GB／T 38240-2019 标准规范下载简介

GB／T 38240-2019 无损检测仪器 射线数字探测器阵列制造特征简介：

GB/T 38240-2019 是中国国家标准，全称为“无损检测仪器 射线数字探测器阵列制造特征简介”。这份标准主要规定了射线数字探测器阵列的制造特征描述，包括其性能参数、制造要求、测试方法、标志与包装等内容，旨在规范和指导射线数字探测器阵列的生产、检验和使用。

其主要内容可能包括以下几个部分：

1. 定义和术语：对射线数字探测器阵列相关的重要概念和术语进行定义，确保所有参与者对标准有统一的理解。

2. 性能参数：规定了数字探测器阵列的关键性能指标，如分辨率、灵敏度、动态范围、线性度等，以确保产品的质量。

3. 制造要求：对数字探测器阵列的材料选择、制造工艺、组装过程等进行规定，以保证产品的稳定性和可靠性。

4. 测试方法：提供了检测数字探测器阵列性能的实验方法和步骤，以便进行质量控制和验收。

5. 标志与包装：规定了产品的标签、说明书以及包装的要求，确保信息的完整性和产品的运输安全。

6. 其他：可能还包括产品的环保要求、安全使用指南、售后服务等内容。

这份标准的实施，对于提升我国无损检测仪器行业的技术水平，保障产品质量，促进国际交流和贸易具有重要意义。

GB／T 38240-2019 无损检测仪器 射线数字探测器阵列制造特征部分内容预览：

GB/T38240—2019

平均灰度值之间的比值

[天津]31000平钢框架博物馆施工组织设计GB/T38240—2019

本标准提供了一种在通常技术测量条件下比较数字探测器阵列的方式。利用这种方式，在 即使使用完全不同的数字探测器阵列，只要经过适当调整，包括采用适当的几何放大或其他工业 设置方法对装置的缺陷进行补偿，也可以获得同样的结果。 用户应掌握并理解本标准中所有定义及相应的性能参数，这样才能针对特定应用目标，正确1

GB/T38240—2019

5.1用于像元空间分辨率（SRb）的双线像质计

STME2002相关要求设计，用于测量SRb和不

5.3用于测量数字探测器阵列效率的滤波片

用于测量过曝光损伤和内部散射辐射的滤波片为铜板，其厚度应不小于16mm[见5.3g)」，其规格 为100mm×75mm，并且应至少有一边有锐利的边缘（不推荐使用小尺寸探源）。如果数字探测器阵 列本身小于15cm×15cm，使用铜板的规格尺寸应为数字探测器阵列激活区域的25%

GB/T 382402019

6.1数字探测器阵列校准比对方法

在认证测试前，应对数字探测器阵列进行校准比对，通过数字探测器阵列偏置图像或数字探测器 益图像（参见3.17和3.18）的校正方式产生制造商建议的修正图像。进行校准测试十分重要，而 过程中也要进行例行的常规校准。这样可以确保制造商收集的数据与系统投人使用后收集到的 切匹配。

6.2数字探测器阵列坏像素点标准操作

通常情况下，制造商可以通过不同的方法修正坏像素点。如有必要，可根据制造商提供的坏像素点 修正方法对认证测试收集到的图像中坏像素点进行修正。可以根据下列定义来判定坏像素点和好像素 点。根据这些定义，针对特定的探测器型号，制造商在统计的基础上设定了分类标准，确定了该型号探 则器产生坏像素点的“典型”结果。交付使用的数字探测器阵列系统中，坏像素点的判定和修正的设置 根据制造商和供应商之间的协议来确定

6.2.2坏像素点的定义和测试

6.2.3.1单坏像素点一一单个坏像素点，与其相邻的其他像素点都是好像素点。 6.2.3.2坏像素点集群一一两个或两个以上的相连坏像素点被称为坏像素点集群。这里的相连是指像 素点的一边或一角与其他像素点相连（最大可能有8个相邻像素点）。如果一个像素点与其相邻的好像 累点没超过5个，该像素点则被称为集群核心像素点（CKP） 6 2 3 3一加用一个焦群由没右售群核心像素点（CKP）该焦群刚可目终正价估并日极是终正这种焦

