GB/T 12963-2022 电子级多晶硅.pdf

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GB/T 12963-2022 电子级多晶硅.pdf简介:

GB/T 12963-2022 是中国国家标准,全称为《电子级多晶硅》。这个标准定义了电子级多晶硅的产品技术要求、试验方法、检测规则以及标记、包装、运输和储存等方面的规定。电子级多晶硅是一种高纯度的硅材料,主要用于半导体工业,特别是制造集成电路、晶体管、太阳能电池等电子设备。

电子级多晶硅对纯度要求极高,杂质含量极低,具有良好的半导体性能,是现代电子工业的基础材料。其生产过程包括硅的提纯、生长、切割和抛光等多个步骤,对工艺控制和设备精度要求非常高。

该标准的发布,旨在规范电子级多晶硅的生产和检验,保障产品的质量稳定,推动我国电子级多晶硅产业的技术进步和健康发展。

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国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T12963一2014《电子级多晶硅》,与GB/T12963一2014相比,除结构调整和编辑 性改动外,主要技术变化如下: a)更改了适用范围(见第1章,2014年版的第1章); b)更改了牌号要求(见4.1,2014年版的4.1.1); c)更改了产品等级(见4.2,2014年版的4.1.2); d)更改了不同等级电子级多晶硅的技术指标(见5.1,2014年版的4.2); e)更改了结构要求(见5.3,2014年版的4.4); f)更改了试验方法的内容(见第6章,2014年版的第5章); g)更改了检验项目的要求(见7.3,2014年版的6.3); h)更改了取样及制样的内容(见7.4.1,2014年版的6.4.1); i)更改了氧含量的检验结果判定(见7.5.2,2014年版的6.5.1); j)更改了标志的内容(见8.1,2014年版的7.1); k)更改了随行文件的内容(见8.5,2014年版的7.5)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:江苏鑫华半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体硅材料 股份公司、麦斯克电子材料股份有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有 限责任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海赛夫特半导体材料有限公司、宜昌 南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、东方电气(乐山)峨半 高纯材料有限公司。 本文件主要起草人:田新、蒋文武、赵培芝、万首正、李素青、秦榕、王彬、孙燕、贺东江、陈卫群、宗冰 徐岩、邱艳梅、李斌、刘晓霞、张遵、付绪光、董先君、潘金平、张园园、雷聪。 本文件于1991年首次发布,1996年第一次修订,2009年第二次修订,2014年第三次修订,本次为 第四次修订

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T12963一2014《电子级多晶硅》,与GB/T12963一2014相比,除结构调整和编辑 性改动外,主要技术变化如下: a)更改了适用范围(见第1章,2014年版的第1章); b)更改了牌号要求(见4.1,2014年版的4.1.1); c)更改了产品等级(见4.2,2014年版的4.1.2); d)更改了不同等级电子级多晶硅的技术指标(见5.1,2014年版的4.2); e)更改了结构要求(见5.3,2014年版的4.4); f) 更改了试验方法的内容(见第6章,2014年版的第5章); g)更改了检验项目的要求(见7.3,2014年版的6.3); h)更改了取样及制样的内容(见7.4.1,2014年版的6.4.1); i)更改了氧含量的检验结果判定(见7.5.2,2014年版的6.5.1); j)更改了标志的内容(见8.1,2014年版的7.1); k)更改了随行文件的内容(见8.5,2014年版的7.5)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:江苏鑫华半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体硅材料 股份公司、麦斯克电子材料股份有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有 限责任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海赛夫特半导体材料有限公司、宜昌 南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、东方电气(乐山)峨半 高纯材料有限公司。 本文件主要起草人:田新、蒋文武、赵培芝、万首正、李素青、秦榕、王彬、孙燕、贺东江、陈卫群、宗冰、 徐岩、邱艳梅、李斌、刘晓霞、张遵、付绪光、董先君、潘金平、张园园、雷聪。 本文件于1991年首次发布,1996年第一次修订,2009年第二次修订,2014年第三次修订,本次为 第四次修订

