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中华人民共和国国家标准
低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses-Part 4：Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539．4-2016

发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

中国国家标准化管理委员会

发布日期：2016年04月25日

实施日期：2016年11月01日

前 言

    GB 13539《低压熔断器》目前包括以下6个部分：
    ——第1部分：基本要求；
    ——第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示例A至K；
    ——第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔断器）标准化熔断器系统示例A至F；
    ——第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求；
    ——第5部分：低压熔断器应用指南；
    ——第6部分：太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求。
    本部分为GB 13539的第4部分。
    本部分按照GB/T 1．1-2009给出的规则起草。
    本部分代替GB/T 13539．4-2009《低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》。本部分与GB/T 13539．4-2009相比主要技术变化如下：
    ——增加VSI（电压源逆变器）内容，包括VSI特性、技术要求及试验方法等；
    ——表101“‘gR’和‘gS’型熔断体的约定时间和约定电流”中，“gR”型约定不熔断电流I_nf从1．1_In改为1．13_In；
    ——表102“完整试验清单”中删去了交流No．6～No．10试验，补充了VSI No．21试验，并将脚注a修改为“如果周围空气温度在10℃和30℃之间，孤前I²t特性有效”；
    ——表103“同一熔断体系列中最小额定电流熔断体试验一览表”中删去了交流No．6试验和直流No．11试验；
    ——8．4．3．6“指示装置和撞击器（如有）的动作”增加“指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造厂和用户协商”规定；
    ——将原表106“验证交流截断电流、I²t特性和电弧电压特性试验参数”删去，改为新的表106“VSI熔断体分断能力试验参数”；
    ——附录CC的“CC．3 B型螺栓连接熔断体系统——DIN”和“CC．5 A型接触片式熔断体系统”中增加了“‘gR’和‘gS’型熔断体的约定时间和约定电流”表；
    ——附录CC的北美熔断体系统增加了分断能力试验的恢复电压要求；
    ——附录CC增加了法国的B型圆筒形帽熔断体系统。
    本部分使用翻译法等同采用IEC 60269-4：2012《低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求》。
    与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：
    ——GB/T 321-2005 优先数和优先数系(ISO 3：1973，IDT)；
    ——GB/T 5465．2-2008 电气设备用图形符号 第2部分：图形符号(IEC 60417 DB：2007，IDT)；
    ——GB 13539．1-2015 低压熔断器 第1部分：基本要求(IEC 60269-1：2009，IDT)；
    ——GB/T 13539．2-2015 低压熔断器 第2部分：专业人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示例A至K(IEC 60269-2：2013，IDT)；
    ——GB 13539．3-2008 低压熔断器 第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔断器）标准化熔断器系统示例A至F(IEC 60269-3：2006，IDT)。
    本部分作了下列编辑性修改：
    ——删除国际标准的前言；
    ——图CC．6中右上图有3个“x”剖视符号，2个疑有误，删去；此外右下图中“X详图6)”疑有误，改为“X详图5)”；
    ——CC．6．1中“（见CC．6．4）”疑有误，改为“（见CC．6．3）”。
    本部分由中国电器工业协会提出。
    本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC 340)归口。
    本部分负责起草单位：上海电器科学研究院。
    本部分参加起草单位：上海电器陶瓷厂有限公司、人民电器集团有限公司、好利来（中国）电子科技股份有限公司、西安西整熔断器厂、美尔森电气保护系统（上海）有限公司、浙江正泰电器股份有限公司、浙江西熔电气有限公司、上海西门子线路保护系统有限公司、温州三实电器有限公司、浙江新力熔断器有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司、西安中熔电气有限公司、库柏西安熔断器有限公司、上海电器设备检测所。
    本部分主要起草人：吴庆云、张丽丽、林海鸥、李全安、赖文辉、刘双库、贾炜、李传上、李振飞、周纲、黄旭雄、方径林、郑爱国、石晓光、张懿、易颖。
    本部分所代替标准的历次版本发布情况为：
    ——GB 13539．4-1992；
    ——GB/T 13539．4-2005、GB/T 13539．7-2005；
    ——GB/T 13539．4-2009。

1 总则

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。
    半导体设备保护用熔断体应符合IEC 60269-1：2006所有要求，并且还应符合本部分规定的补充要求。

1．1 范围和目的
    本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。
    注1：此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。
    注2：在多数情况下，组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性，难以作出一般的规定；组合设备是否适合作熔断器底座，宜由用户与制造厂协商。但是，如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件，他们应符合IEC 60269-1：2006的相关要求。
    注3：IEC 60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。
    本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了：
        a)熔断体的下列特性：
            1)额定值；
            2)正常工作时的温升；
            3)耗散功率；
            4)时间-电流特性；
            5)分断能力；
            6)截断电流特性和I²t特性；
            7)电弧电压特性。
        b)验证熔断体特性的型式试验；
        c)熔断体标志；
        d)应提供的技术数据（见附录BB）。

1．2 规范性引用文件
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
    IEC 60269-1：2006 低压熔断器 第1部分：基本要求(Low-voltage fuses-Part 1：General re-quirements)
    IEC 60269-2：2006 低压熔断器 第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示例A至J(Low-voltage fuses-Part 2：Supplementary requirements for fuses for use by authorized persons(fuses mainly for industrial application)-Examples of standardized systems of fuses A to J)
    IEC 60269-3 低压熔断器 第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔断器）标准化熔断器系统示例A至F(Low-voltage fuses-Part 3：Supplementary require-ments for fuses for use by unskilled persons(fuses mainly for household and similar applications)-Ex-amples of standardized systems of fuses A to F)
    IEC 60417 设备用图形符号(Graphical symbols for use on equipment)
    ISO 3 优先数 优先数系列(Preferred numbers-Series of preferred numbers)

2 术语和定义

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

2．2 一般术语
    2．2．101 半导体设备 semiconductor device
        基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种设备。
        [IEV 521-04-01]
    2．2．102 半导体熔断体 semiconductor fuse-link
        在规定条件下，可以分断其分断范围内任何电流的限流熔断体（见7．4）。
    2．2．103 信号装置 signalling device
        作为熔断器的部件，用于向远处发出熔断器动作信号的装置。
        注：信号装置由撞击器和辅助开关组成，也可以由电子装置组成。
    2．2．104 电压源逆变器 voltage source inverter
        VSI
        稳压逆变器。
        [IEV 551-12-11]
        注：也可指稳压逆变器，即该逆变器在提供电流时，其输出电压无任何实质性地改变。
    2．2．105 电压源逆变器熔断体 voltage source inverter fuse-link
        VSI熔断体 VSI fuse-link
        在规定条件下，能分断电压源逆变器内直流侧的电容器放电产生的短路电流的限流熔断体。
        注1：本文件使用缩略语“VSI熔断体”。
        注2：为了在高频下能正常运行，VSI熔断体通常在短路电流下动作，该短路电流由直流侧的电容器通过很低的电感放电所产生。此短路条件导致很高的电流上升率(相当于低的时间常数值，典型值为1ms～3ms)。即使在短路期间，当电流上升时外加电压降低，电源电压仍为直流。
        注3：在某些复合交流驱动运用中，单个输出逆变器可能远离主输入整流器。在这种情况下，相关的故障电路阻抗可能影响熔断体的动作。由此当选择适当的短路保护时，需考虑相关的时间常数和电容器的尺码。

