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GB 51291-2018 共烧陶瓷混合电路基板厂设计标准(完整正版、清晰无水印).pdf简介：

"GB 51291-2018 共烧陶瓷混合电路基板厂设计标准"是中国国家标准，全称为《共烧陶瓷混合电路基板厂设计规范》。这个标准主要针对共烧陶瓷（Advanced Ceramic Matrix Composites, 简称ACMC）混合电路基板的工厂设计提供了详细的指导和规范。共烧陶瓷混合电路基板是一种高性能的电子电路基板材料，广泛应用于航天、航空、军事、通信等领域，对生产工艺和工厂设计有严格的要求。

该标准涵盖了工厂总体布局、建筑设计、设备选型、工艺流程设计、消防安全、环境保护、职业健康与安全等多个方面，目的是确保工厂的设计和建设能够满足生产高质量共烧陶瓷基板的需求，同时保证生产过程的安全性和环保性。完整版的PDF文件通常会包括详细的条文、图例、示例和计算方法等，清晰无水印的版本有助于用户更好地理解和执行标准。

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GB 51291-2018 共烧陶瓷混合电路基板厂设计标准(完整正版、清晰无水印).pdf部分内容预览：

1振动筛分机应能设置振动筛的振动速度和幅度，并应配 限尺寸不同的系列振动筛，同一振动筛中网眼尺寸的精度允

偏差为士10%； 2电子秤或天平应配置合适的载物台、称量系统和显示系 统，并应保证所需的量程和精度； 3烘箱应能设置温度和时间，温度范围宜为50℃~200℃， 时间范围宜为1h～24h； 4粒度测试仪应配备合适的光源、检测腔和清洗系统，通过 对乳状物的检测可得到粒径中径大小、分布范围等参数； 5防爆储存柜应为全金属封闭结构，应具有防爆、避光、阻燃 能力。

5.3.1混料工艺应配备球磨机、真空脱泡机和黏度计GBT50430-2017标准下载，可与配料 工艺共用防爆储存柜

5.3.2混料工艺设备应符合下列规定： 1球磨机应具有稳固的结构和强度，应能设置旋镶球磨的转 速和时间，应配备适量容积的球磨罐及合适尺寸的研磨介质： 2球磨罐的内衬材料应具有抗溶剂腐蚀性、耐磨性和密闭性 所用材料可为聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氨酯、氧化铝陶瓷、玛瑙等； 3研磨介质的形状宜为圆球体、圆柱体等，应由高含量氧化 铝、玛瑙、氧化锆等高硬度陶瓷材料制成，研磨时宜选择不同大小 不同形状的研磨介质混合； 4真空脱泡机应具有在抽取真空的同时匀速搅拌瓷浆的功 能，应能设置机腔的真空度和搅拌架的转速，并宜配置冒泡观察窗 口； 5黏度计可包括搅拌器（转轴）、力矩测试仪、电动马达、浆料 杯等，应能设置转速并自动显示黏度值

流延工艺应配备生带流延机、瓷浆过滤与供给系统。

1流延机应包括传送带（载片带）、流延头、干燥腔、收片单元 以及精密控制与数据收集系统，主要技术指标应包括流延宽度、流 延厚度、传送带速度、干燥腔温度、抽排风量； 2传送带宜为聚酯薄膜带，也可为纸张或不锈钢带，应保持 恒定的张力而无皱，并应以平稳的速度在十燥腔内的平整流延 台面上直线运行： 3流延头（刮刀组件）应包括刮刀和瓷浆槽，刮刀应可调节刀 口的高度并保持稳定，流延过程中瓷浆槽内瓷浆液面高度宜维持 不变； 4十燥腔可通过流延台面下的底床加热器和从流延出口在 流延入口逆向流动的热空气来干燥传送带表面上的湿膜生瓷带 十燥腔应有多个温区且温区温度从流延人口到流延出口应呈递升 状态； 5收片单元可通过出口端收带轴的旋转收取生瓷带； 6精密控制与数据收集系统应通过计算机、软件、传感器、执 行机构等的协同工作，并应完成对生带流延机工作状态的实时控 制与流延数据的有效收集； 7瓷浆过滤与供给系统应利用一级或多级滤网清除瓷浆中 的瓷粉团聚物、未溶黏结剂、球磨罐衬里和研磨介质的碎屑等杂 质，并应将滤清后的瓷浆稳定连续地供送到流延头的瓷浆槽内； 8当瓷浆中含有可燃溶剂时，流延机应配置溶剂浓度值传 感器且与控制系统联锁，超过高限时应立即自动停止注浆流延并 加大排风量。

