JC／T 2149-2012 标准规范下载简介
JC／T 2149-2012 高纯碳化硅粉体成分分析方法简介：
"JC/T 2149-2012 高纯碳化硅粉体成分分析方法"是中国建筑材料行业标准，主要规定了高纯碳化硅粉体材料的化学成分分析方法。高纯碳化硅是一种重要的无机非金属材料，被广泛应用在半导体、陶瓷、耐火材料等领域。
这个标准涵盖的分析方法主要包括以下几个方面：
1. 碳和硅含量的测定：通常使用化学滴定法或光谱分析法（如ICP-AES，原子发射光谱法；ICP-MS，原子质量光谱法）来精确测定碳和硅的含量，这是确定碳化硅纯度的关键步骤。
2. 杂质元素的测定：对于其他可能存在的杂质元素，如铝、铁、镁、钙、钛等，可以通过X射线荧光光谱法（XRF）或电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）进行定量分析。
3. 氮含量的测定：氮是影响碳化硅性能的重要元素，一般通过热导法或化学分析法测定。
4. 氧含量的测定：同样，氧含量也会影响碳化硅的性能，可以通过红外吸收法或燃烧法进行测定。
5. 粒度分布的测定：利用激光粒度分析仪等设备，可以得到粉体的粒度分布信息，这对理解和控制材料的性能至关重要。
通过这些方法，可以全面评估高纯碳化硅粉体的纯度和质量，为生产控制和产品质量保证提供科学依据。
JC／T 2149-2012 高纯碳化硅粉体成分分析方法部分内容预览：
JC/T21492012
本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、 孟、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。 "本标准适用于碳化硅含量范围为99.9%～99.99%的碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、 电、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定，测定范围见表1。
：下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T602化学试剂杂质测定用标准溶液的制备 GB/T3045普通磨料碳化硅化学分析方法 GB/T6682分析实验室用水规格和试验方法 ！二氧化硅、游离硅、游离碳的测定 二氧化硅、游离硅、游离碳的测定按照GB/T3045规定的方法进行。 铝、碘、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌的测定
JC/T21492012
《纤维增强硅酸钙板工厂设计规范 GB51107-2015》IC/T21492012
表2混合标准溶液系列浓度
4.3.1高压密闭消解罐：最高耐受温度不低于240℃，最高适用压力不低于3.0MPa。 4.3.2电热烘箱：工作温度不低于260℃，控温精度士1℃。 4.3.3分析天平：精度不低于0.1 mg。
部通过0.074mm孔径筛，并经105℃～110℃烘箱中干燥不少于2h，取出置于干燥器 备用。在制样的操作过程中，应避免引入杂质，防止试料污染。
4. 5. 1.1 试料质量
称取约0.2g试料，精确至0.0001g。
4.5.1.2试料份数
4.5.1.3试液制备
将试料、1g碳酸钠和1g硼砂混匀置于铂金埚中，盖上埚盖并稍留缝隙，置煤气喷灯上加热， 待熔化后，摇动，再熔融约30min。旋转埚，使熔融物均匀地附着于埚内壁，冷却至室温。加 永浸没熔块，待熔块疏松后，转移至250mL烧杯中。在和烧杯中加入总量为10mL的盐酸（4.2.5)， 用水洗净埚壁及盖，加热煮沸至盐类完全溶解，冷却后，移入100mL容量瓶中，稀释至标线，摇匀。 此为试液（A），供测定铝、钙、铬、铜、铁、镁、锰、镍、钛和锌用
4. 5.2.1 试料质量
称取试料约0.2g，精确至0.0001g
4. 5.2. 2 试料份数
称取3份试料进行平行分析，取平均值。
4.5. 2. 3 试液制备
4. 5. 3空自试验
按照实验要求和仪器情况，设置仪器工作条件（参见附录A）。点燃等离子体炬焰，待炬焰稳定20min 后，按顺序测定混合标准溶液系列（4.2.13～4.2.15)的光谱强度。以净光强度为因变量，以元素浓度 μg/mL)为自变量进行线性回归，由计算机自动绘制校准曲线，计算截距（a）、斜率(b)和线性相关系数 ()。若<0.999，则重新配制混合标准溶液系列，绘制校准曲线
按照4.5.4所设定的仪器条件《蒸汽和热水型溴化锂吸收式冷水机组 GB/T 18431-2014》，测定空白溶液和试液中各被测元素的光谱强度，由计 圭曲线上得到各被测元素的浓度。
之间分析结果的差值应不大于表3所列的最
IC/T2149—2012
表3实验室间分析结果的精密度
JC/T 21492012
附录A （资料性附录） 推荐的仪器工作条件及各元素分析线波长
国家标准附录A （资料性附录） 推荐的仪器工作条件及各元素分析线波长
表A.1仪器工作条件
A.2各元素分析线波