3 正常工作条件

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

3．4 电压
    3．4．1 额定电压
        对于交流，熔断体的额定电压与外加电压有关，它以正弦交流电压的有效值表示。可以假定在熔断体的熔断过程中，外加电压保持不变。验证额定值的所有试验以此为基础。
        注：在很多应用中，在熔断时间的大部分时间内，外加电压相当接近正弦波。但是也有很多场合，此条件得不到满足。
        非正弦外加电压时的熔断体的性能，可以通过对非正弦外加电压的算术平均值与正弦外加电压时比较来进行近似估算。
        对于直流和VSI熔断体，熔断体的额定电压与外加电压有关，它以平均值表示。如果直流电压是由交流电压整流得到的，那么直流电压的波动不应超过平均值的5％或低于平均值的9％。
    3．4．2 工作中的外加电压
        正常工作条件下，外加电压是指当故障电路中电流增加到熔断体将要熔断时的电压。
        对于交流，单相交流电路中外加电压值通常等于工频恢复电压的值。除正弦交流电压，其他交流电压应知道外加电压与时间的函数关系。
        对于单向电压和VSI熔断体，其主要数据有：
            ——熔断体整个熔断时间的平均值；
            ——燃弧末期的瞬时值。

3．5 电流
    半导体熔断体的额定电流是以额定频率下的正弦交流电流的有效值表示。
    对于直流，认为电流有效值不超过额定频率时正弦交流的有效值。
    注：熔体的热反应时间可能很短，以致在这非正弦电流的条件下熔体的熔断不能仅根据有效值电流来估算。这种情况特别出现在频率较低和电流出现较突出的峰值，而峰值间出现相当长的小电流。例如，在变频和牵引的使用场合。

3．6 频率、功率因数和时间常数
    3．6．1 频率
        额定频率是指型式试验中正弦电流和电压的频率。
        注：当工作频率与额定频率相差很大时，用户宜与制造厂协商。
    3．6．3 时间常数(τ)
        对于直流，实际运用中的时间常数应符合表105的规定。
        注1：某些使用场合对时间常数的要求可能超出表的规定。在这种情况下，宜使用经试验证明符合要求并宜标有相应标志的熔断体或用户和制造厂之间达成关于该种熔断体适用性的协议。某些使用场合时间常数明显地低于表中规定值。在这种情况下，外加电压可能高于表105规定的额定电压。
        对于VSI熔断体，实际运用中相当的时间常数应符合表106的规定。
        注2：由于低电感引起高的短路电流上升率，此被视为相当于一个低的时间常数。

3．10 壳内的温度
    熔断体的额定值是根据规定条件而定的，当安装地点的实际情况（包括安装地的空气条件）与规定条件不符合时，用户应与制造厂协商是否需要重新规定额定值。

4 分类

    IEC 60269-1：2006适用。

5 熔断器特性

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

5．1 特征概要
    5．1．2 熔断体
        a)额定电压（见5．2）；
        b)额定电流（见IEC 60269-1：2006中5．3）；
        c)电流种类和频率（见IEC 60269-1：2006中5．4）；
        d)额定耗散功率（见IEC 60269-1：2006中5．5）；
        e)时间-电流特性（见5．6）；
        f)分断范围（见IEC 60269-1：2006中5．7．1）；
        g)额定分断能力（见IEC 60269-1：2006中5．7．2）；
        h)截断电流特性（见5．8．1）；
        i)I²t特性（见5．8．2）；
        j)尺寸或尺码（如适用）；
        k)电弧电压特性（见5．9）。

5．2 额定电压
    对于额定交流电压不超过690V，额定直流电压不超过750V，IEC 60269-1：2006适用；对于更高的电压，可从ISO 3中的R5或R10系列中选取。
    熔断体应有一个交流电压额定值或直流电压额定值或VSI电压额定值，且可有一个或多个这些电压额定值。

5．4 额定频率
    额定频率是指与性能数据相关的频率。

5．5 熔断体的额定耗散功率
    除IEC 60269-1：2006规定外，制造厂应规定额定耗散功率与50％～100％额定电流的函数关系或50％、63％、80％、和100％额定电流时的额定耗散功率。
    注：若要考虑熔断体的电阻值，此值宜根据耗散功率和相关电流的函数关系来确定。

5．6 时间-电流特性极限
    5．6．1 时间-电流特性、时间-电流带
        5．6．1．1 基本要求
            熔断体的时间-电流特性与设计有关，对于给定的熔断体，也与周围空气温度和冷却条件有关。
            制造厂应按8．3规定的条件，提供周围空气温度为20℃～25℃时的时间-电流特性。考虑的时间-电流特性是弧前特性和熔断特性。
            对于交流，是指在额定频率下弧前或熔断时间大于0．1s时的时间-电流特性。
            对于直流，是指在按表105规定的时间常数下弧前或熔断时间大于15τ时的时间-电流特性。
            对于较高的预期电流（时间较短），相同的资料应以I²t特性（见5．8．2）表示。
        5．6．1．2 弧前时间-电流特性
            对于交流，弧前时间-电流特性应以给定频率（额定频率）下对称交流电流值表示。
            对于直流，对相关电路时间超过15τ的弧前时间-电流特性部分特别重要，该部分与同一区域内的交流弧前时间-电流特性相同。
            注1：由于实际使用中遇到的电路时间常数范围比较大，对于时间短于15τ的特性，以弧前I²t特性来表示比较方便。
            注2：选择15τ的数值是为了避免在较短的时间内，不同的电流上升率对弧前时间-电流特性的影响。
        5．6．1．3 熔断时间-电流特性
            对于时间大于0．1s的交流和时间大于15τ的直流，其燃弧时间与弧前时间相比可忽略不计，因此熔断时间相等于弧前时间。
    5．6．2 约定时间和约定电流
        5．6．2．1 “aR”型熔断体的约定时间和约定电流
            见7．4。
        5．6．2．2 “gR”和“gS”型熔断体的约定时间和约定电流
            约定时间和约定电流在表101中规定。

