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SJ／T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法.pdf简介：

SJ/T 11765-2020 是中国电子工业标准化技术委员会制定的一项关于晶体管低频噪声参数测试方法的行业标准。该标准详细规定了如何对晶体管在低频范围内进行噪声参数的测量，以评估其在低频信号传输或放大过程中的性能。

晶体管低频噪声参数主要包括：1/f噪声、白噪声、1/f^2噪声等，这些都是衡量晶体管在静止状态下噪声性能的重要指标。1/f噪声通常与温度有关，随着温度的降低，噪声通常会减小；白噪声则表示在全频谱范围内噪声的强度分布；1/f^2噪声通常出现在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，与晶体管的结构特性有关。

测试方法可能包括但不限于以下步骤： 1. 设定测试环境，保持恒定的温度和电压条件。 2. 连接晶体管到噪声测试系统，通常使用噪声测量仪。 3. 选择合适的频率范围进行测量，如从 DC（直流）到某个可调的上限频率。 4. 重复测量并记录数据，以获取噪声参数的统计特性。 5. 数据分析，计算噪声系数、噪声温度等参数，评估晶体管的噪声性能。

该标准的应用有助于电子元件制造商和用户了解晶体管在低频噪声方面的性能，指导产品设计和选择，以满足特定的应用需求。

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SJ/T117652020

SJ/T117652020

本标准适用于双极型晶体管与场效应晶体管， 其他晶体管产品可参照执行

SJ/T117652020

【和田市】《城市总体规划》(2011年-2030年)晶体管低频噪声参数测试方法

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件， 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T4586 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4587 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文件 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T4586 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4587 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求

GB/T4586、GB/T4587和SJ/T11769界定的术语和定义适用于本文件

除SJ/T11796的规定外，晶体管低频噪声测试条件还应符合下列要求： a）场效应晶体管的低频噪声参数包括等效输入噪声电压、等效输入噪声电压功率谱密度和噪声系 数，双极型晶体管的低频噪声参数包括等效输入噪声电流、等效输入噪声电流功率谱密度和噪 声系数。 b 晶体管的低频噪声参数测试条件包括偏置电压、偏置电流、测试频率、源电阻。若产品详细规 范规定低频噪声参数测试条件，按照产品详细规范执行。对于无测试条件规定的，场效应晶体 管的跨导和双极型晶体管的静态电流放大倍数的测试条件作为低频噪声参数测试条件。

5测试系统的构成及要求

5测试系统的构成及要求

低频噪声测试系统的构成及要求应符合SJ/T11769的规定，同时能够提供低噪声正电源、低噪声 负电源。

晶体管低频噪声测试偏置电路原理如图1所示。被测晶体管的三个极S（E）、G（B）和D（C）分 别表示场效应晶体管的源极、栅极和漏极与双极晶体管的发射极、基极和集电极，低噪声电源分别为 被测品体管提供电压偏置和电流偏置，白噪声源是被测晶体管传输函数测试的激励源，源漏端的噪声

SI/T 117652020

号输出到低噪声前置放大器，低噪声前置放大器的十/一分别为信号的同向输入端/反向输入端。R 负载电阻，Rs为源电阻，若被测晶体管噪声参数测试无具体规定时，等效输入噪声电压功率谱密度 则试用源电阻R.通常为1k2，等效输入噪声电流功率谱密度测试用源电阻R.通常为1MQ

6.3等效输入噪声电压

按照下列步骤，进行噪声电压测试，计算等效输入噪声电压： a）接入被测晶体管，开关K断开，按照4b)要求设置与调节偏置电压、偏置电流等条件； b 调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器输出信号在数据采集分析设备量程内； 设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和噪声电压时间序列采集的时间，除另有规定外， 单次采集时间不少于32S:

6.4等效输入噪声电流功率谱密度

按照下列步骤，分别进行噪声电流功率谱密度和传输函数的测试，计算等效输入噪声电流功率谐 密度： a 接入被测晶体管，开关断开，按照4b）要求设置与调节偏置电压、偏置电流等条件： b 调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器输出信号在数据采集分析设备量程内； C 设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和测量平均次数。除另有规定外，测量平均次数 不少于16次； d 进行噪声电流功率谱密度测试。 e 开关闭合，按照6.4b）～6.4d）步骤，测试晶体管的噪声电流功率谱密度： 测试白噪声源的噪声电流功率谱密度； g） 按照SJ/T11769的公式（3）计算得到被测晶体管的传输函数： h 由6.4d)得到的噪声电流功率谱密度除以6.4g)得到的传输函数，得到被测晶体管的等效鞘 入噪声电流功率谱密度。典型噪声电流功率谱密度图谱参见附录A。

6.5等效输入噪声电流

按照下列步骤，测试并计算噪声系数： a）按照6.2的要求，测试等效输入噪声电压功率谱密度； b）按照4b）中规定的测试频率JC∕T 868-2000 金属面硬质聚氨酯夹芯板，对6.6a）得到的等效输入噪声电压功率谱密度取均方根值，计 算等效输入噪声电压有效值E c）按照SJ/T11769的公式（1）计算源电阻Rs所产生的热噪声电压Et； d）由6.6b）得到的等效输入噪声电压有效值E和6.6c）得到的热噪声电压E，按照SJ/T11769 的公式（2）计算得到被测晶体管噪声系数N。典型噪声系数图谱参见附录A。

测试数据的记录应符合下列要求： a）测试记录应包括：测试环境条件、产品型号规格、批号、编号，偏置电压、偏置电流、测试频 率、源电阻，噪声电压功率谱密度、噪声电压、噪声电流功率谱密度和噪声电流等参数。 b）按照被测晶体管对应型号产品详细规范规定的要求，形成测试报告。

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图A.2场效应晶体管的噪声系数

声系数测试图谱如图A.2所示，频率范围为1Hz3

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图A.3双极型晶体管的等效输入噪声电流功率谱密度

典型双极晶体管的噪声系数测试图谱如图A.4所示GB／T 20975.19-2020标准下载，频率范围为1Hz～300kHz

双极型晶体管的噪声系