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SJ 21152-2016 微波组件元器件选用指南.pdf简介：

"SJ 21152-2016 微波组件元器件选用指南" 是一个关于微波电子技术领域的标准，它为中国微波组件和元器件的选用提供了一个详细的指导。这个指南可能包括了微波元器件的种类、性能参数、选型原则，以及在设计和应用微波电路时需要考虑的关键因素，如频率范围、功率等级、温度特性、稳定性、噪声性能等。

主要内容可能包括：

1. 微波元器件基础知识：介绍微波元器件的基本概念，如振荡器、滤波器、放大器、开关、耦合器等的特性与工作原理。

2. 元器件选型原则：根据实际应用需求，如频率范围、功率容量、线性度、噪声性能等，提供元器件的合理选择建议。

3. 设计参数与计算方法：提供微波电路设计的公式和计算方法，帮助用户理解和应用元器件。

4. 环境和使用条件：强调元器件在特定环境（如温度、湿度、电磁场）下的性能和选型注意事项。

5. 安全与防护措施：对于某些可能产生电磁辐射的元器件，会包含相关的安全使用和防护措施。

6. 行业标准和法规：介绍相关的国家和行业标准，以及元器件的认证要求。

这个指南对于微波电子工程师、科研人员和制造商来说，是一个重要的参考工具，有助于他们更有效地选择和使用微波元器件，提高产品的性能和稳定性。

SJ 21152-2016 微波组件元器件选用指南.pdf部分内容预览：

a）元器件应按有关筛选技术条件进行筛选，合格后方能使用。片式元器件筛选禁止在不具备焊端 可焊性保护条件的情况下进行； b）筛选后不得降低或改变元器件的工艺性。不得改变元器件的原包装技术状态，如编带包装等。 3.10设计时应考虑元器件的可组装性、可测试性（包括目视检查）。对于不适应波峰焊和再流焊耐热 要求的表面贴装（SMD/SMC）原则上不予使用；如需使用，则对于焊接温度在250℃以下的SMD/SMC应 在电路设计文件上说明；对于小于0.5mm脚间距的四边扁平封装（QFP）应慎重考虑。 3.11星载、机载、人体生命工程、核电等电子产品应首选有铅元器件，只能选用无铅元器件时，其应 满足电子产品电性能和可靠性的要求。

电阻器的降额参数是环境温度、功率和电压。薄膜型电阻器降额等级见表2

表2薄膜型电阻器降额等级

电阻器除了考虑直流功耗外，还应考虑微波功率的承受能力。若同一电阻既有直流功耗，文有微 耗《煤矿瓦斯抽采工程设计规范 GB50471-2008》，则电阻承受的功率应为直流功率和微波功率之和

4. 2. 2 质量等级

选用电容的质量等级应满足微波组件的质量等级的要求。较常用的2类瓷介电容器和固体钼电解 器质量等级分别见表3、表4所示。

表32类瓷介电容器质量等级

表4固体钼电解电容器质量等级

4. 2. 4 其官

用于微波电路中的电容应考虑所承受的微波功率，如微波滤波电容、微波隔直电容等。

电感器型号用三个字母表示，LG代表固定电感器，LT代表可变电感器，其后加一引线形式区分字 母和代号，例如“A"代表轴向引线，“B"代表径向引线。

4.3.2.1电感器分为下列三级：

a)1级：耐浸渍和耐潮湿的电感器； b）2级：耐潮湿的电感器； c）3级：用于密封组件的电感器。

.2.2电感器按其最高工作温度（温升加最高环

a)0类：85℃; b)A类：105℃; c)B类：125℃; d)C类: 150 ℃.

电感器的降额的主要参数是热点温度(Ths)。为防止绝缘击穿，线圈的绕组电压应维持在降额值 感器的热点温度降额值与线圈绕组绝缘性能、工作电流、瞬态初始电流及介质耐压有关。电感器的 温度可用公式（1）近似计算：

THs=TA+1.14 T..