5．6．3 门限
        不适用。
    5．6．4 过载曲线
        5．6．4．1 验证过载能力
            制造厂应标出几组沿着时间-电流特性的坐标点（见5．6．1），这些坐标点已根据8．4．3．4规定程序进行了过载能力验证。
            验证过载能力的坐标点的数量和位置应由制造厂选定。验证过载能力点的时间坐标应选择在0．01s～60s范围内。可根据用户和制造厂之间的协议补充规定其他坐标点。
        5．6．4．2 约定过载曲线
            约定过载曲线是由验证过载能力的坐标点上引出的直线段组成。从每组坐标点上，可引出两条直线：
            ——一条从已验证的坐标点出发，沿着电流为常数而时间坐标递减的方向；
            ——另一条从已验证的坐标点出发，沿着I²t为常数而时间坐标递增的方向。
            这些线段到代表额定电流的直线为止，形成约定过载曲线（见图101）。
            注：实际应用中，经验证的过载能力的点只需要几个就足够了。当经验证过载能力的坐标点数增加时，约定过载曲线将更加精确。

5．7 分断范围和分断能力
    5．7．1 分断范围和使用类别
        第一个字母表示分断范围：
            ——“a”熔断体（部分范围分断能力，见7．4）；
            ——“g”熔断体（全范围分断能力）。
        第二个字母“R”和“S”表示符合本部分的半导体设备保护用熔断体的使用类别。
        “R”型与“S”型相比，动作较快，I²t值较小。
        “S”型与“R”型相比，具有较小的耗散功率，可以提高电缆的利用。
        例如：
            ——“aR”表示保护半导体设备部分范围分断能力的熔断体；
            ——“gR”表示一般用途和半导体保护全范围分断能力的熔断体，具有低的I2t值；
            ——“gS”表示一般用途和半导体保护全范围分断能力的熔断体，具有低的耗散功率值。
        某些“aR”熔断体用于保护电压源逆变器。即使“aR”熔断体通常用于交流，但他们仍需不同地在VSI直流短路条件下进行试验。因此他们的标识仍为“aR”，但它们的直流特性“用于VSI保护”应明显地在制造厂的数据单上表明。
    5．7．2 额定分断能力
        推荐的分断能力为：交流至少50kA，直流至少8kA。
        对于交流，额定分断能力是以在仅含线性阻抗的电路中，在额定频率时外加恒定正弦电压所进行的型式试验为依据。
        对于直流，额定分断能力是以在仅含线性电感和电阻的电路中，外加平均电压所进行的型式试验为依据。
        注：实际应用中，增加非线性阻抗和单向电压器件都可能对分断的严酷性产生有利或不利的重大影响。

5．8 截断电流和I²t特性
    5．8．1 截断电流特性
        制造厂应按IEC 60269-1：2006中图4的例子，提供以双对数坐标表示的截断电流特性，横坐标表示预期电流，如有必要，以外加电压和/或频率作为参数。
        对于交流，截断电流特性应代表在工作中可能出现的最大电流值，它们应与本部分中相应的试验条件有关，例如给定电压、频率和功率因数。截断电流特性按8．6规定的试验进行确定。
        对于直流，截断电流特性应代表工作在时间常数按表105（用于aR、gS和gR熔断体）或表106（用于VSI的aR熔断体）规定的电路中可能出现的最大电流值。对于aR、gS和gR熔断体，在时间常数小于表105规定值的电路中，将超过这些值。制造厂应提供确定较大截断电流特性的有关资料。
        注：截断电流特性随电路的时间常数不同而变化，制造厂宜提供确定特性随时间常数变化的有关资料，至少应提供能确定时间常数为5ms和10ms时的特性变化的有关资料。
    5．8．2 I²t特性
        5．8．2．1 弧前I²t特性
            对于交流，弧前I²t特性应以给定频率（额定频率）时的对称交流电流值表示。
            对于直流，弧前I²t特性应以时间常数按表105（用于aR、gS和gR熔断体）或表106（用于VSI的aR熔断体）规定时的直流电流有效值表示。
            注：对aR、gR和gS熔断体，弧前I²t特性随电路的时间常数不同而变化。制造厂应提供确定特性随时间常数变化的有关资料，至少应提供能确定时间常数为5ms和10ms时的特性变化的有关资料。
        5．8．2．2 熔断I²t特性
            对于交流，熔断I²t将性应在规定的功率因数值下，以外加电压为参数表示。原则上，该特性应以导致最大熔断I²t特性的电流出现的瞬间为基础（见8．7）。电压参数至少应包括100％、50％和25％的额定电压。
            对于直流，熔断I²t特性应在时间常数按表105（用于aR、gS和gR熔断体）或表106（用于VSI的aR熔断体）规定下，以外加电压为参数表示。电压参数至少应包括100％和50％额定电压。较低电压下的熔断I²t特性可以根据直流应用或VSI应用按表105或表106的试验来确定。

5．9 电弧电压特性
    制造厂提供的电弧电压特性应给出以熔断体所在电路的外加电压为函数的电弧电压的最大值（峰值）。对于交流，功率因数值按表104规定；对于直流，时间常数根据直流应用或VSI应用按表105或表106规定。

6 标志

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

6．2 熔断体的标志
    IEC 60269-1：2006中6．2适用，并补充：
        ——制造厂的识别标记和/或代号，从中可以获得IEC 60269-1：2006中5．1．2所列的全部特性；
        ——使用类别，“aR”或“gR”或“gS”；
        ——如下IEC 60417中所示的熔断器(5016)和整流器(5186)标志的组合。

7 设计的标准条件

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

7．3 熔断体的温升和耗散功率
    熔断体应设计成按8．3规定通以额定电流时，不发生超出下列规定的情况：
        ——制造厂规定的熔断体上部最热金属部分的温升极限（见图102和图103）；
        ——制造厂规定的额定电流时的耗散功率。

7．4 动作
    熔断体应设计成可以连续承载不超过额定电流的任何电流值（见8．4．3．4）。
    “aR”熔断体应能分断电流值不大于额定分断能力以及不小于制造厂规定的足够断开熔断体的电流的电路。
    对于约定时间内的“gR”和“gS”熔断体：
        ——当承载不超过约定不熔断电流(I_nf)的任何电流时，熔断体不应熔断；
        ——当承载大于或等于约定熔断电流(I_f)和等于或低于额定分断能力的任何电流时，熔断体应熔断。