GB/T 32347.3-2015 轨道交通 设备环境条件 第3部分:信号和通信设备本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、 随行文件和订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件

4.1 多晶硅的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 4.2 多晶硅按外形分为块状多晶硅和棒状多晶硅,按导电类型分为n型和p型,按技术指标 为4级

多晶硅的等级及相关技术指标应符合表1的规定

表 多晶硅等级及技术指标

5.2.1块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布,其线性尺寸应为6mm~150mm,混装时,线性 尺寸小于6mm的硅块应不超过总重量的1%;若对尺寸有其他要求时,可由供需双方协商确定。 5.2.2棒状多晶硅的直径及长度要求可由供需双方协商确定,其直径偏差应不大于5%。

多晶硅应无氧化夹层和温度夹层

5.4.1多晶硅表面结构应致密、平整,断面边缘颗粒不大于3mm。 5.4.2多晶硅的外观应无色斑、变色及可见的污染物。 5.4.3如对多晶硅的表面质量有其他要求,由供需双方协商确定

5.4.1多晶硅表面结构应致密、平整,断面边缘颗粒不大于3mm,

对多晶硅进行施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含 金前应按照GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的方法制成单晶试样。 多晶硅中施主杂质含量、受主杂质含量的检验按GB/T24574或GB/T24581的规定进行。仲 险按GB/T24581的规定进行。

6.3 多晶硅中碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.4 多晶硅基体金属杂质含量的检验按GB/T37049的规定进行。 6.5 5多晶硅表面金属杂质含量的检验按GB/T24582的规定进行。 6.6多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7多晶硅电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8多晶硅少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9多晶硅中氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。 6.11多晶硅结构(氧化夹层、温度夹层)的检验按GB/T4061的规定进行。 6.12多晶硅的断面边缘颗粒尺寸用相应精度的量具测量,其他表面质量目视检查。

65.3 多晶硅中碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 65.4 多晶硅基体金属杂质含量的检验按GB/T37049的规定进行。 6.5 多晶硅表面金属杂质含量的检验按GB/T24582的规定进行。 6.6 多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7 7多晶硅电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8 多晶硅少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9 9多晶硅中氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。 6.11多晶硅结构(氧化夹层、温度夹层)的检验按GB/T4061的规定进行。 6.12多晶硅的断面边缘颗粒尺寸用相应精度的量具测量DB11/ 554.8-2015 公共生活取水定额 第8部分:商场,其他表面质量目视检查。

7.1.1产品由供方或第三方进行检验,保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。若检验结果与本文件或订货单的规定不符时 应在收到产品之日起3个月内以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决

产品应成批提交验收,每批

7.3.1每批产品应对施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量、尺 寸及允许偏差、结构、表面质量进行检验。 7.3.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量 双方协商确定是否检验并在订货单中注明

7.4.1施主杂质含量、受主杂质含量、导电类型、少数载流子寿命、碳含量、氧含量、基体金属杂质含量、 表面金属杂质含量、尺寸及允许偏差、表面质量的取样及制样由供需双方协商确定。 7.4.2电阻率的取样及制样按GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的规定进行,氧化夹层和温度 夹层的取样及制样按GB/T4061的规定进行。仲裁时取样及制样由供需双方协商确定,

7.5.1多晶硅的施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验 结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时,则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。重复试 验结果仍有不合格者,判该批产品不合格。 7.5.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸及允许偏差、结构、表面质量检验结果的判定 由供需双方协商确定。

7.5.1多晶硅的施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验 结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时,则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。重复试 检结果仍有不合格者室外排水管道安装施工工艺标准(QB-CNCEC J050601-2004),判该批产品不合格。 .5.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸及允许偏差、结构、表面质量检验结果的判定 由供需双方协商确定

8标志、包装、运输、贮存及随行文件

产品包装箱外应标有“小心轻放”及“防潮”字样或标志、并注明 a) 产品名称、牌号; b) )产品数量、净重; c) 供方名称。

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