GB/T 18039.10-2018标准规范下载简介
GB/T 18039.10-2018 电磁兼容 环境 HEMP环境描述 辐射骚扰简介:
GB/T 18039.10-2018 是中国国家标准,全称为“电磁兼容性 环境 第10部分:高能电磁脉冲(HEMP)环境描述”。该标准主要定义了高能电磁脉冲环境的特性,并为相关设备和系统的抗HEMP性能测试提供了依据。
HEMP(High Energy Electromagnetic Pulse)即高能电磁脉冲,通常是在核爆炸或其他类似的高强度电磁辐射事件中产生的,其特点是脉冲持续时间短,但能量密度极高,对电子设备和电力系统有着严重的影响。这些影响包括设备的直接损坏,电力系统的瘫痪,以及通信系统的中断等。
辐射骚扰简介则是对在HEMP环境中,设备或系统可能面临的电磁辐射干扰的概述。在HEMP环境下,设备可能会受到瞬态的、高强度的电磁辐射,这种辐射可导致设备内部电路的电压、电流异常,从而影响设备的正常运行。
标准GB/T 18039.10-2018详细描述了HEMP的环境,包括脉冲的波形、幅值、持续时间等特性,并定义了相应的测试方法,以评估设备在HEMP环境下的抗扰性。这对于确保关键基础设施(如电力系统、通信网络等)在潜在的HEMP威胁下的稳定运行具有重要意义。
GB/T 18039.10-2018 电磁兼容 环境 HEMP环境描述 辐射骚扰部分内容预览:
电磁兼容环境 HEMP环境描述辐射骚扰
《电磁兼容环境》的本部分定义了高空电磁脉冲(HEMP)环境,即高空核爆炸的效应之一。 研究这个题目需要考虑两种情况: 高空核爆炸; 低空核爆炸。 对于民用系统来说,最严重的一种情况是高空核爆炸。在这种情况下,核爆炸的其他效应,如 地面冲击、热辐射及致电离辐射均不会影响到地面。然而,核爆炸产生的电磁脉冲可能会引起通 充、电子和电力系统的损伤和毁坏,进而影响现代社会的稳定。 本部分的目的是建立HEMP环境的一个一般参考,为敏感设备选择实际环境参数,从而评估 感度。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4365—2003电工术语电磁兼容[idtIEC60050(161):1990
高空(高于30km)核爆炸会产生3类 早期高空电磁脉冲(快); 中期高空电磁脉冲(中等); 晚期高空电磁脉冲(慢)。 从历史上看,人们将大部分注意力都集中在早期高空电磁脉冲上,曾经一度将高空电磁脉冲简单认 为就是指早期高空电磁脉冲。而在这里,我们使用的术语“高空EMP”或“HEMP"将包括所有这3类电 磁脉冲。术语核电磁脉冲(NEMPI>)则覆盖很多类别【6层】4739.98平米地下一层地上六层框架住宅楼投标文件编制(清单报价、建筑结构图),其中包括地面核爆炸产生的源区核电磁脉冲 (SREMP2)以及在空间系统激励的系统电磁脉冲(SGEMP")。 由于高空电磁脉冲(HEMP)是由高空核爆炸产生,在地面将不存在其他核武器效应,如射线、热 福射、冲击波等。20世纪60年代初,美国在南太平洋进行高空核爆试验,结果对远离爆炸点的电子设 备产生巨大效应的报告中首次出现了高空电磁脉冲(HEMP)这个术语
GB/T4365一2003界定的以及下列术语和定义适用于本文件
2) SREMP:源区核电磁脉冲 3)SGEMP:系统电磁脉冲。
在水平面的垂直平面中,传播方向与水平平面(地平面之间夹角(见图1)。
图1关于极化、仰角业和方位角币的定义
图2平面波的几何学定义
5高空电磁脉冲环境的描述、辐射参数
5.2HEMP在地面作用范围
图4高空核爆炸产生早期HEMP图解
高空核爆炸时,HEMP在地面的作用范围取决于爆炸高度和爆炸当量。在作用范围内不同位置处 现测到的电场信号差别非常大(比如峰值、上升时间、持续时间或是极化方向),例如,对北半球的高空核 爆炸,最大峰值电场(记为Emax)出现在爆心地面投影点的南面,高达50kV/m(该值取决于爆高以及爆 炸当量)。图5描述了早期HEMP在地球表面作用范围的切向半径与爆高(HOB)的关系。例如,爆高 50km时,早期HEMP在地面的作用半径为800km;爆高500km时,作用半径为2500km。图6所示 为不同爆高下,早期HEMP在地面作用范围内峰值场强的变化。
图5HEMP在地球表面作用范围切向半径与爆炸高度的关系
5.3HEMP时域波形
5.3.1早期HEMP时域波形
图6中的A、B、C三个不同位置处的早期HEMP时域波形如图7所示。由于早期HEMP在地面 不同位置处的人射波形变化大,且爆点位置无法预测,所以将构造一个普适的HEMP时域波形,该波形 需保留近投影点处电场波形的上升时间以及最大峰值范围内的峰值。所有位置处电场波形的包络,就 是一个极端情况下的普适波形。国际上根据早期HEMP作用范围内所有电场频域波形的傅里叶变换 包络,构造了一个更实际可、民用的普适电场波形,即参数为2.5ns/23ns的脉冲波形。