7．5 分断能力
    熔断体在不超过8．5规定的电压下，应能分断预期电流处于在7．4规定的电流和额定分断能力之间的任何电路：
        ——对于交流，功率因数不小于表104中规定的对应于预期电流的功率因数；
        ——对于直流，时间常数不大于表105中规定的时间常数；
        ——对于VSI应用，熔断体应能分断在时间常数不大于表106规定值时8．5规定的电流。

7．7 I²t特性
    根据8．7确定的熔断I²t值不应超过制造厂的规定。根据8．7确定的弧前I²t值不应小于给定值（见5．8．2．1和5．8．2．2）。

7．15 电弧电压特性
    根据8．7．5测量出的电弧电压值不应超过制造厂的规定（见5．9）。

7．16 特殊工作条件
    特殊工作条件，例如高的加速度值，用户应与制造厂协商。

8 试验

    除IEC 60269-1：2006规定外，补充下列要求。

8．1 一般要求
    8．1．4 熔断体的布置
        熔断体应无遮盖安装在无通风的场所，除非另有规定，熔断体应垂直安装（见8．3．1）。试验装置的举例见图102和图103。其他类别熔断体的试验装置见IEC 60269-2：2006和IEC 60269-3。
    8．1．5 熔断体的试验
        8．1．5．1 完整试验
            熔断体的完整试验见表102。应测量所有熔断体的内阻并记录在试验报告中。
            熔断体应有一个交流分断能力或一个直流分断能力或一个VSI分断能力。熔断体可有一个或多个上述分断能力。

8．1．5．2 同一熔断体系列的试验
            如果同一熔断体系列中最大额定电流的熔断体已经按8．1．5．1的规定进行过试验，最小额定电流的熔断体已经按表103的规定进行过试验，其他中间额定电流的熔断体的型式试验可以免做。

8．3 温升与耗散功率验证
    8．3．1 熔断体的布置
        试验只需用一个熔断体。熔断体应垂直安装在约定试验装置上，试验装置示例见图102和图103。
        作为约定试验装置组成部分的铜导体的电流密度应不小于1A/mm²、不大于1．6A/mm²。这些数
        值应以熔断体的额定电流为依据而得出。铜导体的宽度和厚度之比：
            ——对于额定电流小于200A，不大于10；
            ——对于额定电流大于或等于200A，不大于5。
        试验过程中周围空气温度在10℃～30℃范围内。
        温升试验时，连接约定试验装置和电源的导线截面很重要。截面应根据IEC 60269-1：2006中表17选择（不包括注），熔断体各边的导线长度至少为1m。
        对用于单独熔断器底座的熔断体，可将熔断体安装在熔断器底座上进行试验，导线根据IEC 60269-1：2006表17选择。在其他情况下，试验应按以上要求进行。
        对特殊熔断体或用于特殊场合的熔断体，约定试验装置不适用时，可根据制造厂的规定进行特殊的试验，所有相关的试验数据应记录在试验报告中。
    8．3．3 熔断体耗散功率的测量
        IEC 60269-1：2006中8．3．3适用，并补充：耗散功率试验在额定频率下，至少在50％、100％额定电流时相续进行。
    8．3．5 试验结果的判别
        熔断体的温升和耗散功率不应超出制造厂的规定。
        试验后，熔断体性能不应有显著变化。

8．4 动作验证
    8．4．1 熔断体的布置
        动作验证时，熔断体的布置应按照8．1．4和8．3．1的要求。
    8．4．3 试验方法和试验结果的判别
        8．4．3．1 约定不熔断电流和约定熔断电流验证
            “aR”型熔断体：
                不适用。
            “gR”和“gS”型熔断体：
                可在低电压情况下进行以下试验：
                    a)熔断体通以其约定不熔断电流(I_nf)，并持续表101中规定的约定时间。在这段时间内，熔断体不应动作；
                    b)熔断体冷却至周围空气温度后，通以约定熔断电流(I_f)。在表101规定的约定时间内应动作，熔断体动作时应没有外部影响或损伤。
        8．4．3．2 额定电流验证（见AA．3．3）
            熔断体按8．3．1要求的试验条件进行试验。
            熔断体需经受100个试验循环，每个循环应包括在额定电流下的0．1倍约定时间的“通电”和同样时间的“断电”。约定时间按表101规定。
            试验后，熔断体不应出现性能变化（见8．3．5）。
            8．4．3．3．1 时间-电流特性
                时间-电流特性的验证可以通过在8．5试验过程中获得的示波图的数据来验证。
                弧前时间从接通电路的瞬间至电压测量装置指示出电弧发生的瞬间来确定。
                以上确定的用对应于预期电流值横坐标来表示的弧前时间应在制造厂规定的时间-电流带之内。
                对于交流，导致实际弧前时间小于额定频率的10个周波的预期电流值至绝热熔化的电流值范围内，应使预期电流是对称的。
                对于直流，交流电流下确定的时间-电流特性可用于时间大于15τ的相关电路。
                对于同一熔断体系列（见8．1．5．2），8．5的完整试验仅需在最大额定电流的熔断体上进行。对于最小额定电流的熔断体，只需验证弧前时间。
                弧前时间-电流特性可以在任何约定电压值和任何线性电路下确定。熔断时间-电流特性需要在适当的电压值和电路特性下进行测定。
        8．4．3．4 过载
            熔断体按8．3．1要求的试验条件进行试验。
            熔断体需经受100个负载循环，每个循环的全部时间为0．2倍的约定时间，每个循环的“通电”时间和试验电流与验证过载能力的坐标点相对应；其余时间为“断电”时间。约定时间在表101中规定。
            试验后，熔断体的性能不应有显著变化（见8．3．5）。
            注：对于弧前时间大于15τ的相关电路，这些试验可以用来验证直流熔断体的过载能力。
        8．4．3．5 约定电缆过载保护试验（仅适用于“gR”和“gS”熔断体）
            对于“gR”和“gS”熔断体，IEC 60269-1：2006适用。
        8．4．3．6 指示装置和撞击器（如有）的动作
            指示装置正确动作的验证与分断能力的验证（见8．5．5）结合进行。
            验证撞击器（如有），应补充一个试品在如下条件下进行试验：
                ——I_2a电流（见表104）；
                ——20V的恢复电压。
            恢复电压值可以超过10％。
            所有试验过程中，撞击器应该动作。
            但是，如果在这些试验的某一项试验中指示装置或撞击器失败，若制造厂能提供证据说明此失败对本型式熔断器来说并非典型，而是由于个别试品缺陷所致，试验才可不被否定。如果发生这种情况，应提供2倍数量的试品用于进行指示装置或撞击器失败的试验项的试验，试验中不应再发生失败。
            指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造厂和用户协商。

