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GB／T 17626.3-2016 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验.pdf简介：

GB/T 17626.3-2016《电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验》是中国的国家标准，它规定了电子设备在射频电磁场辐射下应具备的抗扰性要求。该标准适用于电子设备在进行设计、生产和测试时，以及在电磁兼容性（EMC）评估中，对设备抵抗射频电磁场辐射的能力进行测试。

具体来说，射频电磁场辐射抗扰度试验主要考察电子设备在高频电磁场环境下，如手机、雷达、无线通信设备等产生的电磁辐射是否会对设备的正常工作产生影响。它包括了各种频率范围的电磁场辐射，如工业、科学和医疗（ISM）频段、电视广播频段、移动通信频段等。

试验内容可能包括设备在不同频率、功率、极化和方向下的辐射抗扰度测试，以检测设备的电磁兼容性，确保设备在复杂的电磁环境中仍能正常运行，不会对其他电子设备造成干扰。试验结果通常以接收机操作指标（ROC）、干扰水平等参数来评估设备的抗扰性能。

总的来说，这个标准是电子设备设计和制造的重要依据，以确保它们在电磁环境中的稳定性和互操作性。

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电磁兼容试验和测量技术

下列术语和定义适用于本文件。 3.1 调幅amplitudemodulation 载波幅度按给定规律变化的过程。 3.2 电波暗室anechoicchamber 安装吸波材料用以降低内表面电波反射的屏蔽室。

新疆维吾尔自治区建筑、安装、市政工程2020费用定额.pdf预带frequency band

两个限定的频率点之间频率延伸的连续区间。 3.10 E 校准用场强。

VmaximmRMS=Vg/(2×√2）=1.8V

相对于调制信号幅度不变的恒包络调制，在调制过程中，若相位突变（180°)时，经过带限处理后导 致非恒包络，此时的信号处理即为非恒定包络调制。 RF调制方案，选择在时间上，载波的幅值相对于其周期变化缓慢的RF调制方案。例如，包括常规 幅度调制及时分多址调制。 3.20 P 产生校准场强所需的前向功率

于调制信号幅度不变的恒包络调制，在调制过程中，若相位突变（180°)时，经过带限处理后导 络，此时的信号处理即为非恒定包络调制。 用制方案，选择在时间上，载波的幅值相对于其周期变化缓慢的RF调制方案。例如，包括常规 及时分多址调制

照射partialilluminat

EUT的被测试面不能完全被UFA所覆盖的试验方法（使用最小尺寸为1.5mX1.5m的UFA

收发机transceiver 共用一个外壳的无线电发射和接收的组合设备。 27 均匀场域uniformfield area；UFA 场校准的假想垂直平面，在该平面内场强的变化足够小。 场校准的目的在于确保试验结果的有效性。见6.2

试验等级在表1中列出。

本部分不建议在整个频率范围内应用单一的试验等级。有关专业标准化技术委员会应为每段需要 试验的频率范围选择适合的试验等级。附录E给出了有关专业标准化技术委员会选择试验等级的指 导意见。 表中试验场强列出的是未调制载波信号的场强。对设备测试时，要用1kHz的正弦波对未调制载 波信号进行80%的幅度调制来模拟实际情况（见图1），详细试验步骤见第8章

推荐下列类型的试验设备： 电波暗室：具有合适的尺寸，能维持相对于EUT来说具有足够空间的均匀场域。局部安装一些吸 收材料可以使室内的反射减弱。 电磁干扰（EM1)滤波器：应注意确保滤波器在连接线路上不致引起谐振效应，

射频信号发生器：产生的信号能够覆盖所有测试的频带，并能被80%调制深度的1kHz正弦波幅 度调制。应有手动控制功能（例如，控制频率，幅度，调制深度），或在带有频率合成器的情况下，它们应 具有频率步进和驻留时间的程控功能。 为了避免谐波导致的问题，必要时采用低通或带通滤波器， 功率放大器：用于放大信号（未调制的和调制的)并提供驱动天线达到所需的场强水平的功率。在 UFA中测得的功率放大器产生的各次谐波场强应比基波场强至少低6dB(见附录D)。 场强发射天线（见附录B)：能够满足频率特性要求的双锥、对数周期，喇叭或其他线性极化天线 系统。 各向同性场强传感器：带有对被测场强有足够抗扰度的前置放大器和光电转换装置及与暗室外的 指示器相连的光缆，其他信号连接方式只要经过充分滤波也是可以使用的。附录1提供了电场探头的 校准方法。 辅助设备：用于记录试验规定场强所需的功率电平和控制产生试验场强的电平。 应注意确保辅助设备具有充分的抗扰度

由于试验所产生的场强高，应在屏蔽室中进行试验，以便符合有关禁止对无线通信干扰的规定。大 多数采集数据的设备对抗干扰试验过程中所产生的电磁场很敏感，因此需要用屏蔽室在EUT与测试 义器之间提供一层“屏障”。应注意确保穿过屏蔽室的连线的传导和辐射有充分的衰减，以保证EUT的信 号和功率响应的真实性。 试验设施为安装有吸波材料的屏蔽室，且屏蔽室应具有足够的空间以安放EUT【通辽市】《城市规划管理办法》（2005年），并对试验场强有 充分的控制能力。包括电波暗室或调整后的半电波暗室，图2给出了一个示例。相关屏蔽室应适合于 安放发生场强的设备、监视设备和遥控EUT的装置。 电波暗室在低频时效果不佳，应特别注意确保低频时产生场强的均匀性。详细导则见附录C