6.2.3.1单坏像素点一一一单个坏像素点，与其相邻的其他像素点都是好像素点。 6.2.3.2坏像素点集群一一一两个或两个以上的相连坏像素点被称为坏像素点集群。这里的相连是指像 素点的一边或一角与其他像素点相连（最大可能有8个相邻像素点）。如果一个像素点与其相邻的好像 素点没超过5个，该像素点则被称为集群核心像素点（CKP）。 6.2.3.3如果一个集群中没有集群核心像素点（CKP），该集群则可具修正价值，并且极易修正，这种集

详称之为不相干集群。这种集群是按其周围的矩形尺寸以及不相干集群的坏像素点数量来命名的，例

7.1每次测试时，均应根据测试方法对光束过滤进行确定。值得注意的是内置光束滤波片应安装在X 射线管窗口。如有可能，应获取上述值，并将其记录，并列表。 7.2在所有测量中，除了另有特殊规定外，用于性能测试时，X射线源与探测器之间的距离（SDD)应大 于1000mm。在通常情况下，光束不应与干扰物体产生相互作用，除非特意安排物体与其产生相互作 用。此外，还应通过在射线源上使用光学准直设备，使光束辐照面积尽量接近（不能远大于）探测器区 或。注意本方法中给出的曝光时间可以通过数字探测器阵列实现的延长曝光或多顿照相相结合得到。 尽管如此，无论使用哪种方式，均应在测试报告中记录相关信息，并且在所有测试中都要使用相同的数 字探测器阵列集成时间（每帧）。在本标准以下章条中，每当得到图像时，该图像就会按一个相应的格式 存贮下来，在该格式中包括获取图像的完整比特（位数）深度以便于后续分析。 7.3由于X射线焦斑尺寸有限以及几何放大造成了图像不清晰度，但这种图像不清晰度应不超过 ASTME1742中辐射照相操作规程的规定范围

GB/T 382402019

7.9可达到的对比灵敏度测试方法如下： 在5.2中定义的阶梯楔图像质量指示器由三种不同材料构成。测试过程中（这些材料）使用的 厚度范围应符合5.2的规定。在进行测试时，阶梯楔的安装位置应至少与探测器保持600mm 的距离（而SDD则应大于1000mm）。预滤波片应直接安装在X射线管之前。应对光束进行 准直处理，确保曝光区域局限于阶梯楔。同时，应在数据表（输入）中记录使用的预滤波片。 b) 如果探测器区域过小，仅靠一张图像无法将阶梯完全涵盖，则应在X射线和数字探测器阵 列设置保持相同的条件下，收集两张或两张以上的图像以完全涵盖阶梯楔。 c）进行测量时，使用的能量应设置为160kV，使用的过滤铜板厚度应为0.5mm。在这种光束能 谱条件下的X射线管的电流（mA)也应确定，以确保在所有测试所采用的集成时间内，厚度最 小的阶梯楔上数字探测器阵列不会产生饱和现象。通过多顿叠加获得图像，得到图像的有效 曝光时间应至少包括1s、4s、16s和64s。如有需要，制造商还可以提供其他曝光时间的 数据。 7.10特定材料厚度范围的测量方法：如果已经完成7.9规定的步骤，进行特定材料厚度范围的测试 时，不需要采取另外的测量方法。如果确实需要独立于CS测试而单独完成，则可根据7.9规定的步骤 进行。