8．5 分断能力验证
    8．5．1 熔断器的布置
        除8．1．4和8．3．1规定外，补充如下：
            对于分断能力试验，熔断体的安装应与实际使用情况相似，特别是导线的位置。如果熔断体仅可在一端刚性固定下使用，则试验也应一端刚性固定。若熔断体使用时两端刚性固定，则试验时也应这样安装。

    8．5．5 试验方法
        8．5．5．1 为验证熔断体是否满足7．5的条件，对于交流，“aR”型熔断体应进行下述No．1～No．2a试验，“gR”和“gS”型应进行下述No．1、No．2和No．5试验，除非另有规定，应按表104（见8．5．5．2）规定的值进行试验。对于直流，“aR”型熔断体应进行No．11～No．12a试验，“gR”和“gS”型熔断体应进行No．11、No．12和No．13试验，除非另有规定，应按表105规定的值进行试验。对于VSI熔断体，应根据表106规定的值进行No．21试验。
            对于交流No．1和No．2试验或直流No．11和No．12试验或VSI熔断体No．21试验：对于每一项试验，应用三个熔断体相续进行试验。如果在No．1试验过程中，有些试验满足了No．2试验的要求，这些试验可以作为No．2试验的一部分，无需重复进行。这同样也适用于直流No．11和No．12试验。
            对于交流No．2a和No．5试验、对于直流No．12a和No．13试验：对于交流，试验电流的值在表104中规定。对于直流，试验电流值在表105中规定。对于交流试验，可以在相对于电压过零的任一瞬间接通电路。若试验设备不允许电流在全电压下维持所要求的时间，可以用大致等于试验电流值的电流在低电压下预热熔断器。在此情况下，应在产生电弧之前转换到8．5．2所规定的试验电路中去，并且转换时间T₁（无电流的时间间隔）不得超过0．2s，电流重新出现和开始燃弧之间的时间间隔不得小于3T₁。
        8．5．5．2 对于交流No．2中的一个试验和No．2a或No．5试验、直流No．12中的一个试验和No．12a或No．13试验和VSI中No．21中的一个试验：
            ——对于交流，额定电压为690V的熔断体，恢复电压应保持在100⁺¹⁰₀％额定电压，对于其他熔断体，恢复电压保持在100⁺¹⁵₀％额定电压；
            ——对于直流，恢复电压保持在100⁺²⁰₀％额定电压；
            ——对于VSI，恢复电压保持在100⁺¹⁵₀％额定电压。
            恢复电压至少保持：
                ——熔管或填充料中不含有有机材料的熔断体熔断后时间为30s；
                ——其他情况下，熔断体熔断后时间为5min。如果转换时间（无电压的时间间隔）不超过0．1s，允许15s后转换至另一电源。
            对于所有其他试验，熔断体熔断后恢复电压应按上述规定的数值保持15s。
            熔断体熔断后6min～10min，应测量熔断体触头之间的电阻（见8．5．8）并作记录。如果熔断体的熔管或填充料中不含有有机材料，在制造厂认可下，可以选用更短的时间。

8．5．8 试验结果的判别
        试验过程中，如发生以下一种或几种事故，熔断体则不符合本部分：
            ——熔断体引燃，除任何纸质标签或指示用的类似物外；
            ——约定试验装置的机械性损伤；
            ——熔断体的机械性损伤；
            注：允许熔断体出现热开裂，但仍为一整体。
            ——端帽燃烧或熔化；
            ——端帽的明显移位。

8．6 截断电流特性验证
    8．6．1 试样方法
        对于交流，试验应按表104规定进行。
        对于直流，试验应按表105规定进行。
        对于VSI熔断体，试验应按表106规定进行。
        按8．5进行的试验应按8．6．2进行评估。试验可用于证明同一系列全部熔断体的特性。

8．6．2 试验结果的判别
        对于交流，截断电流特性应由表104规定的No．1和No．2试验进行验证。
        对于直流，截断电流特性应由表105规定的No．11和No12试验进行验证。
        对于VSI熔断体，截断电流特性应由表106规定的No．21试验进行验证。

8．7 I²t特性和过电流选择性验证
    8．7．1 试验方法
        试验方法按8．6．1规定。
    8．7．2 试验结果的判别
        对于交流，I²t特性应由表104规定的No．1和No．2试验进行验证。
        对于直流，I²t特性应由表105规定的No．11和No．12试验进行验证。
        对于VSI熔断体，I²t特性应由表106规定的No．21试验进行验证。
        每个预期电流对应的弧前I²t值不应小于制造厂的规定值。
        每个预期电流对应的熔断I²t值不应大于给定外加电压时的制造厂规定值。
    8．7．3 熔断体在0．01s时一致性验证
        不适用。
    8．7．4 过电流选择性验证
        不适用。
    8．7．5 电弧电压特性的验证和试验结果的判别
        从以下每个试验中得出的最大电弧电压值不应大于制造厂的规定值。
        对于交流，电弧电压特性应由表104规定的No．1和No．2试验进行验证。
        对于直流，电弧电压特性应由表105规定的No．11和No．12试验进行验证。
        对于VSI熔断体，电弧电压特性应由表106规定的No．21试验进行验证。

说明：
            1——紧固螺栓；
            2——确定耗散功率的电压测量点；
            3——绝缘块（如木板）；
            4——绝缘底板（如16mm层压板）；
            5——黑色无光表面；
            6——由制造厂规定的或其他方面规定的热电偶安放点，热电偶固定在熔断体上部金属的最热点；
            7——触头表面应镀锡；
            8——绝缘夹板。如需要，两块上部夹板可以松开；
            9——熔断体的熔管可以为圆形或矩形。

图102 用于螺栓连接熔断体的约定试验装置示例

        说明：
            E——温升测量点；
            S——耗散功率测量点。

图103 用于刀型触头熔断体的约定试验装置示例

附录AA

（资料性附录）

熔断体和半导体设备的配合导则

AA．1 一般要求
    本附录仅适用于用在具有半导体整流器电路特性的电路中的熔断体。
    本附录所涉及的是在规定条件下的熔断体性能，而对于熔断体与整流器的适用性问题不作规定。
    注：特别要注意：用于交流的熔断体并不一定适用于直流。在直流下使用的情况，应与制造厂协商。特别是交流额定电压与直流额定电压的关系不能作笼统的说明。本导则关于直流使用的说明是不完整的，而且不包括直流使用时的所有重要因素。
    本附录的目的是从熔断体的额定值及其所在电路的特性方面来阐述熔断体应具有的特性，使本附录成为选择熔断体的依据。

