GB／T 34481-2017标准规范下载简介

GB／T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法.pdf简介：

GB/T 34481-2017 是中国国家标准，名为"低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法"。该标准主要针对低位错密度的锗单晶片，这是一种半导体材料，其性能对电子设备的性能有很大影响。

腐蚀坑密度(EPD，Etch Pit Density)是衡量锗单晶片表面缺陷的一个重要参数，它是指单位面积上由于腐蚀过程形成的坑洞的数量。这些坑洞可能会对器件的电性能产生负面影响，如影响电流的均匀分布、提高电阻率等。

测量方法简介如下：

1. 准备工作：首先，需要准备一块待测试的低位错密度锗单晶片，确保其表面清洁无杂质。

2. 腐蚀过程：将单晶片置于腐蚀溶液中，通过化学反应或者其他腐蚀手段，使表面形成坑洞。

3. 清洗与干燥：腐蚀结束后，用适当的清洗方法清除表面的腐蚀液，然后进行干燥。

4. 显微镜观察：使用高倍显微镜对清洗干燥后的单晶片表面进行观察，计数腐蚀坑的数量。

5. 面积测量：测量腐蚀坑的分布区域面积，通常使用扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)进行。

6. 重复测量：为了得到可靠的结果，可能需要对多个位置进行测量，然后取平均值。

7. 数据处理：根据测量结果计算腐蚀坑密度(EPD)。

该标准详细规定了测量过程中的步骤、参数选择、结果处理等，确保了测量结果的准确性和可比性。

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中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 中国国家标准化管理委员会

GB/T344812017

GB／T 23981.1-2019标准下载本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导 本研究所。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、董汝昆

GB/T344812017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密厚 (EPD)的测量方法

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD)的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错 腐蚀坑密度。

本标准规定了低位错密度错单晶片的腐蚀坑密度（EPD)的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm²、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位 蚀坑密度。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T5252锗单品位错腐蚀坑密度测量方法

锗单晶片经化学腐蚀法显示位错 微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目。位错质 容度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积。锗单晶片主要有0°、（100)偏（111)6°和（100 1)9°三种，其位错图像分别如图1、图2、图3所示

（100）偏（111）9°200×

图2（100)偏(111)6°200×

金相显微镜，选取目镜10×，物镜20×，测量视场面积为1mm 注：为精确测量腐蚀坑密度，用标准量具精确测量视场面积

者单晶位错密度测试片的制备方法按GB/T5252

5.2.1以直径100mm错单晶测试片为例，测量点如图4所示。对直径100mm锗单晶测试片，方格边 长为13mm，总测量点37个，测量点19在晶片中心。75mm、150mm锗单品测试片的方格边长分别 为10mm、21.8mm。 5.2.2各测量点应位干每个方格的中心

图4100mm锗单晶片测量点示意图

对区域1测量点视场面积内的腐蚀坑（其中心应在测量视场内)进行计数。如果腐蚀坑之间间隔太 近而难以计数，可提高放大倍数。计数完毕后，记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数。对所有其他测量 点重复上述操作GB／T 20975.1-2018 铝及铝合金化学分析方法 第1部分：汞含量的测定.pdf，即对晶片从第2个区域计数到第37个区域

每个测量点视场内的腐蚀坑密度按式（1)计算：

GB/T344812017

式中： nd 单个测量点的腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm"）； 穿过视场面积s的腐蚀坑数目，单位为个； 一视场面积（确定测量点，放大200倍），单位为平方厘米（cm"）。 平均位错腐蚀坑密度NGBT 51358-2019 城市地下空间规划标准.pdf，按式（2)计算：

N。平均位错腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm）

N；、N2为不同检测实验室对相同锗单晶测试片37个区域选取的37个测量点所检测的平均位错 密度，检测结果的允许误差应在20%以内，具体见表1