可达到的对比灵敏度测试方法如下： a）在5.2中定义的阶梯楔图像质量指示器由三种不同材料构成。测试过程中（这些材料）使用的 厚度范围应符合5.2的规定。在进行测试时，阶梯楔的安装位置应至少与探测器保持600mm 的距离（而SDD则应大于1000mm）。预滤波片应直接安装在X射线管之前。应对光束进行 准直处理，确保曝光区域局限于阶梯楔。同时，应在数据表（输入）中记录使用的预滤波片。 b）如果探测器区域过小，仅靠一张图像无法将阶梯楔完全涵盖，则应在X射线和数字探测器 列设置保持相同的条件下，收集两张或两张以上的图像以完全涵盖阶梯楔。 c）进行测量时，使用的能量应设置为160kV，使用的过滤铜板厚度应为0.5mm。在这种光束能 谱条件下的X射线管的电流（mA)也应确定，以确保在所有测试所采用的集成时间内，厚度最 小的阶梯楔上数字探测器阵列不会产生饱和现象。通过多顿叠加获得图像，得到图像的有效 曝光时间应至少包括1s、4s、16s和64S。如有需要，制造商还可以提供其他曝光时间的 数据。 特定材料厚度范围的测量方法：如果已经完成7.9规定的步骤，进行特定材料厚度范围的测试 不需要采取另外的测量方法。如果确实需要独立于CS测试而单独完成，则可根据7.9规定的步骤 残影和过曝光损伤的测量方法如下： a）残影的测量方法： 1）可以通过使用一个图像序列测量探测器的残影。开启数字探测器阵列的电源，但其暴露 在辐射环境条件下的时间不超过30min。在其启动前，应（在没有辐射的条件下）首先获 取一张偏置图像（图像0）。 2） 数字探测器阵列暴露在辐射环境中的时间应不少于30min，在这个辐射环境中剂量率保 持恒定为120kV（0.5mm的铜过滤），灰度值为饱和灰度值的80%。此过程完成后，应立 即产生一张图像，该图像的总曝光时间大约为4s。 3）接下来就可以在70s内采集一个图像序列，在序列图像成像开始后约5s关闭X射线。 注：进行这种测试时，不需要使用偏置和增益修正。 b）过曝光损伤的测量方法： 1) 测量过曝光损伤的条件：在120kV的能量条件下，用一个厚度为16mm的铜板直接放置 在数字探测器阵列表面上，铜板覆盖数字探测器阵列表面一半。数字探测器阵列应被曝 光30min，灰度值为未被铜板覆盖的另一半数字探测器阵列区域饱和灰度值的80%。然 后关闭文射线，将铜板移开。接着，再让数字探测器阵列在同样能量的辐射环境中暴露 但辐射剂量为原有辐射剂量的1/10。采集一张图像，该图像的有效曝光时间为30S。 细观察图像，会发现图像中原来放置铜板（被铜板覆盖)的区域会出现肉眼可见阴影。 2） 数字探测器阵列暴露在辐射环境中接受剂量照射30min后，应立即移走其上覆盖的铜 板，然后迅速曝光30s产生图像。在此过程中任何拖延都会影响到测量结果的准确性

7.11残影和过曝光损伤的测量方法如下

残影的测量方法： 1）可以通过使用一个图像序列测量探测器的残影。开启数学探测器阵列的电源，但其 在辐射环境条件下的时间不超过30min。在其启动前，应（在没有辐射的条件下）首： 取一张偏置图像（图像0） 2） 数字探测器阵列暴露在辐射环境中的时间应不少于30min2016年二级建造师建设工程法规真题及答案，在这个辐射环境中剂量 持恒定为120kV（0.5mm的铜过滤），灰度值为饱和灰度值的80%。此过程完成后， 即产生一张图像，该图像的总曝光时间大约为4s。 3）接下来就可以在70s内采集一个图像序列，在序列图像成像开始后约5s关闭X射线 进行这种测试时，不需要使用偏置和增益修正

b）过光损伤的测量方法：

1）测量过曝光损伤的条件：在120kV的能量条件下，用一个厚度为16mm的铜板直接放置 在数字探测器阵列表面上，铜板覆盖数字探测器阵列表面一半。数学探测器阵列应被曝 光30min，灰度值为未被铜板覆盖的另一半数字探测器阵列区域饱和灰度值的80%。然 后关闭X射线，将铜板移开。接着，再让数字探测器阵列在同样能量的辐射环境中暴露， 但辐射剂量为原有辐射剂量的1/10。采集一张图像，该图像的有效曝光时间为30s。仔 细观察图像，会发现图像中原来放置铜板（被铜板覆盖）的区域会出现肉眼可见阴影。 2） 数字探测器阵列暴露在辐射环境中接受剂量照射30min后，应立即移走其上覆盖的铜 板，然后迅速曝光30S产生图像。在此过程中任何拖延都会影响到测量结果的准确性 然后，分别在1h、4h和24h后重复上述测量，但在每次测量之间不需要再对数字探测器 阵列进行另外的辐射剂量照射

7.12坏像素点的测量方法

以下所述为判定坏像素点所需的数据。所有的测量均应在100kV辐射条件下，使用0.5mm 铜制预滤波片的条件下进行。对于特定型号的数字探测器阵列而言，需要根据一组探测器（探

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