DB34／T 3574.8-2019标准规范下载简介
DB34／T 3574.8-2019 聚变装置铁磁性系统结构设计准则 第8部分：辐射屏蔽简介：
"DB34/T 3574.8-2019 聚变装置铁磁性系统结构设计准则 第8部分：辐射屏蔽简介" 是一份关于聚变装置(通常指核聚变反应堆)铁磁性系统结构设计的行业标准，其中的第8部分专门介绍了辐射屏蔽的相关内容。
辐射屏蔽是核聚变装置中非常重要的一环，其目的是保护设备和工作人员免受高能辐射的伤害。这部分准则可能详细阐述了以下内容：
1. 辐射类型：包括高能粒子、中子、伽马射线等，以及它们对设备和人体可能造成的危害。
2. 屏蔽材料：推荐使用的屏蔽材料性质，如防辐射性能、重量、成本、耐高温、耐腐蚀等。
3. 屏蔽设计原则：如何根据聚变装置的运行特性、辐射特性以及人员和设备的防护需求，设计合理的屏蔽结构。
4. 测试和验证：如何评估和验证屏蔽设计的有效性，确保达到预期的辐射防护效果。
5. 安全规定：可能包括辐射暴露限值、定期检查、应急响应措施等内容。
请注意，具体的细节会根据标准的实际内容而有所不同，建议查阅正式的DB34/T 3574.8-2019 标准获取详细信息。
DB34／T 3574.8-2019 聚变装置铁磁性系统结构设计准则 第8部分：辐射屏蔽部分内容预览：
安徽省市场监督管理局 发布
DB34/T 3574.82019
DB34/T 3574.82019
本部分规定了聚变装置铁磁性系统结 是、设计要求、设计计算 评估方法。 是该系统设计的重要依据
《信息技术通用多八位编码字符集锡伯文、满文字型正白体 GB/T30849-2014》DB34/T3574.82019
料受载能粒子轰击后的电离和媚变反应以及原子核碰撞产生点缺陷和缺陷团及其演化的离位山 位错环、贫原子区和微孔洞以及析出的新相等。
确保各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件的辐照损伤安全，与真空室及托卡马克主机 构共同确保（超导）磁体的核载荷低于相应的设计限值；确保主机运行期间、停机维护期间工作 公众所受的外照射有效剂量低于相应的设计限值。
4.2.1选用适合聚变装置的中子和射线衰减计算方法、停堆剂量的评估方法，结构材料辐照损伤的 计算方法，源项产生与迁移的计算方法以及相应的配套参数。 4.2.2结合已有的各主要内部部件的结构和材料，设计屏蔽，计算相应区域的辐射场；结合真空室主 体、真空室窗口及其插件的设计，计算相应区域的辐射场；根据聚变装置停机维护与遥操作的需求，计 算主机维护期间相应区域的辐射场，
十算方法，源项产生与迁移的计算方法以及相应的配套参数。 4.2.2结合已有的各主要内部部件的结构和材料，设计屏蔽，计算相应区域的辐射场；结合真空室主 本、真空室窗口及其插件的设计，计算相应区域的辐射场；根据聚变装置停机维护与遥操作的需求，计 章主机维护期间相应区域的辐射场。 4.2.3屏蔽及源项计算的内容主要包括以下方面： 一聚变等离子体中子源及屏蔽设计计算； 一各内部部件的主回路系统中的氙、腐蚀产物和各种核反应产物的源项分布及其屏蔽设计计算； 在设计基准事故和某些严重事故条件下，进行应急设施的设计，分析包括氙在内的放射性物质 的释放。
聚变等离子体中子源及屏蔽设计计算； 一各内部部件的主回路系统中的氙、腐蚀产物和各种核反应产物的源项分布及其屏蔽设 在设计基准事故和某些严重事故条件下，进行应急设施的设计，分析包括氯在内的放 的释放。
DB34/T 3574.82019
4.3.1屏蔽设计应考虑各内部部件（包层系统、偏滤器系统、管林系统等）的屏蔽效果。已有内部部 件的屏蔽性能不满足要求时，应设置专用屏蔽结构。 4.3.2在确保安全的前提下，屏蔽设计应尽量减小体积和重量。 4.3.3专用屏蔽结构应便于维护操作，应方便退役、减少放射性废物。 4.3.4在屏蔽聚变中子的同时，应考虑对中子与内部部件相互作用产生的俘获射线的屏蔽。 4.3.5应考虑核热的影响，保证各内部部件的冷却。
5.1.1内部部件应选用低活化材料，避免或减少可能产生长寿命活化产物的材料杂质成分 5.1.2内部部件应选用抗辐照材料。 5.1.3在设计使用寿命内，屏蔽材料应始终满足5.3中的辐照效应限值的要求。 5.1.4采用新型屏蔽材料时，应有足够的材料性能数据和辐射屏蔽实验数据，
5.2屏蔽结构设计要求