图6爆炸地面投影点在北纬30° 100km~500km范围内,地面上 峰值电场的典型变化(该数据适用于爆炸 为士万吨级或更大的情况)
综上所述,自由空间内的早期HEMP电场波形如式(1):
E,一电场强度,单位为伏每米(V/m); 时间,单位为秒(s)。 根据式(1)作图8a)和图8b),其中图8a)显示的是脉冲的上升前沿特性;图8b)显示脉冲的后沿特 性。由于图8a)和图8b)中的波形包含了任一早期HEMP的特征,所以此波形可认为是标准波形。该 脉冲波形的峰值为50kV/m,10%~90%上升前沿为2.5ns,峰值时间为4.8ns,半高宽为23ns。该早 期HEMP波形的能注量为0.114J/m²
需要强调的是,早期HEMP是一个入射场,而在上面的讨论并没有考虑地面的反射,关于地面反射 的情况见5.7。由于入射电场极化方向垂直于电磁波的传播方向和地磁场方向,因此早期HEMP在地 面作用范围的切点处,电场的局部垂直分量在爆点的地磁东侧和西侧达到最大,而在南侧和北侧为0。 由于爆点的位置未知,电场的垂直和水平分量可按式(2)定义:
关于6m的值参见图8c)。
)0ns~10ns(脉冲上升前沿)
图8早期HEMP情况(电场部分)
5.3.2中期HEMP波形
中期HEMP幅值在10V/m~100V/m范围内,持续时间在0.1μs至0.01s之间。与早期HEMF 类似,中期HEMP也可定义为相同极化方向的人射场。在经过地球的反射之后,电场水平分量很小,基 本是垂直极化。 中期HEMP在自由空间内的电场时域波形如式(3)
式中: E2电场强度,单位为伏每米(V/m); 一时间,单位为秒(s)。 图10展示了上述电场波形,波形峰值为100V/m,脉冲半高宽为693μs,能注量为0.0133J/m²
中: E2—电场强度,单位为伏每米(V/m); 一时间,单位为秒(s)。 图10展示了上述电场波形,波形峰值为100V/m,脉冲半高宽为693us,能注量为0.0133J/m
5.3.3晚期HEMP
晚期HEMP是由磁流体动力学效应产生的,在地球内产生的电场约为儿十毫伏每米,持级
s到1000s之内.水平极件
电场场强单位为V/m,时间单位为S。上述波形如图9所示,图中α。是大地电导率。对其他大地 电导率, E:~
电场场强单位为V/m,时间单位为S。上述波形如图9所示,图中α。是大地电导率。对其他大地 电导率, E:~
9晚期HEMP标准波形
图9中,波形的峰值场强为38mV/m, ,正脉冲宽度20S,负脉冲宽度130S。
5.3.4完整的标准HEMP电场时域波形
图10所示为上述3种不同时期的HEMP电场波形的总和。需要强调的是:E,(t)和E2(t)是入射 波,具有相同的极化方向;而E(t)是地球内部感应的电场,水平极化
图10完整的HEMP标准时域波形
当电磁波频率f大于1.6kHz,距离源30km(源区高度,参见图4)外,下述著名的远场准则成立 见式(7)]:
C一光速。 对于HEMP,上式在爆后100μs内都成立。因此,将图10中100μs前的HEMP电场波形除以 Z。=120元Q后就可以得到磁场波形。这样,由式(1)可得到入射磁场的峰值见式(8):
[EMP,上式在爆后100μs内都成立。因此,将图10中100μs前的HEMP电场波形除以 2后就可以得到磁场波形。这样,由式(1)可得到入射磁场的峰值见式(8):
E。1—电场强度,单位为伏每米(V/m); Z。阻抗,单位为欧姆(Q); H。磁场强度,单位为安培每米(A/m)
5.5HEMP幅值谱和能量注量谱
Ho1 50000 132.6 2. 120元 .(8
多数典型的HEMP能量收集器都是频率选择的。因此,务必获得HEMP的能量频谱。对上面得 到的HEMP电场时域波形进行傅里叶变换后就能得到电场频域波形如式(9):
.............................(9
对于式(1)、式(3)、式(5)及式(6)中的一般解析形式的时域波形办公楼建设项目弱电工程量清单,其傅里叶变换的解析形式如 式(10):
E.(f)=7 E0m*km(b. (2元f+a.)(i2元f+bm))
相位偏移角(对于E,和E2*Φ=0;E,和E,9=2元f)。 图11所示为HEMP电场的幅值密度频谱,E1、E,、E,分别代表3个不同时间段的HEMP。
描述了各频点的能量密度,例如当f>10"Hz,远场区
Z。=120元02。 在频域内对式(11)作积分,可以得到早期HEMP电场E,的能量注量如式(12):
DBJ04∕T 406-2020 建筑物移动通信(5G)基础设施建设标准图11HEMP各成分的幅值频谱
S(f) =2IE()
S(f) =2IE(f) Z.