场校准的目的是为确保EUT周围的场充分均匀，以保证试验结果的有效性。本部分中使用“均匀 场域”的概念（见图3)，这是一个场的假想的垂直平面，在该平面中场的变化足够小。在校准过程中，要 求测试装置和设备有产生这样的一个场的能力。同时，得到一个产生抗扰度测试所要求的场强的设置 的数据库。场校准对所有的单个面可以全部被UFA覆盖的EUT都是有效的。 场校准在无EUT的场地上进行（见图3）。在该过程中，UFA的场强和输出给天线前向功率的关 系是确定的。在测试的过程中，前向功率通过这个确定的关系和目标场强计算出来。只要测试布置不 发生改变，该校准是一直有效的。因此应记录校准的布置（天线，增加的吸波材料，电缆等）。尽量准确 地记录天线和电缆位置是重要的。即使是很小的移动也可能对场的分布产生很大的影响，因此在每次 测试时都应使用相同的位置。 用于试验的整个区域的校准应每年进行一次，当室内布置发生变化时（更换吸波材料、试验区域位 置移动、设备改变等)也应进行校准。在每一批试验前（见第8章），应确认校准的有效性。 天线放置的距离应能使UFA处于发射场的主波瓣宽度之内的。场强传感器至少距离场发射天线 1m以上。UFA与发射天线的距离最好为3m（见图3）。该距离是从指双锥天线的中心，或对数周期 天线的顶端，或喇叭天线的前沿，或双脊波导天线的前沿到UFA的距离。校准记录和测试报告中应说 明采用的距离。 除非EUT及其线缆可以被一个小的面积完全照射，否则UFA的尺寸至少为1.5mX1.5m，UFA的 下端距离地面的高度为0.8m。任何情况下，UFA不得小于0.5m×0.5m。在抗扰度测试的过程中， EUT的面应被UFA完全覆盖（见图5和图6）。

为了确定测试的严酷度等级，对于某些接近参考地平面放置的EUT和电缆必须测试，此时还要记 录离参考地平面上方0.4m高处的场强。在校准文件中记录的该数据不用于试验设施适用性判断，也 不纳入校准数据库。 由于半电波暗室地面的反射，很难在靠近参考地平面处建立一个UFA。在参考地平面放置辅助吸 波材料可能解决这个问题（见图2）。 将UFA分割成间距为0.5m的一系列小格（见图4，1.5mX1.5mUFA的举例）。在每个频点，所 有栅格点中有75%的点测得的场强幅值为标称值一0dB～十6dB范围内的值（例如，如果1.5mX1.5m UFA测量的至少16个点中的12个点在容差范围内)，即认为该场是均匀的。对于0.5m×0.5m最小 的UFA，所有4个栅格点的场强值都应在容差范围内。 注1：在不同的频率点，容差范围内的测试点可能不同 一0dB～十6dB作为容差范围，是为确保场强不会在可接受的概率下降到标称值以下。6dB容差 是在实际测试设备中可实现的最小范围。 当频率范围达到1GHz时，容差可大于十6dB，达到十10dB，但是不能小于一0dB，允许调整容差 的频率点数量不得超过整个测试频率点的3%，在测试报告中记录真实的容差。有争议时，优先考虑 0dB~+6dB。 如果EUT需要被照射的表面大于1.5m×1.5m，且UFA最大的尺寸（推荐方法下)不能覆盖，可 对EUT表面进行一系列的照射测试（“部分照射”）。 两者选其一： 辐射天线应在不同的位置进行校准，使得组合后的多个UFA覆盖EUT的表面，然后依次在 这些位置上对EUT进行试验。 一 将EUT移到不同位置，在试验中使EUT的每个部分至少处于UFA一次。 注2：每个天线位置都要求整个区域的场校准。 表2中给出了完全照射和部分照射的概念·以及给出怎样应用的说明

、部分照射和独立窗口法的均匀场

如果只能在某个极限频点（高于1GHz)以下的频段满足本节的要求，例如由于天线波瓣不足以照 射整个EUT，则当高于这个极限频点时，可以使用第二个替代方法一独立窗口法，在附录H中有 详述。 通常按图7所示的布置对电波暗室和半电波暗室进行场的校准。应按下述的步骤用未调制的载波 分别对水平和垂直极化方向进行校准。要求确认功率放大器可以响应信号的调制且在测试过程中不会 达到饱和。确认功率放大器不会达到饱和的推荐方法是：校准用的场强应至少为将要施加给EUT场 强的1.8倍。用E。表示该校准场强，E。为仅校准时施加的场强，试验场强E，不超过E。/1.8。 注3：可使用其他确保不饱和的校准方法。 下述两种不同的校准方法，以1.5m×1.5m的UFA为例说明。这两种方法得出的场均匀性是相 同的。

DB11∕T 997-2013 城乡规划计算机辅助制图标准6.2.1恒定场强校准方法