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SJ／T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法.pdf简介：

SJ/T 11766-2020 是中国国家标准，名为《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》。这个标准主要规定了如何对光电耦合器件（Photodiode Coupler Device，简称PD）的低频噪声特性进行测试，以评估其性能和稳定性。

光电耦合器件是一种将光信号转换为电信号的设备，其低频噪声参数主要包括：暗电流（Dark Current）、1/f噪声（1/f Noise）和散粒噪声（Shot Noise）。这些参数的测试方法通常包括以下步骤：

1. 暗电流测试：在没有光照的情况下，测量光电耦合器件的电流，这是衡量其内部缺陷产生电流的能力。

2. 1/f噪声测试：通过测量器件在不同频率下的电流噪声，1/f噪声通常随频率的减小而增大，这是半导体材料的固有噪声特性。

3. 散粒噪声测试：这是由于电子在半导体中的随机运动产生的，通常在低频下更显著，通过测量电流的方差可以评估。

4. 噪声温度（Noise Temperature）：这是衡量光电耦合器件噪声性能的一个重要参数，可以通过噪声电压与温度的函数关系来计算。

5. 噪声等效温度（Noise Equivalent Temperature，NET）：这是将器件的噪声转换为等效的温度，常用于比较不同器件的噪声性能。

根据这个标准，测试结果应准确、客观，并且能够反映器件在实际应用中的噪声性能。对于光电耦合器件的研发、生产和质量控制来说，这个标准具有重要的指导意义。

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QX／T 598-2021 桑拿天气等级.pdfSJ/T 117662020

电耦合器件低频噪声参数测试方

本标准规定了光电耦合器件（以下简称光耦）1Hz300kHz频率范围内噪声参数测试方法及要求。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件： SJ/T2215半导体光电耦合器测试方法 SJ/T11769电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求 术语和定义 测试条件及要求 除SJ/T11769的通用要求外，光耦的低频噪声测试条件还应符合下列要求： a）光耦的低频噪声参数包括噪声电压功率谱密度和噪声电压。 b）光耦的低频噪声测试的偏置电流、偏置电压、偏置电路等测试条件按照产品详细规范确定。除 另有规定外，光耦参数电流传输比的测试条件作为低频噪声参数测试的测试条件。 测试系统的构成及要求 5.1通则 光耦低频噪声参数测试系统的构成及要求应符合SJ/T11769的规定。 5.2测试偏置电路

黑低频噪声参数测试系统的构成及要求应符合SJ/T

光耦器件低频噪声测试偏置电路原理如图 耦的输出端提供偏置电压，光耦输出端的噪声电压接入到低噪声前置放大器，低噪声前置放大器的十/ 一表示信号的同向输入端/反向输入端。RL为负载电阻，Rr为限流电阻。

SJ/T 117662020

测试数据的记录符合下列要求！

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测试记录包括：测试环境条件、产品型号规格、批号、编号JT∕T 578-2004 水运工程 钢弦式锚索测力计，输入端电压、输入端电流、输出 端电压、输出端电流，噪声电压功率谱密度、噪声电压等参数。 h）按照被测光耦器件对应型号产品详细规范规定的要求，形成测试报告。

测试记录包括：测试环境条件、产品型号规格、批号、编号，输入端电压、输入端电流、输出 端电压、输出端电流，噪声电压功率谱密度、噪声电压等参数。 按照被测光耦器件对应型号产品详细规范规定的要求，形成测试报告。

SJ/T 117662020

DBJ 15-109-2015 混凝土技术规范附录A （资料性附录） 典型测试图谱

图A.2光耦的噪声电压时间序列

件的噪声电压时间序列图谱如图A.2所示，采集时