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GB／T 12963-2022 电子级多晶硅.pdf简介：
GB/T 12963-2022 是中国国家标准，全称为《电子级多晶硅》。这个标准定义了电子级多晶硅的产品技术要求、试验方法、检测规则以及标记、包装、运输和储存等方面的规定。电子级多晶硅是一种高纯度的硅材料，主要用于半导体工业，特别是制造集成电路、晶体管、太阳能电池等电子设备。
电子级多晶硅对纯度要求极高，杂质含量极低，具有良好的半导体性能，是现代电子工业的基础材料。其生产过程包括硅的提纯、生长、切割和抛光等多个步骤，对工艺控制和设备精度要求非常高。
该标准的发布，旨在规范电子级多晶硅的生产和检验，保障产品的质量稳定，推动我国电子级多晶硅产业的技术进步和健康发展。
GB／T 12963-2022 电子级多晶硅.pdf部分内容预览：
国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T12963一2014《电子级多晶硅》，与GB/T12963一2014相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术变化如下： a）更改了适用范围（见第1章，2014年版的第1章）； b）更改了牌号要求（见4.1，2014年版的4.1.1)； c）更改了产品等级（见4.2，2014年版的4.1.2）； d）更改了不同等级电子级多晶硅的技术指标（见5.1，2014年版的4.2）； e）更改了结构要求（见5.3，2014年版的4.4）； f）更改了试验方法的内容（见第6章，2014年版的第5章）； g）更改了检验项目的要求（见7.3，2014年版的6.3）； h）更改了取样及制样的内容（见7.4.1，2014年版的6.4.1)； i）更改了氧含量的检验结果判定（见7.5.2，2014年版的6.5.1)； j）更改了标志的内容（见8.1，2014年版的7.1)； k）更改了随行文件的内容（见8.5，2014年版的7.5）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：江苏鑫华半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体硅材料 股份公司、麦斯克电子材料股份有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有 限责任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海赛夫特半导体材料有限公司、宜昌 南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、东方电气（乐山)峨半 高纯材料有限公司。 本文件主要起草人：田新、蒋文武、赵培芝、万首正、李素青、秦榕、王彬、孙燕、贺东江、陈卫群、宗冰 徐岩、邱艳梅、李斌、刘晓霞、张遵、付绪光、董先君、潘金平、张园园、雷聪。 本文件于1991年首次发布，1996年第一次修订，2009年第二次修订，2014年第三次修订，本次为 第四次修订
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T12963一2014《电子级多晶硅》，与GB/T12963一2014相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术变化如下： a）更改了适用范围（见第1章，2014年版的第1章）； b）更改了牌号要求（见4.1，2014年版的4.1.1)； c）更改了产品等级（见4.2，2014年版的4.1.2）； d）更改了不同等级电子级多晶硅的技术指标（见5.1，2014年版的4.2）； e）更改了结构要求（见5.3，2014年版的4.4）； f) 更改了试验方法的内容（见第6章，2014年版的第5章）； g）更改了检验项目的要求（见7.3，2014年版的6.3）； h）更改了取样及制样的内容（见7.4.1，2014年版的6.4.1)； i）更改了氧含量的检验结果判定（见7.5.2，2014年版的6.5.1)； j）更改了标志的内容（见8.1，2014年版的7.1)； k）更改了随行文件的内容（见8.5，2014年版的7.5）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：江苏鑫华半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体硅材料 股份公司、麦斯克电子材料股份有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有 限责任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海赛夫特半导体材料有限公司、宜昌 南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、东方电气（乐山)峨半 高纯材料有限公司。 本文件主要起草人：田新、蒋文武、赵培芝、万首正、李素青、秦榕、王彬、孙燕、贺东江、陈卫群、宗冰、 徐岩、邱艳梅、李斌、刘晓霞、张遵、付绪光、董先君、潘金平、张园园、雷聪。 本文件于1991年首次发布，1996年第一次修订，2009年第二次修订，2014年第三次修订，本次为 第四次修订
GB／T 32347.3-2015 轨道交通 设备环境条件 第3部分：信号和通信设备本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、 随行文件和订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
4.1 多晶硅的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 4.2 多晶硅按外形分为块状多晶硅和棒状多晶硅，按导电类型分为n型和p型，按技术指标 为4级