5.2.1屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.1中的总体要求。 5.2.2与屏蔽相关的铁磁性材料结构的设计应满足DB34/T3574.5中对应力限值的要求。 5.2.3月 屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.6中对疲劳寿命的要求。 5.2.4 屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.7中对制造与检测的要求。 5.2.5 其他要求： 集成在包层及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.2中对包层的设计要求 集成在偏滤器及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.3中对偏滤器的设计要求 集成在管林及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.4中对管林的设计要求
2.1屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.1中的总体要求。 2.2与屏蔽相关的铁磁性材料结构的设计应满足DB34/T3574.5中对应力限值的要求， 2.3屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.6中对疲劳寿命的要求， 2.4屏蔽结构的设计应满足DB34/T3574.7中对制造与检测的要求。
集成在包层及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.2中对包层的设计要求； 集成在偏滤器及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.3中对偏滤器的设计要 集成在管林及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.4中对管林的设计要求。
5.3材料辐射效应限值
各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件结构材料的辐照损伤要以损伤最大点的数值作为评 判依据。应控制各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件所受的辐射损伤低于规定限值。限值由 选用的材料根据工况确定。
5.4.1内部部件的屏蔽设计应当充分考虑托卡马克聚变装置主机其他部件，结合真空室本体和真空室 之外的屏蔽体实现对（超导）磁体、冷屏等结构的辐射屏蔽，使其核载荷满足相应的设计要求。 5.4.2内部部件的屏蔽设计应当充分考虑托卡马克聚变装置主机厂房及其辅助机房的屏蔽要求。协同 主机及辅助厂房屏蔽设计以满足GB18871对辐射安全的要求。 5.4.3屏蔽设计应满足维护与遥操作的需求，
DB34/T 3574. 82019
6.1.1屏蔽设计使用的核数据应来自经评价核数据库。 6.1.2屏蔽设计中使用的计算程序要经确认和验证DB62∕T 3159-2019 高延性混凝土应用技术标准，证明程序的理论和计算方法是适当的 6.1.3屏蔽设计中使用的核数据库与计算机程序应是配套和自恰的，能达到设计精度的要求。 6.1.4应对主要设计参数的计算结果进行不确定性分析，
6. 2. 1初步设计
根据托卡马克装置的结构复杂性， 段可以进行托卡马克主机的初步屏蔽分析，给出内 部部件及主机各主要部件对聚变中子的屏蔽效果， 给出中子通量密度、光子通量密度、辐射材料损伤 停堆剂量率等典型核性能参数的径向分布
6. 2. 2详细设计
在详细设计阶段需要完善初步设计阶段遗留的问题，进行全部的屏蔽设计。其中，需要对以下结构 参数进行完整的评估与计算： 一聚变等离子体中子源定义： 一 一中子壁负载分布； 一高能（>0.1MeV）、低能中子通量密度分布，以及重要部件或部位的中子能谱； 各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件等结构上的核响应量。这些核响应量应包括其 总核热、核热功率密度、辐射材料损伤情况； 各内部部件及其之间存在的缝隙、孔洞等穿透结构对屏蔽性能的影响； 真空室窗口及其插件结构上存在的迷道结构对屏蔽性能的影响； 剂量率分布和停堆剂量率分布。
DBJ∕T 15-103-2014 基桩自平衡静载试验规程6.4事故工况下的屏蔽计算与评估
6.4.1应按照事故可能的进程分析放射性物质的迁移，评估其对维护和遥操作的影响。 6.4.2对涉氙系统的事故工况进行专门评估。 6.4.3屏蔽设计应考虑缓解事故工况下放射性物质的释放。