DB61／T 512-2011标准规范下载简介

DB61／T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则简介：

DB61/T 512-2011是北京市地方标准，全称为《太阳电池用单晶硅片》。这份标准主要规定了太阳电池用单晶硅片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等方面的具体要求。以下是其主要内容的简介：

1. 产品分类：标准将单晶硅片按照尺寸、厚度、电阻率、表面质量等进行了分类，便于不同应用场景的选择。

2. 技术要求：详细规定了硅片的物理参数，如尺寸公差、厚度公差、电阻率、表面粗糙度、缺陷类型和数量等，以确保硅片的性能和质量。

3. 试验方法：指出了各项技术要求的测试方法，包括尺寸测量、厚度测量、电阻率测试、表面质量检测等。

4. 检验规则：规定了产品的验收检验、型式检验、出厂检验等的程序和要求，确保产品的质量控制。

5. 标志、包装、运输和贮存：对产品的标识、包装材料、包装方式，以及在运输和储存过程中应遵循的条件进行了规定，以防止产品在非正常情况下受损。

这份标准的制定和实施，对于规范太阳电池用单晶硅片的生产，保证产品质量，推动太阳能产业的健康发展具有重要意义。

DB61／T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则部分内容预览：

陕西省质量技术监督局 发布

DB61/ I 5122011

本标准参考SEMIM6一2008《太阳光伏电池用硅片规范》、GB/T12965一2005《硅单晶切割片和研 磨片》，结合国内外晶体硅片现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份有限公司、陕西华 山半导体材料有限责任公司、西安隆基硅材料股份有限公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王师、焦致雨、皇甫国、张超、赵可武 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布，

JG∕T 5028-93 预应力用液压千斤顶DB61/ I 5122011

太阳电池用单晶硅片检验规则

本标准规定了太阳电池用单晶硅片技术要求、试验方法和检验规则等内容。 本标准适用于太阳电池用单晶硅片 简称硅片）的检验

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550一1997非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553一2009硅和锗体内少数载流子寿命光测定电导衰减法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555一2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6617 硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB/T6618一2009硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T6619—2009 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 SEMIMF1535一2007微波反射无接触光电是

下列术语和定义适用于本文件。 3.1 线痕sawmark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 径向电阻率变化radialresistivitytolerance 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若于对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的1/2处或 靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数 表示。又称径向电阻率梯度。

晶片厚度 thickness of slices

DB61/ T 512201

晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。

总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。

总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。

一般为准正方形硅片，规格125mm×125mm型、156mm×156mm型，如图1所示。尺寸要 或者根据实际使用，供需双方商定

DB61/ T 512201

DB61/ T 512201

硅单晶晶体完整性由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。

硅单晶晶向及偏离度要求见表3

在检验面光照度不小于800Lx、硅片距双眼约30cm～50cm距离条件下，用游标卡尺（精度0.02mm 测量或目测。

规格及尺寸用游标卡尺（精度0.02mm）、直角尺、塞尺等测量

5.3硅片厚度和总厚度变化

硅片翘曲度测量按GB/T662

硅片翘曲度测量按GB/T662

硅片电阻率测量按GB/T6617规定的方法进

片径向电阻率变化测量按GB/T11073规定的方法

少数载流子寿命测试按GB/T1553—2009附录A——高频光电导衰减法或SEMIMF1535—2007规定的 方法进行。

硅单晶晶体完整性测试按GB/T1554规定的方法进行

以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同

《道路逆反射材料用玻璃珠第2部分：反光膜用玻璃珠 JT/T1035.2-2016》DB61/ I 5122011

出厂检验项目包括硅片表面质量、规格及尺寸、厚度和总厚度变化、电阻率、径向电阻率变化 4）。产品应经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂

型式检验包括本标准规定的全部检验项目（见表4），型式检验每年应进行1次。有下列情况之一时， 亦应进行型式检验： a）新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时； 正常生产而原材料、工艺、关键设备等有较大改变，可能影响产品质量时； C 产品停产半年以上，恢复生产时； d） 供需双方发生产品质量争议需要仲裁时； e 国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时。

表4检验项目及合格质量水平

5.1硅片出厂检验按GB/T2828.1规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量限（AQL）见表

JTG 3370.1-2018 公路隧道设计规范 第一册 土建工程DB61/I5122011

出厂检验的项目全部合格，则该检验批合格，产品可交付，否则出厂检验不合格，产品不能交付。 抽检不合格的产品批，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可重新组批、提交检 验。 6.5.2硅片型式检验按GB/T2828.1规定的一次抽样方案，其检验水平、合格质量水平（AQL）见表4。 型式检验所有项目全部合格，则判定型式检验合格，否则型式检验不合格。若型式检验不合格，则判定本 批产品不合格，针对不合格批产品，查明原因、采取纠正措施后，重新进行型式检验。