5.5.1 切片工艺可选用自动切片机或半自动切片机。 5.5.2 切片工艺设备应符合下列规定： 1 切片时应配备真空吸附平台：

切片时应配备真空吸附平台；

2自动和半自动切片机主要技术指标应包括最大料宽、切片 步距、切片尺寸精度、切片速度； 3自动切片机应配置自动上料及收集生瓷片的装置，生瓷卷 轴可展开于洁净的不锈钢工作台面之上，上料可由吸盘和气缸器 件控制，下料可采用吸盘和伺服马达控制；切片力具应采用耐磨材 料并能根据要求调整上下刀距； 4半自动切片机可人工上料或人工收集切割后的生瓷片，切 刀装置应与自动切片机相同。

5.6.1打孔工艺设备可选用机械冲孔机或激光打孔机，机械冲孔 设备应主要包括操作显示模块、电源模块、工作台、机械打孔单元 和废料回收单元，激光打孔设备应主要包括操作显示模块、电源模 块、工作台、激光发射模块和冷却模块

5.6.2打孔工艺设备应符合下列规定：

1打孔工艺设备应配置打孔数据导入导出和处理系统，并应 具有数据编辑功能； 2机械冲孔机主要技术指标应包括冲孔最大面积、冲孔位置 精度、最大加工厚度、冲孔直径、冲孔速度、二次加工精度、断针报 警功能； 3激光打孔机主要技术指标应包括激光功率、激光波长、光 斑直径、脉冲频率与宽度、最天加工厚度、（振镜）扫描幅度和工作 台行程、定位精度、重复精度、运行速度、最小步距、二次加工精度； 4打孔机工作台应将生瓷片固定，并应保证生瓷片移动过程 中的位置精度； 5机械冲孔的冲孔单元应根据设计文件中不同尺寸的孔径 配置冲头组合，冲头宜更换容易；冲孔单元应配备与之匹配的校准 工具； 6机械冲孔机宜同时配置圆形、方形冲孔单元；

7激光打孔的激光发射模块应配备调焦系统，可根据需要调 整激光束宽度； 8打孔机宜配备自动上下料机构、残留碎屑收集系统、减振 及噪声消除系统； 9机械冲孔机应配备安全防护门。 5.6.3激光打孔机工作时应关闭防止激光散射或辐射的安全门、 罩

5.7.1填孔工艺可分为挤压填孔和印刷填孔，挤压填孔设备应包 括微孔填充机和干燥炉：印刷填孔设备应包括丝网印刷机和干燥 炉，丝网印刷机应主要包括操作显示模块、电源模块，工作台、光学 对位模块、丝网网版和印刷模块

.2填孔工艺设备应符合下列规定：

1微扎填充机应适用子将导电浆料通过模板挤压填充到生 瓷片的对应通孔中，其主要技术指标应包括填充区域大小、填充压 力、填充时间、最小填孔直径、最大填孔厚度、工作周期； 2填孔设备工作台应平整洁净，并应具有固定生瓷片的台面 吸附功能； 3填孔设备光学对位系统应有保证填孔的准确性精度； 4丝网印刷机的丝网宜采用200自以上的不锈钢丝网或高 开孔率尼龙丝网，应根据工艺需要设置网版孔径与生瓷孔径的比 例关系，丝网厚度宜为网丝直径的1.5倍～1.8倍；也可采用不锈 钢钢片漏版； 5刮刀运行速率应保持稳定，刮刀角度应符合保证浆料填满 通孔的填孔要求。

.1印刷工艺设备应采用丝网印刷机和干燥炉，印刷工艺还

配备印刷网板制作设备，包括绷网机、曝光机、显影机等。

5.8.2印刷工艺设备应符合下列

1丝网印刷机应通过丝网将电子浆料按网版图形印刷在生 瓷片或基板表面，主要技术指标应包括印刷面积、刮板压力、印刷 速度、对位精度； 2丝网印刷机应具备真空吸附、自动图形识别及对位、网距 压力、速度、印刷模式编程功能； 3刮刀角度应符合导体印刷要求。