AA．2 术语和定义
    下列术语和定义适用于本附录。也可见第2章术语和定义。
    AA．2．1 （半导体熔断体的）脉动电流 pulsed current(in a semiconductor fuse-link)
        瞬时值周期性变化，并且零电流或很小电流值的时间间隔在整个周期中占很大比例的单向电流。
        注：典型的脉动电流是桥式连接整流器的单臂中产生的电流。
    AA．2．2 （半导体熔断体的）脉动负载 pulsed load(in a semiconductor fuse-link)
        电流的有效值周期性变化，并且零电流或很小电流值的时间间隔在整个周期中占很大比例的负载。
        注：在整流器电路中，脉动负载可由直流电路电流的周期性通断造成。例如电动机的起动和制动。

AA．3 载流能力
    AA．3．1 额定电流
        半导体熔断体的额定电流由制造厂规定，通过温升试验（见8．3）和8．4．3．2额定电流试验来验证。
        注：无老化的载流能力与温度变化有密切关系。制造厂提供的资料与试验条件（见8．1．4和8．3）有关。冷却条件取决于熔断体的物理性能、冷却介质的流动、连接导体和相邻发热体的型式和温度。
        可从制造厂得到有关这些因素影响的指南。
    AA．3．2 持续工作制电流
        对于大多数用于半导体设备的熔断体，持续工作制电流等于额定电流（见AA．3．1）。然而，对于设计时不考虑持续承载额定电流的熔断体在持续工作制下使用时，应降低额定值。
    AA．3．3 重复工作制电流
        额定电流试验是验证熔断体在规定试验条件下，至少能够重复承受100次额定电流负载。随着实际负载电流相对于额定电流减小，用重复次数表示的预期寿命增加。
        由于规定的试验仅确定了最小寿命期望要求，制造厂宜给出给定的熔断体是否适用于规定的重复工作制的建议。
    AA．3．4 过载电流
        制造厂提供的过载能力（见5．6．4．1）是以一个或几个时间和电流坐标点为基础的，其过载能力已经在与额定电流验证条件（见8．4．3．4）相同的条件下进行验证。以这些已验证的点为依据的约定过载特性是对过载能力的保守估计(见5．6．4．2和图101)。
        由于实际过载与时间的函数关系很少像约定过载和时间的函数关系，所以实际过载应转化为如下的一种等效约定过载：
            ——实际过载的最大值等于等效约定过载的最大值；
            ——等效约定过载的时间应使其I²t等于实际负载在熔断体约定时间的0．2倍时间内积分的I²t。
        接近0．2倍约定时间的任何负载值，对熔断体来说，都应视为连续负载。
        然而，因为过载能力验证是以100次过载循环试验为基础，所以实际情况中的重复过载，可能需要降低额定值。此情况宜与制造厂进行协商。
    AA．3．5 峰值电流（截断电流）
        峰值电流的最大值在熔断体处于绝热状态动作时得到。
        当电流上升率基本为常数时，弧前时间末的电流瞬时值按上升率的立方根增加。对于大多数熔断体，这就是峰值。对于明显较晚（在燃弧时间内）达到电流峰值的熔断体，难以作出一般的说明，宜从制造厂处得到更多的资料。

AA．4 电压特性
    AA．4．1 额定电压
        用于半导体设备保护的熔断体的额定电压（见5．2）是在由制造厂规定的额定频率下（某些情况是直流）的正弦外加电压。熔断体的数据与额定电压有关。仅在额定电压值的基础上对不同厂家的熔断体进行比较是不够的。
    AA．4．2 工作中的外加电压
        外加电压就是在故障电路中造成故障电流的电压。因为电压降的影响通常可以忽略，所以在大多数情况下可以认为故障电路中的空载电压为外加电压。
        注：外加电压可能受到熔断体动作时发生的换流或另一个熔断体电弧电压的影响。
        在弧前时间内，外加电压和电路的自感决定故障电流的上升率（通常认为故障电流是从零增长到接近其峰值）。在给定的电路中，即自感已给定，由I²t值决定弧前时间的结束。在弧前时间内外加电压的积分决定了弧前时间末的电流瞬时值。
        在燃弧时间内，燃弧电压和外加电压的差决定了电流的变化率。该变化率一般从峰值下降到零。在弧前时间内对燃弧电压和外加电压差的积分等于对外加电压的积分的瞬间时变化率达到零。在电弧电压小于外加电压的时间内，电流持续增长；但是，在很多情况下，这段时间是很短的，因此相关电流的增长可以忽略。
        对于在绝热区域或绝热区域附近动作的熔断体，弧前I²t值是一个很明确的量。而即使燃弧时间相同，燃弧I²t可以呈现相差很大的值。在燃弧的早期阶段，电弧电压达到其最大值时，燃弧I²t值为最小。
    AA．4．3 电弧电压
        制造厂提供的电弧电压峰值是在最不利的条件下所获得的电弧电压值。电弧电压特性是外加电压的函数。电弧电压的峰值应限制在半导体设备所能承受的范围内。

AA．5 耗散功率特性
    AA．5．1 额定耗散功率
        额定耗散功率的确定是以额定电流和标准试验条件（见8．1．4和8．3．1）为依据的。熔断体的电阻温度系数所引起耗散功率的增加速度比电流平方引起耗散功率的增加速度更快。
        由于这个原因，制造厂提供的有关电流和耗散功率关系的信息可以用耗散功率特性的形式或分散数据点的形式表示。
        由于安装条件与试验条件（见8．3）不同，耗散功率特性可能偏离额定值。

    AA．5．2 影响耗散功率的因素

        由于实际电流和额定电流之间的关系对耗散功率的影响显著，可能需要使用比重复工作制和过载所确定的额定电流更大的熔断体。但较大的额定电流意味着I²t值也较大。使用能进行合理保护的最大额定电流的熔断体可同时减小耗散功率并可以解决重复工作制和过载的问题。
        使用较高额定电压的熔断体会导致较高的耗散功率值。如果尽管电弧电压很大，但仍可以使用这种熔断体，那么I²t值就可以减小，这样可允许选择较大额定电流的熔断体，从而可以减小耗散功率。
        当带有铁制零件的熔断体使用在高于额定频率时的频率下，耗散功率将显著增大。
    AA．5．3 相互影响
        熔断体与关联的半导体设备间非常短的电连接会产生显著的热耦合。
        因此熔断体耗散功率的任何减小可以提高半导体设备的电流负载。

