GB/T39123-2020 标准规范下载简介
GB/T39123-2020 X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料规范.pdf简介:
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这个规范(GB/T 39123-2020)很可能是中国国家标准,标题中的“X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料”表明它是关于用于X射线和伽马射线探测器制造的碲锌镉(TeZnCd)单晶材料的规定。这种材料可能是核物理学、医学成像(如CT扫描)或工业检测等领域的关键组件,因为它对射线的敏感性和稳定性有高要求。
该规范可能包含了材料的物理性能、化学成分、制备工艺、检测方法、质量控制标准以及使用条件等内容,目的是为了确保这类单晶材料的质量和一致性,以满足特定应用的需求。
如果你需要更详细的信息,建议你查看或联系相关的标准发布机构或专业资料提供商。
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本立 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24576 高分率X射线衍射测量GaAs衬底生长的A1GaAs中A1成分的试验方法 GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T 32188 氨化镓单晶衬底片 我双晶摇摆曲线半高宽测试方法
GB/T 39123—2020
晶片为正方形片状,其外形尺寸应符合表1的规定,特殊要求可由供需双方协商确定。
晶片表面无区域污染,无孔洞、裂纹、晶界等宏观缺陷,无针孔、划痕等微观缺陷。晶片抛光表面 面粗糙度不大于0.12um,特殊要求可由供需双方协商确定
晶面为(111)建筑工程司索工安全教育培训PPT,晶向偏差不大于1°,特殊要求可由供需双方协商确定
组分值是0.100±0.004
1分值是0.100±0.004
111)晶面的双晶衍射半峰宽(FWHM)不大于60
镉和碲微沉淀相颗粒直径不大于100um。颗粒直径在20um~50um内,颗粒密度 50个/mm;颗粒直径在50um~100um内,颗粒密度不大于20个/mm²
立错腐蚀坑密度(DEPD不大于10个/mm。
电阻率(o)不小于101°Q·cm
漏电流(Imk)不大于100nA。
除另有规定外,受检样品应在下列条件下进行测试:
有规定外,受检样品应在下列条件下进行测试:
GB/T39123—2020
用分度值为0.02mm的游标卡尺和分度值为0.01mm的千分尺分别测量晶片的边长禾 片表面总厚度变化量(TTV)测量按照GB/T6618规定的方法进行
在40W日光灯下目视观察晶片表面有无区域污染,有无孔洞、裂纹、晶界等缺陷,在10倍光 镜下观察晶片表面有无划痕,在100倍光学显微镜下观察有无针孔。表面粗糙度检验按 3/T29505规定的方法进行
组分z值测量按照GB/T 衍射角0约为38°9°。
双晶衍射半峰宽测量按照GB/T32188规定的方法进行。选取高角度衍射角约为38°9°。 微浪相
双晶衍射半峰宽测量按照GB/T32188规定的方法进行。 选取高角度衍射角6约为38°9
受温度场分布和分凝效应影响,碲锌镉晶体生长过程中可能形成碲和镉微沉淀相,对晶体本身质量 存在较大的影响。利用红外透射显微镜观察沉淀相区域与完整晶体部分的不同透射状态,可以观察到 碲或镉的沉淀相,并检测其尺寸和密度值。
红外透射显微镜.分辨率为1um
红外透射显微镜,分辨率为1um
微沉淀相的测试步骤如下: a)仪器自检; b)把受检样品装入样品架,调准,观察,采样; c)观测沉淀相斑点并扫描记录尺寸(横向、纵向); d)按横向、纵向尺寸分别记录沉淀相区域的沉淀相密度值
GB/T 39123—2020
拍体表面时,在晶体表面上的位错 在显微镜下观察并按一定规则统计这些位错腐蚀坑,得到的位错腐蚀坑密度即可认为是位错密度。根 据式(1)计算位错腐蚀坑密度,即
DEPD=(G +岁)
DEPD=( + ) +++..+++.++.++++(
DEPD 位错腐蚀坑密度,单位为个每平方毫米(1/mm); n1 被测面自然中心处位错腐蚀坑数,单位为个; S1 被测面自然中心处视场面积,单位为平方毫米(mm"); n2 被测面自然中心以外位错腐蚀坑密度最高处位错腐蚀坑数,单位为个; S 被测面自然中心以外位错腐蚀坑密度最高处视场面积,单位为平方毫米(mm²)
金相显微镜,放大倍数为100倍~500倍
测试所需化学试剂有: a) 硝酸:分析纯,浓度为65%~68%; b) 氢氟酸:分析纯,浓度为40%; c) 乳酸:分析纯,浓度为85%~90%; d) 去离子水:电阻率p≥12×10°Q·cm; e)重铬酸钾.分析纯。
测试所需化学试剂有: a) 硝酸:分析纯,浓度为65%~68%; 氢氟酸:分析纯,浓度为40%; c) 乳酸:分析纯,浓度为85%~90%; d) 去离子水:电阻率p≥12×10°Q·cm; e)重铬酸钾.分析纯。
式中: 电阻率,单位为欧姆厘米(Q·cm); U 两个电极之间的电压,单位为伏特(V) 通过晶片的直流电流,单位为安培(A) S 电极的面积,单位为平方厘米(cm"); ——两个电极之间的距离,单位为厘米(cm)
电阻率的测试步骤如下: a)采用真空蒸镀法,在碲锌镉晶片对称两面各蒸镀一层厚度在5nm~5μm内的对称平而 电极:
GB/T 391232020
与5.9.2的要求相同
漏电流的测试步骤如下 a)按5.9.3的要求制作电极,连接测试仪器,将受检样品装入测试盒; b)在碲锌镐晶片上施加电压,施加的最大电压与晶片厚度的关系应符合表4的规定; c)在0V到最大电压范围内改变电压,变化间隔为100V,测量不同电压值下通过样品的电流 值,该电流值即为不同电压下的漏电流值
表4测量漏电流的最大电压
GB 50203-2002砌体工程施工质量验收规范验分为出厂检验和型式
6.2.1出厂检验项目
出厂检验项目应符合表5规定。
检验批应由出目回一根筛锌操晶摔的 外形尺寸相同的晶片以艺片为一批;如果数量 不足20片,以实际数量为一批
6.2.2.2受检产品数量
GB∕T 38712-2020 超薄玻璃导热系数试验方法 热流法形尺寸和表面质量应全数检验。晶面和晶向偏差
如果样品未通过表5中规定项目的检验,对于外形尺寸和表面质量可进行修复,修复后应符合4. 和4.2的要求;对于晶面和晶向偏差和电阻率则加倍取样,对不合格的项目进行检验,若仍不合格,则该 批检验不合格