9.1自动叠片工艺可选用叠片机，应主要包括操作显示模 输模块、工作台、剥膜模块、影像对位模块、点焊模块和收料区

1叠片机应适用于按序将已填孔、丝网印刷的生瓷片对准、 叠合成待压烧的多层生瓷环，主要技术指标应包括叠片尺寸、叠片 层数、叠片精度、生瓷片最小厚度、叠片温度、叠片压力、工作周期： 2影像对位系统精度应保证对位的准确性； 3叠片机工作台可采用点胶、点焊或热压等方式预固定生瓷 片，工作台移动过程中相邻生瓷片无错位移动；点焊模块点焊温度 应使生瓷片能够轻度粘接； 4叠片机应具备生瓷片翻转、自动（半自动）脱膜功能，剥膜 模块应可调节位置与力矩大小； 5自动叠片机应配备安全防护门

5.10.1层压工艺可选用真空密封设备和等静压机。真空密封设 备可将叠片后的生瓷坏环体进行真空封装，应主要包括真空泵和封 口模块；等静压机设备可将真空封装的生瓷坏环体压实，应主要包括 主机系统、加热系统、高压容器、框架结构和液压系统，

1真空密封设备应将生瓷坏体密封至密封袋中，主要技术指 标应包括最天密封尺寸、真空精度、真空泵工作速率； 2等静压机应适用于将疏松生瓷坏压实成无空隙的生瓷板： 主要技术指标应包括最大层压尺寸、最高水温、最大水压、温度精 度、压力精度、升温速度、压力缸容积； 3等静压机最高水温不应低于85℃，水可根据需要加热并 保温； 4等静压机施加压力时应保证其气密性及压力精度，压力施 加可根据不同生瓷材料进行调节，最高压力不应小于34.5MPa； 5等静压机温度、压力、时间可编程，加压段数不应少于3 段。

5.11.1热切工艺可选用生瓷热切机，应主要包括操作显示模块 工作台、影像对位模块和切割模块

1生瓷热切机应适用于将层压后的生瓷板分切成单元生瓷 块，主要技术指标应包括对位精度、最天加工尺寸、最天切片厚度、 最大切速、切力温度、工作台温度、温度均匀性； 2热切机工作台可采用真空吸附的方式将生瓷板固定在工 作台上； 3影像对位系统应保证精度，可清晰明确显示生瓷片形 貌； 4热切机可实现自动连续切割及手动切割，切割模块可选用 切力切割或激光切割，对于直线型切割宜采用切力切割，对于任意 形状宜采用激光切割； 5热切机温度、速度、深度、路径可编程； 6生瓷热切机应配备安全防护门或防护光幕。

12.1共烧工艺可选用箱式烧结炉和连续烧结炉《太阳能热水系统(储水箱容积大于0.6m3 )控制装置 GB/T 28737-2012》，应主要 控系统电热系统、炉腔冷却系统和进气排气系统

12.2共烧工艺设备应符合下列规定

1烧结炉应适用于将多层陶瓷与其内部电路一体共烧，形成 所需性能的共烧陶瓷基板： 2箱式烧结炉主要技术指标应包括最高炉温、温度均匀性 控温精度、升温速率、进气通路数、每路最大气流量、湿氢露点、炉 腔有效容积； 3连续式烧结炉主要技术指标应包括最高炉温、温度均匀 性、控温精度、温区数量、各温区长度、运行速度、进气通路数、每路 最大气流量、湿氢露点、炉腔截面尺寸； 4箱式烧结炉可快速升温，最高升温速率不应低于10℃/min， 应具备过温保护、炉内气压过压保护功能； 5烧结炉排气系统应通风良好； 6LTCC烧结炉应配备压缩空气，烧结炉最高温度应大于 950℃； 7氧化铝烧结炉应配备氮气系统、氢气及尾气处理系统、气 本加湿器，烧结氧化铝的烧结炉最高温度应大于1650℃： 8氮化铝烧结炉应配备氮气系统、氢气及尾气处理系统、烧 结氮化铝的烧结炉最高温度应天于1800℃； 9箱式烧结炉可控制温度、升（降）温速率、保温时间、进（排） 气流量； 10连续式烧结炉可控制各温区温度、传送速率、进（排）气流 量等。

熟切工艺可选择砂轮划片机，应主要包括高速主轴系统

砂轮刀片、影像对位模块、清洗冷却模块和工作台；也可选择激光 划切机，应主要包括激光器、激光光路系统、影像对位模块、冷却模 块和工作台。

TB／T 3296-2013标准下载5.14激光调阻工艺设备

5.14.1激光调阻工艺可选择激光调阻机，应主要包括激光光源、

14.2激光调阻机应符合下列