AA．6 时间-电流特性
    AA．6．1 弧前特性
        在整流器或变流器臂中出现的脉动电流不能仅仅在有效值基础上处理。在边缘情况时，应确保仅仅单个脉动不会损坏熔体。例如：按8．4．3．4考虑短时过载（如0．1s以下），实际过载的峰值不是最大有效值，而是最大脉动的峰值。
        除上述提到的区域外，高于额定频率的任何频率的电流实际上对弧前I²t的值没有影响。对于额定频率下弧前时间小于1/4周波的预期电流，频率越高，弧前时间越小。对于低于额定频率的频率，其影响与上述相反。但应注意弧前时间的增加可能更显著，特别是对较大预期电流。
        对于较小的预期电流，非对称电流（具有瞬态直流分量的交流电流）的唯一影响是使电流的有效值略微增加。
        在绝热区域中，该影响最好是以上升率的增加或减少来表示，用在弧前时间具有相同（或相似）上升率的对称电流代替实际电流。
        在弧前I²t特性偏离绝热区域的临界区域中，应区分非对称性电流开始时的程度，开始时程度大，弧前I²t值会减小；开始时程度小，弧前I²t值会增大。
        在考虑熔断体承受非对称电流的能力时，应考虑非对称峰值。
        在直流情况下，基于交流的弧前I²t特性可能不适用，或仅仅部分适用，这取决于电路的参数。
        如果电路的时间常数小于所考虑的最短的时间，预期电流就等于外加电压除以电阻所得的值。
        如果电路自感量很大，只要横坐标以上升率表示，而不以预期电流表示，也就是直流的上升率通过外加电压除以自感决定，可利用弧前I²t特性的绝热区域。可进一步认为预期电流值（外加电压除以电阻）明显高于（3倍或更多）在所考虑的电流上升率下的截断电流值。
        对于直流的其他情况，很难从交流基础上的正常弧前I2t特性来作出有关弧前时间的重要结论，宜和制造厂进行协商。然而，大多数实际情况包含在对等效上升率的考虑中。
        就非正弦电流来讲，正常弧前I²t特性不提供大量的有关性能的信息。除非出现以下情况：上升率占优势（即电流非常大）或者电流值很小而时间很长，允许使用有效值。

    AA．6．2 熔断I²t特性
        对于给定的预期电流，弧前I²t特性和熔断I²t特性之差是在绘制熔断I²t的各种条件下的燃弧I²t最大值。制造厂提供的数据是以较低功率因数值（即0．3以下）及外加电压的有效值为基础的。
        最恶劣的情况是外加电压的瞬时值在整个弧前时间和燃弧时间内都尽可能的大。因为这种情况很少发生，可以利用这种情况。
        对于相同外加电压和预期短路电流，较高频率意味着较低的自感值，因此燃弧时间减少，而且在实际极限内与频率成反比。
        对于相同外加电压和预期短路电流，较低频率意味着较高的自感值，因此燃弧时间增加，而且在实际极限内与频率成反比。
        注：由于燃弧时间较长，造成能量释放，因此不能保证熔断体适用于低于额定频率的频率。当熔断体的使用频率低于额定频率时，宜与制造厂进行协商。
        选择燃弧时间的最大值时，应考虑非对称电流的影响。
        弧前I²t是根据上升率判断（见AA．6．1）的所有直流（见AA．1注）情况下，如果截断电流发生在弧前时间的末端，只要电压参数（基于有效值）选择为外加直流电压小于平均交流电压（90％有效值），则熔断I²t也是有效的。其他所有情况需要特殊考虑或从制造厂获得有关资料。

AA．7 分断能力
    在额定值内，分断非正弦交流电流的能力对半导体设备保护用熔断体来说要求不高。
    对于较高电压值（高压熔断体），分断小电流也可能存在问题，但此问题是在本文所述电流范围之外（见7．4）。
    只要不超过额定频率下电流上升率的最大值，频率高于额定频率对分断能力没有影响。频率低于额定频率时，熔断体内释放出能量大于额定频率时的能量。包括按8．5．5．1进行的低频试验在内的有关信息可从制造厂处获得。
    对于直流分断能力（见AA．1注），熔断体中释放出的能量在大多数情况下大于额定频率时的释放出的能量。只有当使用交流额定电压明显大于直流电源电压的熔断体才能保证满意的熔断。附加的信息宜从制造厂处获得。

AA．8 换流
    半导体设备中的短路电流一般涉及具有几个桥臂的电路，当熔断体熔断时，在各臂之间发生换流，这种换流是由交流电源电压的周期性变化、晶闸管导通或另一熔断体的电弧电压引起的。
    换流通过改变电路结构、电路常数、外加电压（例如增加电弧电压）影响熔断体的动作。
    另一种可能严重影响熔断体工作的误换流，它起因于第二次故障的出现。

附录BB

（规范性附录）

制造厂应在产品使用说明书（样本）中列出的半导体设备保护用熔断体的资料

下述资料应按交流和直流（如适合）分别提供。
    a)制造厂名称（商标）。
    b)产品型号或目录号。
    c)额定电压（见3．4．1）。
    d)额定电流（见3．5）。
    e)额定频率或其他频率（见5．4）。
    f)额定分断能力（额定电压下和不同的外加电压下）（见5．7．2和8．5）。
    g)弧前和熔断时间-电流特性（图）和适用等级（标志），如果适用（见5．6．1和8．4．3．3．1）。
    h)弧前I²t特性（见5．8．2．1和8．7．2）。
    i)在规定功率因数或时间常数下与电压有关的熔断I²t特性（见5．8．2．2和8．7．2）。
    j)电弧电压特性（见5．9和8．7．5）。
    k)截断电流特性（见5．8．1和8．6）。
    l)约定试验条件下额定电流时的温升以及指明规定的测量点（见7．3和8．3．5）。
    m)至少50％和100％额定电流下的耗散功率，在固定点或以图表形式表示该范围内的耗散功率（附加参数可以是63％和80％）（见7．3和8．3．3）。
    n)指示器所需要的最小动作电压（见8．4．3．6）。
    o)允许电流和周围空气温度的函数关系（图）（见8．4．3．2）。
    p)安装说明，如有需要，列出相关尺寸（草图）。
    q)特殊安装条件（如连接导体的截面积、冷却不足、附加热源等）下的载流能力。
    注：如用于特殊条件宜与制造厂进行协商。

附录CC

（规范性附录）

半导体设备保护用标准化熔断体示例

CC．1 总则
    本附录分为如下7个具有标准尺寸的熔断体系统特殊示例：
        ——A型螺栓连接熔断体系统——英国；
        ——B型螺栓连接熔断体系统——DIN；
        ——C型螺栓连接熔断体系统——北美；
        ——A型接触片式熔断体系统；
        ——B型接触片式熔断体系统——北美；
        ——A型圆筒形帽熔断体系统——北美；
        ——B型圆筒形帽熔断体系统——法国。
    用于半导体设备保护的熔断体也可以具有与以下熔断体相同的尺寸：
        ——IEC 60269-2：2006中熔断器系统A、B、F和H；
        ——IEC 60269-3中熔断器系统A。
    熔断体的耗散功率除应满足本标准的要求外，同时不应超出配合使用的熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率。如果熔断体的耗散功率大于标准熔断器底座或熔断器支持件的接受耗散功率，制造厂应降低其额定值。

