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GB／T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法.pdf简介：

GB/T 42271-2022标准的全称为《半绝缘碳化硅单晶电阻率非接触测试方法》，该标准主要针对的是半绝缘碳化硅（SiC）单晶材料的电阻率测量，特别强调了非接触测试方法。

碳化硅单晶是一种重要的半导体材料，其电阻率是一个关键的参数，影响其在电子器件中的应用性能。传统的电阻率测量方法可能需要物理接触，这可能会对材料造成损伤或影响测量精度。非接触测试方法则可以避免这些问题，通过电磁、光或者其他无损的方式测量电阻率。

非接触测试方法可能包括但不限于以下几个步骤： 1. 设计并制造非接触测试设备，通常会利用高频电磁场、光辐射等手段。 2. 将待测样品置于设备中，确保与其正确交互。 3. 通过设备施加刺激信号，如电流或磁场。 4. 通过测量设备对信号的响应，推算出样品的电阻率。 5. 根据测量结果分析和评估样品的性能。

该标准详细规定了测试条件、测量方法、误差控制和结果报告等，以确保半绝缘碳化硅单晶电阻率的准确、可靠和无损测量。对于从事碳化硅单晶生产和应用的科研机构、企业等，遵循该标准可以提供统一的测试依据，提升产品质量和测试效率。

GB／T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法.pdf部分内容预览：

国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安 徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六 研究所。 本文件主要起草人：彭同华、余宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜。

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安 徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六 研究所。 本文件主要起草人：彭同华、余宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜。

DBJ50-112-2016 现浇混凝土桥梁梁柱式模板支撑架安全技术规范.pdfGB/T42271 2022

半绝缘碳化硅单晶的电阻率

本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为1×10Q·cm~1×10²Q·cm的半绝缘碳化硅单晶片

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30656碳化硅单晶抛光片

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件，

非接触式电阻率测试采用电容充放电原理。首先对样品进行瞬时充电，再利用仪器实时监测放电 过程中的电量，从而得到其变化的弛豫曲线，之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间（t），最后通过 弛豫时间（）计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率。

5.1 测试过程中用的测试机台应无振动、无电磁干扰且良好接地。 5.2 温度：（23士3）°C；相对湿度（RH）：60%±20%

6.1不同的光强，对电阻率的测试结果有影响，在测试过程中应关闭设备的遮光罩。 6.2静电、振动测试环境对电阻率的测试结果有影响，测试过程中应采取严格的屏蔽措施。 6.3样品表面、吸附载物台及测试探头上的颗粒沾污会影响半绝缘碳化硅单晶片的电阻率，测试前应 确认样品表面、吸附载物台及测试探头无肉眼可见的大颗粒沾污。 6.4样品厚度的变化会对电阻率的测试结果有影响，测试前应确保样品厚度均匀。

不同的光强，对电阻率的测试结果有影响，在测试过程中应关闭设备的遮光罩。 静电、振动测试环境对电阻率的测试结果有影响，测试过程中应采取严格的屏蔽措施。 样品表面、吸附载物台及测试探头上的颗粒沾污会影响半绝缘碳化硅单晶片的电阻率，测试前 认样品表面、吸附载物台及测试探头无肉眼可见的大颗粒沾污。 样品厚度的变化会对电阻率的测试结果有影响，测试前应确保样品厚度均匀。

. 探头：电容式探头装置基本结构如图1所示，其中处于探头中心的是电荷放大器电极，用于实时监 测电量变化，其直径为1mm。

图 电容式探头装置基本结构示意图

8.1半绝缘碳化硅单晶片的样品直径为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm，样品厚 度为200μm~5000μm。 8.2样品表面应无大面积缺陷，并确保表面洁净，表面粗糙度（Ra)应小于10μm。 8.3样品局部厚度偏差应不大于10μm（测试区域：10mm×10mm），全片总厚度偏差应不大于30um。

半绝缘碳化硅单晶片的样品直径为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm，样品厚 度为200μm~5000μm。 8.2样品表面应无大面积缺陷，并确保表面洁净，表面粗糙度（Ra)应小于10μm。 8.3样品局部厚度偏差应不大于10pm（测试区域：10mm×10mm），全片总厚度偏差应不大于30gm。

使用砷化镓标样晶片进行设备校准。调整Z轴的最大行程及气体（氮气/空气）流量，使电容上的 瞬时电压为0.75V（砷化的活化能为0.75V)，确定Z轴的最大行程及气压设定正确，测得的砷化 标样晶片电阻率的值与标准值的差应在误差范围内。 注：活化能指电子从基态变为激发态所需要的能量

将待测样品放置在吸附载物台上，打开真空吸附泵并开启计算机软件。 2 根据待测样品的尺寸选择对应的程序文件，选择晶片材料类型为碳化硅，输人样品编号、样品

里其乐油旋片真空泵 发GB/T42271 2022

度及测试点数，点击开始测试，探头将在电机的控制下自动移动到待测位置。 9.2.3计算机根据测试需求将待测样品表面划分成若干个等面积的测试区域（见9.3），并控制仪器依 次测试这些区域的电阻率 9.2.4测试完毕.取下样品

测试点边缘去除区应符合GB/T30656的要求，测试点分布如图2所示，具体测试点个数及要 合表1的规定，圆内每个网格的中心为测试点

同直径碳化硅单晶片电阻率测试点的个数及要求

选取3片直径为100.0mm，电阻率范围为1×10°Ω·cm～1×10²Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶

片，采用非接触式电阻率测试仪按照本文件规定的方法分别进行测试。单一实验室对半绝缘碳化硅单 晶片电阻率测试的相对标准偏差不大于10%；3个测试单位对半绝缘碳化硅单晶片电阻率测试的相对 标准偏差不大于20%

片农业园区还建房施工组织设计，采用非接触式电阻率测试仪按照本文件规定的方法分别进行测试。单一实验室对半绝缘碳化硅单 晶片电阻率测试的相对标准偏差不大于10%；3个测试单位对半绝缘碳化硅单晶片电阻率测试的相对 标准偏差不大于20%

试验报告应包含下列内容： a） 测试样品名称、样品编号； b） 本文件编号； c) 测试日期； 测试样品厚度、电阻率最大值、最小值、平均值； e) 测试结果输出图； f 1 测试人员、复核人员签字盖章； g 其他。