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GB／T 31275-2020 照明设备对人体电磁辐射的评价.pdf简介：

"GB/T 31275-2020 照明设备对人体电磁辐射的评价"是中国国家标准（GB/T）中的一项技术标准，它主要关注照明设备在使用过程中可能产生的电磁辐射对人体健康的影响。该标准为照明设备的设计、生产和使用提供了电磁辐射控制的指导，确保这些设备在提供照明的同时，不会对人体产生过高的电磁场暴露。

标准内容可能包括电磁辐射的测量方法、限值规定、测试程序、以及如何通过设计和制造过程降低照明设备的电磁辐射水平。它适用于各类照明设备，包括但不限于白炽灯、荧光灯、LED灯等，以保障公众健康和安全。

该标准的发布日期为2020年，意味着它包含了最新的电磁辐射控制技术和对人体健康影响的科学研究成果。通过遵循该标准，制造商和用户可以确保照明设备在满足功能需求的同时，符合电磁辐射控制的最新要求。

GB／T 31275-2020 照明设备对人体电磁辐射的评价.pdf部分内容预览：

GB/T31275—2020/IEC62493:2015

图B.1～图B.1o包含了范德霍夫（VanderHoofden）测试头相对于被测照明设备有关的布局 方向)。另见 6.4 和 6.5 关于测量布局的详细规定

JTS∕T 209-2020 水运工程结构防腐蚀施工规范～图B.1o包含了范德霍夫（VanderHoofden）测试头相对于被测照明设备有关的布局（位 另见6.4和6.5关于测量布局的详细规定

这适用于嵌入、表面或杆式安装的照明设备 注：例子包括带有双端荧光灯的灯具，

照明设备 注：例子包括带有双端荧光灯的灯具

图B.1照明设备横向测量点的位置图（侧视图）

这适用于嵌入、表面或灯杆安装的照明设备 注：例子包括带有双端荧光灯的灯具

这适用于嵌、表面或灯杆安装的照明设备 注：例子包括带有单端荧光灯的灯具。

B/T31275—2020/IEC62493:2015

测量距离按表A.1中规定

8.3照明设备纵向测量点的位置一在照明方向

图B.4尺寸旋转对称照明设备测量点的位置

这适用于嵌人、表面或灯杆安装的照明设备。 注：例子包括带有单端荧光灯或其他单端灯的灯具

图B.5尺寸旋转对称照明设备测量点的位置一在照明方向

这适用于嵌入、表面或灯杆安装的照明设备。 注：例子包括带有单端荧光灯或其他单端灯的灯具

图B.6x轴和y轴上具有相同尺寸的照明设备测量点的位置

可在照明设备圆周上指定附加的测量点

图B.7带单端灯照明设备测量点的位置（360°照明）

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图B.8带远程控制装置照明设备测量点的位

图B.9独立电子转换器测量点的位置

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直于荧光灯，位置如图B.2所示距灯端距离15cm处。 图B.10上照灯测量点位置（落地式/悬挂式）

图B.10上照灯测量点位置（落地式/悬挂式）

B/T31275—2020/IEC62493:2015

本附录给出的暴露限值（参见参考文献[1]、[2]、[3]和[4])仅供参考，它不包括详尽的限值清单和 又在世界某些地区有效的限值。本标准的使用者有责任确保他们使用适用的国家规定的当前版本的 限值。

C.2国际非电离辐射防护委员会（ICNIRP

C.2.1ICNIRP 1998

表C.1给出了普通公众暴露于100kHz～10GHz之间频率时变电场和磁场的基本限制（参见参 [17】。

于100kHz~10GHz之间频率时变电场和磁场

C.2.2ICNIRP 2010

表C.2给出了普通公众暴露不大于10MHz频率时变电场和磁场的基本限制（参见参考文献[2

普通公众暴露于不大于10MHz频率时变电场

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C.3电气电子工程师学会（IEEE）

表C.3给出了IEEE对普通公众在0Hz～3kHz的基本限值（BR)（参见参考文献[4），表C.4给 IEEE对普通公众在100kHz～3GHz的基本限值（BR)（参见参考文献[3)

表C.3IEEE对普通公众的基本限制（BR）

注：表C.3及本标准其他章条有时给出三位有效数字，仅是为了让读者能够理解本标准中陈述的各种推导及关系， 并不意味着数字量达到该精度。

IEEE在100kHz~3GHz之间对普通公众的基

暴露 四肢和耳廊 4 20 指没有专门辐射保护措施的公众。 SAR为一定平均时间内的平均值， 任意10g组织（定义为立方体形状的组织体积，立方体体积约为10cm"）的平均值。 四肢指分别从肘部和膝部到手臂和腿部末梢的部位