CC．2 A型螺栓连接熔断体系统——英国
    CC．2．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．1～图CC．3要求的螺栓连接熔断体。熔断体的额定电压和电流如下：
        ·交流230V，电流不超过900A；
        ·交流690V，电流不超过710A。
    CC．2．2 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体的标准尺寸见图CC．1～图CC．3。
    CC．2．3 熔断体结构
        为了指示动作，可使用一个带撞击器的熔断体。带撞击器的熔断体的标准尺寸见图CC．4。

CC．3 B型螺栓连接熔断体系统——DIN
    CC．3．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．5和图CC．6要求的螺栓连接熔断体。熔断体的额定电流至1250A，额定电压至交流1250V。
    CC．3．2 “gR”和“gS”型熔断体的约定时间和约定电流（见表CC．1）

CC．3．3 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体的标准尺寸见图CC．5和图CC．6。
        对于具有其他固定尺寸（例如延长孔、纵向或交叉狭槽）的熔断体的机械设计，用户应与制造厂协商。
    CC．3．4 熔断体结构
        如果熔断体带有指示器或撞击器，制造厂和用户应就指示器或撞击器的位置达成协议。

1)扁平端子的螺纹或相应的通孔；
            2)端子间距离；
            3)指示器或撞击器（如需要）；
            4)信号装置的接头（如需要）。

图CC．5 尺码000和00的B型螺栓连接熔断体

1)扁平端子的螺纹或相应的通孔；
            2)端子间距离；
            3)指示器或撞击器（如需要）；
            4)指示器或撞击器，位置A或B（如需要）；
            5)信号装置接头的可选位置C、D和E（如需要）；
            6)搭扣，尺寸见IEC 60269-2：2006中图101（如需要）；
            7)M10也适用；
            8)对于M10，11也适用。

图CC．6 尺码0、1、2和3的B型螺栓连接熔断体

CC．4 C型螺栓连接熔断体系统——北美
    CC．4．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．7要求的螺栓连接熔断体。熔断体的交流额定电压（见CC．4．3）和电流如下：
            ——交流130/150V，电流不超过1000A；
            ——交流250/300V，电流不超过800A；
            ——交流500V，电流不超过1200A；
            ——交流700V，电流不超过600A；
            ——交流1000V，电流不超过800A。
        对于直流额定电压，见CC．4．4。
    CC．4．2 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体的标准尺寸见图CC．7。
    CC．4．3 表104
        工频恢复电压应为：
            额定电压的100+5-0％。
    CC．4．4 表105
        恢复电压的平均值应为：
            额定电压的100+5-9％。

CC．5 A型接触片式熔断体系统
    CC．5．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．8要求的接触片式熔断体。熔断体的额定电流不超过5000A，额定电压不超过交流1250V。
    CC．5．2 “gR”和“gS”型熔断体的约定时间和约定电流（见表CC．2）
    CC．5．3 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体的标准尺寸见图CC．8。

CC．5．4 熔断体结构
        熔断体可带有指示器或撞击器。指示器或撞击器安装的标准位置见图CC．8。

CC．6 B型接触片式熔断体系统——北美
    CC．6．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．9要求的接触片式熔断体。熔断体的交流额定电压（见CC．6．3）和电流如下：
            ——交流130/150V或150V，电流不超过6000A；
            ——交流250/300V，电流不超过4500A；
            ——交流600V，电流不超过2000A。
        对于直流额定电压，见CC．6．4。
    CC．6．2 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体的标准尺寸见图CC．9。
    CC．6．3 表104
        工频恢复电压应为：
            额定电压的100⁺⁵_-0％。
    CC．6．4 表105
        恢复电压的平均值应为：
            额定电压的100+⁵_-0％。

CC．7 A型圆筒形帽熔断体系统——北美
    CC．7．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．10要求的圆筒形帽熔断体。熔断体的交流额定电压（见CC．7．3）和电流如下：
            ——交流150V，电流不超过60A；
            ——交流600V，电流不超过30A；
            ——交流1000V，电流不超过30A。
        对于直流额定电压，见CC．7．4。
    CC．7．2 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体标准尺寸见图CC．10。
        注：圆筒形帽熔断体的标准尺寸在以下标准中也作了规定：
            IEC 60269-2：2006中熔断器系统F：
                尺码：10×38；
                14×51；
                22×58。
    CC．7．3 表104
        工频恢复电压应为：
            额定电压的100⁺⁵₀％。
    CC．7．4 表105
        恢复电压的平均值应为：
            额定电压的100⁺⁵_-9％。

CC．8 B型圆筒形帽熔断体系统——法国
    CC．8．1 范围
        以下的补充要求适用于尺寸符合图CC．11和图CC．12要求的圆筒形帽熔断体。熔断体的推荐的额定电压和相应的额定电流如下（见表CC．3）：

CC．8．2 “gR”和“gS”型熔断体的约定时间和约定电流（见表CC．4）

[CC．8．3 机械设计（见IEC 60269-1：2006中7．1）
        熔断体标准尺寸见图CC．11和图CC．12。
        注：圆筒形帽熔断体的标准尺寸在以下标准中也作了规定：
            ——IEC 60269-2：2006中熔断器系统F：
                尺码：10×38；
                14×51；
                22×58；
            ——IEC 60269-2：2006中熔断器系统H。

1)此圆柱部分内规定的允差不得超过。
2)端帽间的熔管直径不应大于直径c。
3)带撞击器的熔断体允差为±1。

图CC．11 B型圆筒形帽熔断体

       说明：
            S₀——最大1mm；
            S₁——7mm～10mm。
            1)撞击器的圆柱直径不应超出。
            注：外形尺寸a（见图CC．11）不包括S₀。
            除了注释和所示尺寸外，本图不作为熔断体设计依据。

图CC．12 带撞击器的B型圆筒形帽熔断体（除10×38外，附加尺寸用于全部尺码）

参考文献

    [1] IEC 60050-521 International Electrotechnical Vocabulary-Part 521：Semiconductor devices and integrated circuits
    [2] IEC 60050-551 International Electrotechnical Vocabulary-Part 551：Power electronics
    [3] IEC/TR 60269-5 Low voltage fuses-Guidance for the application of low-voltage fuses
    [4] IEC 60269-6 Low-voltage fuses-Supplementary requirements for fuse-links for the pro-tection of solar photovoltaic energy systems

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