GB／T 41652-2022标准规范下载简介

GB／T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环.pdf简介：

GB/T 41652-2022 是中国国家标准中的一个技术规范，其全称为《刻蚀机用硅电极及硅环》。这个标准主要针对刻蚀机在工业生产中使用的硅电极和硅环材料进行规定和要求。硅电极和硅环通常在半导体制造过程中扮演重要角色，特别是在光刻、离子注入、化学机械抛光等刻蚀工艺中，作为传导电极或支撑结构，需要具有良好的电性能、化学稳定性、机械强度以及表面平整度等特性。

硅电极通常由高纯硅制成，其尺寸、形状和电极特性（如电阻率、表面光洁度等）都需要符合标准要求，以确保在刻蚀过程中能精确控制和传输电流，保证刻蚀效果的稳定性和一致性。硅环则可能用于支撑硅片或其他组件，提供结构支撑，减少机械应力，防止在刻蚀过程中硅片变形或破裂。

该标准的发布，旨在促进刻蚀机用硅电极和硅环的生产和使用，保证产品质量，提升产业技术水平，推动我国半导体行业的发展。

GB／T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环.pdf部分内容预览：

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、新美光（苏州)半导 体科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司。 本文件主要起草人：库黎明、孙燕、闫志瑞、张果虎、夏秋良、潘金平。

本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随 行文件以及订货单内容。 本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm～450mm的硅电极及硅环

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

DB23／T 2787-2021标准下载GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 平面度flatness 硅电极或硅环厚度的最大值与最小值之间的差值

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 平面度flatness 硅电极或硅环厚度的最大值与最小值之间的差值

硅电极及硅环的电学参数应符合表1的规定。

硅电极及硅环应无位错、滑移缺陷、可见孔洞。

硅电极及硅环的表面及端面（包括倒角面）为抛光面，表面应无划伤、沾污、崩边和色差，定位孔 污。

0.1.1硅电极及硅环导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 5.1.2硅电极及硅环电阻率的测试按GB/T1551中直排四探针法的规定进行。 5.1.3硅电极及硅环径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行，也可按供需双方协商确定的 方法进行。

硅电极及硅环儿何尺寸的测试用合适精度的测试设备进行，平面度测量还可用高度仪进行，倒 测量还可用带刻度的放大镜进行

5.3晶向及晶向偏离度测试

硅电极及硅环晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行

硅电极及硅环晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行

硅电极及硅环间随氧含量的测试按GB/T1557的规定进

硅环表面粗糙度的测试按GB/T29505的规定

硅环表面质量的测试按GB/T6624的规定在强

1产品应进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验，若检验结果与本文件或订货单的规定不 应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决，

产品应成批提交验收，每批应由同一规格、同一根硅单晶加工的硅电极或硅环组成。

6.3.1每批产品应对导电类型、几何尺寸、表面粗糙度、表面质量进行检验，电阻率及径向电阻率变化 由供需双方协商确定是否检验。 6.3.2产品的晶向及晶向偏离度、氧含量、碳含量、晶体缺陷由供需双方协商确定是否检验并在订货单 中注明。如需检验则由供方进行，并在随行文件中提供检验结果。

符合表3的规定，如对取样有特殊要求，由供需双

CJT431-2013标准下载GB/T 416522022

6.5.1导电类型、晶向及晶向偏离度的检验结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，判该批产 品不合格。 6.5.2电阻率、径向电阻率变化、表面质量检验结果的判定由供需双方协商确定。 6.5.3几何尺寸、氧含量、碳含量、晶体缺陷、表面粗糙度的检验结果中如有任一试样的任一检验项目 不合格时，则对不合格的项目按照表3中对应的规定进行重复试验，重复试验结果仍有不合格者，判该 批产品不合格。

6.5.1导电类型、晶向及晶向偏离度的检验结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，判该批产

7标志、包装、运输、贮存和随行文件

产品包装箱外应标有“小心轻放”“易碎”“防腐”“防潮”字样或标志，并注明： a）供方名称； b）产品名称； ）数量。

产品应贮存在清洁、于爆的环境中。

每批产品应附有随行文件，其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或包装日期 外，还宜包括以下内容。 a）.产品质量证明书，内容如下： ·供方名称； ? 需方名称； 产品名称、规格； 产品批号； · 产品数量； · 各项参数检验结果； · 检验部门印记和检验员盖章。 b）产品合格证，内容如下： ·检验项目及其结果； ·产品批号； ·检验日期； ·检验员签名或印章。 ）其他。

需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内SPM_平安金融中心项目_施工管理阶段_主体结构施工方案_109首道撑竖向临时楼梯方案_20121202.pdf，列出下列内容： a）产品名称； b）产品技术要求； c）产品数量； d)本文件编号； e）供需双方协商确定的内容； )其他。