将芯片安装固定在封装基板或外壳预定位置的工艺设备。 注：也称为“粘片机”“装片机”或固晶机”。 10.8 引线键合机wirebonder 利用导电引线连接封装内部芯片焊区和引脚的焊接工艺设备。 注：也称为“球焊机”“压焊机”“焊线机”或“绑定机” 10.8.1 超声引线键合机ultrasonicwirebonder 依靠超声振动能量转换成的热能使金属引线与封装内部芯片焊区和引脚连接的键合机。 10.8.1.1 超声楔焊机ultrasonicwedgebonder 采用楔形劈刀进行压焊的超声引线键合机。 10.8.2 金丝球焊机goldwireballbonder 在适当温度和压力下，使烧成球形的细金丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.8.2.1 热声金丝球焊机thermosonicgoldwireballbonder 压丝劈刀附加有超声振动源的金丝球焊机。 10.8.2.2 无尾金丝球焊机 tailless gold wire ball bonder 焊接后焊点不留尾丝的金丝球焊机。 10.8.3 铝丝球焊机Alwireballbonder 在适当温度和压力下，使烧成球形的细铝丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.8.4 铜丝球焊机 Cu wire ball bonder 在适当温度和压力下，使烧成球形的细铜丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.9 倒装键合机flipchipbonder 使芯片正面朝下，芯片上的凸点直接与封装基板、引线框架或圆片上的焊盘连接的键合设备。 10.10 回流焊炉reflowoven 通过热回流，进行0级封装的倒装芯片锡凸点焊接或者1级封装的器件表面贴装焊接的设备。 注：简称“回流炉”。 10.11 助焊剂清洗机fluxcleaner 用于清洗芯片凸点回流焊接、特殊芯片凸点倒装焊接器件的助焊剂的设备。 10.12 塑封机plastic moldingmachine 利用模塑技术对集成电路芯片进行塑料封装的工艺设备。

在材料制备过程中，对经切割、研磨、抛光或外延加工的品片按相应规范进行机械、电气参数检查

激光差动共焦显微镜laserdifferentialconfocalmicroscope;LDCM 以激光为光源，将光源、样品和探测器三者置于相互共轭的位置，利用差动共焦原 灵敏度的显微镜。

GB∕T 39135-2020 建筑光伏玻璃组件色差检测方法利用透明介质膜双表面反射光所形成的干涉光谱分析计算出圆片上透明介质膜厚度的无 微镜

用四根金属探针同试样表面等距离接触，在给外侧两撤探针通以直流电流后，测量中间两根探针