多晶硅的等级及相关技术指标应符合表1的规定
表 多晶硅等级及技术指标
5.2.1块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸应为6mm～150mm，混装时，线性 尺寸小于6mm的硅块应不超过总重量的1%；若对尺寸有其他要求时，可由供需双方协商确定。 5.2.2棒状多晶硅的直径及长度要求可由供需双方协商确定，其直径偏差应不大于5%。
多晶硅应无氧化夹层和温度夹层
5.4.1多晶硅表面结构应致密、平整，断面边缘颗粒不大于3mm。 5.4.2多晶硅的外观应无色斑、变色及可见的污染物。 5.4.3如对多晶硅的表面质量有其他要求，由供需双方协商确定
5.4.1多晶硅表面结构应致密、平整，断面边缘颗粒不大于3mm，
对多晶硅进行施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含 金前应按照GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的方法制成单晶试样。 多晶硅中施主杂质含量、受主杂质含量的检验按GB/T24574或GB/T24581的规定进行。仲 险按GB/T24581的规定进行。
6.3 多晶硅中碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.4 多晶硅基体金属杂质含量的检验按GB/T37049的规定进行。 6.5 5多晶硅表面金属杂质含量的检验按GB/T24582的规定进行。 6.6多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7多晶硅电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8多晶硅少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9多晶硅中氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。 6.11多晶硅结构（氧化夹层、温度夹层）的检验按GB/T4061的规定进行。 6.12多晶硅的断面边缘颗粒尺寸用相应精度的量具测量，其他表面质量目视检查。
65.3 多晶硅中碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 65.4 多晶硅基体金属杂质含量的检验按GB/T37049的规定进行。 6.5 多晶硅表面金属杂质含量的检验按GB/T24582的规定进行。 6.6 多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7 7多晶硅电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8 多晶硅少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9 9多晶硅中氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。 6.11多晶硅结构（氧化夹层、温度夹层）的检验按GB/T4061的规定进行。 6.12多晶硅的断面边缘颗粒尺寸用相应精度的量具测量DB11／ 554.8-2015 公共生活取水定额 第8部分：商场，其他表面质量目视检查。
7.1.1产品由供方或第三方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。若检验结果与本文件或订货单的规定不符时 应在收到产品之日起3个月内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决
产品应成批提交验收，每批
7.3.1每批产品应对施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量、尺 寸及允许偏差、结构、表面质量进行检验。 7.3.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量 双方协商确定是否检验并在订货单中注明
7.4.1施主杂质含量、受主杂质含量、导电类型、少数载流子寿命、碳含量、氧含量、基体金属杂质含量、 表面金属杂质含量、尺寸及允许偏差、表面质量的取样及制样由供需双方协商确定。 7.4.2电阻率的取样及制样按GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的规定进行，氧化夹层和温度 夹层的取样及制样按GB/T4061的规定进行。仲裁时取样及制样由供需双方协商确定，
7.5.1多晶硅的施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验 结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。重复试 验结果仍有不合格者，判该批产品不合格。 7.5.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸及允许偏差、结构、表面质量检验结果的判定 由供需双方协商确定。
7.5.1多晶硅的施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验 结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。重复试 检结果仍有不合格者室外排水管道安装施工工艺标准（QB-CNCEC J050601-2004），判该批产品不合格。 .5.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸及允许偏差、结构、表面质量检验结果的判定 由供需双方协商确定
8标志、包装、运输、贮存及随行文件
产品包装箱外应标有“小心轻放”及“防潮”字样或标志、并注明 a） 产品名称、牌号； b） ）产品数量、净重； c) 供方名称。