热点温度，单位为摄氏度（℃）； TA 环境温度，单位为摄氏度（℃）； △T温升，单位为摄氏度（℃）。 电感器的降额等级见表7。

表7电感器的降额等级

普通二极管有：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等；特殊用途的有：变容二极 管、发光二极管、磁敏二极管、光电二极管、激光二极管等。在选用各类半导体二极管时，应根据用途、 性能、主要参数和电路的不同要求来选择。

二极管的降额准则如下： a）选用时应考虑主要参数的容差，容差要求如下： 1）正向电压：±10%； 2）稳定电压：±2%（适应于稳压二极管）； 3）恢复和开关时间：±20%。 b）二极管的反向电压、正向电流、额定功率的降额准等级见表8：

表8反向电压、正向电流、额定功率的降额等

表9二极管最高结温降额等级

二极管选用时注意以下几点： a）工作电压应小于二极管的反向击穿电压； b） 工作电流应小于二极管的额定电流； c）工作结温应小于二极管的允许最高结温； d 工作频率应满足微波组件工作的要求。如Ku波段开关、限幅二极管可选用芯片二极管，采用 键合线键合到微波电路中，以达到频率高、插损小的目的

4.5.1.1晶体管按频率可低频晶体管、高频晶体管、微波晶体管等。 4.5.1.2按功率划分可分为小功率晶体管、中功率晶体管、大功率晶体管。 4.5.1.3晶体管按功能分为放大、混频、开关、振荡等类。 4.5.1.4晶体管按结构可分为双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）全

5.1.5晶体管按代划分有一代器件（硅、锗材料等）、二代器件（砷化镓、磷化铟材料等）、三 件（碳化硅、氮化镓材料等）

表10晶体管四种质量保证等级要求的主要差

4.5.3.1降额参数

表11晶体管的降额等级

表11晶体管的降额等级

4.5.3.2最高结温降额

降额后的最高经 见表12。

表12晶体管量高结温降额等

为了保证微波组件长期可靠工作，设计和选用晶体管时应考虑的晶体管主要参数容差，其数值如下： a 电流放大倍数：±15%（适用于已经筛选的晶体管）、±30%（适用于未经筛选的晶体管）； b）开关时间：20%; c饱和压降：15%。

4.5.5.1高频电路选用高频晶体管，截止频率应是工作频率fo的3倍。 4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好，饱和压降低的性1 4.5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 4.5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。

4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好，饱和压降低的性能。 .5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 .5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。 .5.5.5 微波场效应晶体管的选用应按以下要求： a 微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d) 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB548 相关试验要求。

4.5.5.5微波场效应晶体管的选用应按以下要求：

a）微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB 相关试验要求，

学电路两大类 中规模集成电路、小规模集成电路。

半导体集成电路的质量保证等级分为两个等级，从低到高分别为B级和S级，这两个质量保证等 了生产过程控制要求不同外，检验和试验项目以及严酷度等级也不同，详细见GJB597。

4.6.3.1模拟集成电路

模拟集成电路降额主要有下列几点，降额值见表13： a）电源电压从额定值降额； b）输入电压从额定值降额； c）输出电流从额定值降额； d）功率从最大允许值降额； e）结温降额给出最高允许结温

4.6.3.2.2MOS型数字电路

4.6.3.2.2MOS型数字电路

GB 51199-2016 通信电源设备安装工程验收规范（英文版）.pdfMOS型数字电路降额准则见表15。其中： a）电源电压给出额定值降额：

b）输出电流从额定值降额； c）频率从额定值降额； d）结温给出了最高允许结温

b）输出电流从额定值降额；

QB-CNCEC J050502-2004 室外消防水泵接合器及地上消火栓安装施工工艺标准表15MOS型数字电路降额等级

6.4辐照强度保证等级

微波器件工作在空间天然粒子辐射的环境时应 选择手规用 微波器件，应根据空间辐射环境条件及器件工作时间的长短，同时还应考虑航天器本身的屏蔽效应，微 波元器件应按表16选择适用器件的辐照强度保证等级