SAR为一定平均时间内的平均值。 任意10g组织（定义为立方体形状的组织体积，立方体体积约为10cm"）的平均值。 四肢指分别从肘部和膝部到手臂和腿部末梢的部位

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本附录给出的基于ICNIRP和IEEE的暴露限制符合性的测量和评价方法（参见图D.1），包括对内 部电场（参见D.2)和热效应（参见D.3)的评价。本附录中的评估是基于以下情况：设备不包括有意辐射 本，设备的非有意电磁辐射符合适用于照明设备的电磁兼容性（EMC)要求。作为一个典型的例子，本 附录采用了照明设备电磁干扰国际IEC标准（CISPR15）。然而，可以使用其他EMC辐射标准进行类 以的评估。请注意，虽然本附录是基于CISPR15限值进行计算，但即使超出这些限值的幅度很大，也 不太可能造成EMF安全风险。 如果照明设备包括有意辐射体，则适月 加的合规标准。详情见附录1和第7章

根据基本限制，人（人体)中的感应内部电场应符合式（D.1）

图D.1测量和评估方法概述

M E(fr,d) n,Em(f)

E（f:，d）一一频率为f：和根据附录A测量距离d时测得的感应内部电场； ELim（f）一频率为f：时，表C.2的内部电场基本限值。 人（人体）中的感应内部电场可由以下因素引起： 人（人体）体中因D.2.2所述受试照明设备的磁场产生的涡电流； 因D.2.3所述电场产生的从受试照明设备到人（人体）的电容电流。 那么，式（D.1）可改写为：

MHz Eeddy(f:,d) H Eap(f:,d) ≤1 .....( D.2 ELim(f.) ELim (f)

Eedy（f:，d）一一频率为f：和根据附录A测量距离d时，因外部磁场产生的感应内部电场； Ep（f:，d）一一频率为f：和根据附录A测量距离d时，因外部电场产生的感应内部电场。 为避免噪声和红外干扰，照明设备中功率转换器的频率大于20kHz。因此，式(D.2)可改写为：

Eeddy (f mains + d ) > Eeddy (fid) Ecap (f mains d) Eap (fid) E Lim(f mains ) + ELm(f) E uim (f mins) ELm(f.) S1 i 20 kHz i20kHz (D.4.a) (D.4.b) (D.4.c) (D.4.d)

D.2.2和D.2.3给出了式(D.4)的每一部分贡献

D.2.2因磁场产生的感应内部电场Eeli（fi.dm）

图D.2头部、回路和测量装置之间的距离

头部回路中因磁场产生的感应电压（参见图D.2)可利用式（D.5)计算：

Vina(fi,d laop)=.Diaop ·2·π· f:·B(fi,dlap) ..........(D.5

式中： Vind（f，dlaop）——频率为f:、距离为d laop时头部回路中的感应电压； D loop 头部回路的直径； B(f i,d lop) 频率为f:、距离为dlaop时的B场（磁场）。 头部回路中因磁场产生的感应电流可用式(D.6)计算：

Vina ( f i, d laop) I eddy(fi,d loop)= ...... D.6 元 · Dloop A·o(f)

Vind (f i, d laop) I edy(fi,d lop)= 元 · Dloop A·o(f.)

I eddy (f , d loop) 频率为f;、距离为dlp时头部回路中因磁场产生的感应电流； 头部回路的“导线”面积

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（f） 频率为；时头部回路的电导率。 随后，一定频率f:和距离dlp时头部回路中因磁场产生的电流密度，可用式（D.7)计算

内部感应电场可用下面关系式确定：

0.2.2.2磁场对感应电流密度fmim的贡献

Iedy(fi,d lan)=c(f.). E(f:,d laop)

表D.1感应内部电场的计算

可得出结论，在电源频率和测量距离d=0.3m时头部回路中因磁场产生的感应电场的贡献可予 以忽略

D.2.2.3磁场对感应电场的20kHz~10MHz的

最不利情况下，频率范围为20kHz10MHz、测量距离为d时头部回路中因磁场产生的电场 可通过如CISPR15[等规定的磁辐射发射量最大值来确定。根据CISPR15，频率为f：时2m 形天线（LLA）中的最大电流如图D.3所示

图D.32mLLA中的最大电流

频率为：时图D.3的2mLLA中的最大电流可转换为频率f和任意距离d时的最大B场（磁场）。 转换可解释如下： 2mLLA中心面积为Adiple的虚拟磁偶极子对2mLLA的互感为

式中： M 一虚拟磁偶极子和2mLLA之间的互感； Adipole 一虚拟磁偶极子的面积； DLLA2mLLA的直径，等于2m。 虚拟磁偶极子动量为Idipole（f：）·Adipale 其中，Idigole（f:）表示频率为f；时虚拟磁偶极子中的虚拟电流。 LLA中的感应电压为：

Vind (f i) LIADA

loop = d + (D bead / 2) 。 率为f.和任意距离为d时的最大B场（磁场）

DLGJ 159.2-2001 电力勘测设计生产岗位责任制度H(f:,dlop) 2 . 元 · diap

****( D.13

3(f i , d lop)= ++++..++++ 2·元·di

在最不利情况下，文、3和之方向上的B场（磁场）均达到这一最天值。最终的B场（磁场）可 D.15)计算得出：

式（D.7)则可改写为式（D.16）

DIP·G(I)·T·f:ILLA(fI)·LLLA·DLA· edy(fi,d lpop)= 2·元·d

或者，用内部电场表示：

GB 2839-1981 粘土陶粒和陶砂........( D.16)

.......( D.17 )